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[发明专利]一种频域滤波器及实现频域滤波的方法-CN03146592.7有效
发明人：吴沛 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2003-07-08 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H04L5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种频域滤波器，该频域滤波器包括控制模块、存储单元阵列、滤波器系数存储器、数据切换模块、旋转因子查表模块、输出数据合并模块及至少一个高速通用运算单元；所述的高速通用运算单元可通过所述的存储单元阵列、数据切换模块进行时分复用，为完成快速傅立叶变换、快速傅立叶反变换、频域滤波运算等数据运算处理提供资源。同时，本发明还公开了一种实现频域滤波的方法。本发明解决了传统频率滤波结构的不足之处，提供了一个完善的基于快速傅立叶正反变换、滤波器的滤波特性可动态变化的高效滤波器的实现方案。
一种滤波器实现滤波方法

[发明专利]高粘料乳液泵-CN03141464.8有效
发明人：丁要武 -专利权人：丁要武
申请日： 2003-07-09 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： B05B11/02 文献下载
摘要：一种乳液泵，包括一下端设有一下单向阀的气缸；一活塞头，其下端部向外扩出形成一肩部；一具有一内圈和一外圈并与活塞头一起构成一上单向阀的活塞；一固定连接在活塞头的上端的押头；以及一位于活塞头下端与下单向阀之间的弹簧；其中，活塞头的下端部肩部的周缘处形成一突缘，突缘设有在内侧的一第一斜面，活塞设有在内圈下端外侧的一斜面，当活塞头与活塞接触时，活塞头的第一斜面与活塞的斜面密封接触；或者，突缘设有在顶部外侧的一第二斜面，活塞设有在外圈下端内侧的一斜面，当活塞头与活塞接触时，活塞头的第二斜面与活塞的斜面密封接触。由于上单向阀密封性能明显改善，所以即使在使用特别粘稠的料液的情况下，这种乳液泵也易于出液。
高粘料乳液

[发明专利]基于端口的MAC地址数量统计方法及其装置-CN03145602.2有效
发明人：夏世长;马敬兴;王稷;陈华彬 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2003-06-24 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H04L12/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于端口的MAC地址数量统计方法。该方法针对各种类型可导致端口的MAC地址数量发生变化的情况分别进行监测，并根据发生的导致端口的MAC地址数量发生变化的情况的类型对端口的MAC地址数量进行调整。本发明通过由硬件实时完成网络接入设备端口学习到的MAC地址数量的统计，从而大大加快统计速度，提高了以太网交换机的性能，且利用硬件电路实现本发明可以节省大量硬件资源，优化了设计，降低成本。同时，本发明不仅可以准确实时统计出网络接入设备端口学习到的MAC地址数量值，实时保证端口的安全，还可以保证对相应端口学习到的MAC地址数量的统计不会影响以太网交换机的其它功能，即利用本发明统计学习到的MAC地址的同时不影响交换机的正常工作。
基于端口 mac 地址数量统计方法及其装置

[发明专利]一种双栅金属氧化物半导体晶体管及其制备方法-CN03137771.8有效
发明人：张盛东;陈文新;黄如;刘晓彦;张兴;韩汝琦;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2003-06-24 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了半导体集成电路制造技术领域中一种双栅金属氧化物半导体晶体管及其制备方法，目的是提供一种自对准的电分离双栅金属氧化物半导体晶体管(MOS晶体管)。本发明所提供的双栅金属氧化物半导体晶体管，包括硅衬底及其上的绝缘介质层、源/漏区、沟道(体)区、栅介质层、栅电极。其特征在于：所述沟道区为所述绝缘介质层上一垂直于所述硅衬底的硅墙；所述沟道区左右两侧对称地依次纵向排列所述栅介质层、栅电极；分布在所述沟道区左右两侧的栅电极相互自对准且电分离。本发明还提供了制备该双栅MOS晶体管的方法。本发明的双栅MOS晶体管避免了产生寄生元件，使得其在高速低功耗集成电路上的应用潜力得以充分发挥。
一种金属氧化物半导体晶体管及其制备方法

[发明专利]基于位平面的不等长的量化/反量化方法-CN03148032.2有效
发明人：高文;范晓鹏;吕岩 -专利权人：中国科学院计算技术研究所
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H04N7/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于位平面的不等长的量化/反量化方法，首先依据预先定义，对量化/反量化前的系数按照其重要性，依照由高到低的顺序依次从小到大编号；再根据微调参数，将量化/反量化前的系数划分为重要和不重要两组系数；根据该两组量化/反量化前的系数以及粗调参数，分别计算得到各自对应的量化/反量化后的系数。本发明的量化/反量化方法对于重要系数，量化/反量化的步长短，对于不重要系数，则使用长的量化/反量化步长；同时，量化/反量化的步长都是2的幂次，并在给定微调参数和粗调参数后，量化/反量化的步长只分成两个等级。本发明在量化/反量化过程中，不使用乘法，而只使用移位运算就可以实现，有利于硬件设计，并且实现简单。
基于平面不等量化方法

[发明专利]存储设备的输入输出处理装置-CN03148526.X有效
发明人：郑珉;胡鹏 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2003-06-30 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： G06F3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储设备的输入输出(IO)处理装置，至少包括：一个以上可独立工作的CPU、内存和CPU复位模块；一个以上用于进行协议转换的桥片和用于与存储设备的存储单元连接的磁盘接口模块；每个CPU上连接有内存和独立的CPU复位模块；一个以上所述CPU通过可支持一个以上CPU子系统的高速协议通道与桥片连接，每个桥片之间通过所述高速协议通道连接，并且每个桥片通过PCI总线与磁盘接口模块连接。本发明的IO处理装置增强了存储设备IO过程中自保护能力，减少死机情况的发生，从而提高系统的可用性。并进一步提高存储设备的IO处理速度，避免PCI等带宽瓶颈。
存储设备输入输出处理装置

[发明专利]双沟道积累型变容管及其制造方法-CN03137436.0有效
发明人：延涛;张国艳;黄如;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2003-06-20 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明公开了一种双沟道积累型变容管及其制造方法，所述的方法包括：按照制作单沟变容管的方法，制作下层沟道、栅氧一、栅极、侧墙、源极、漏极，源漏注入后，沿单沟变容管的源极、侧墙、栅极和漏极上部淀积或者氧化一层栅氧二；接着在栅氧二之上再淀积一层原位掺杂的多晶硅，作为上层沟道；分别在两侧开设源极、漏极引出孔，引出孔贯通栅氧二和上层多晶硅，金属引出线从引出孔中穿出，通过它将上层沟道和下层沟道连通起来，从而形成双沟道结构的可变电容。本发明通过单栅同时控制两个沟道，在保持其品质因子与单沟变容管相当的前提下，使变容范围增大为传统单沟变容管的两倍，具有广阔的应用前景。
沟道积累型变容管及其制造方法

[发明专利]一种基于简单网络管理协议的安全管理方法-CN03146224.3有效
发明人：徐庆伟 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2003-07-04 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H04L12/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于SNMP的安全管理方法。该方法包括：对SNMP请求报文进行版本验证，如果未通过版本验证，则拒绝该SNMP请求；对通过版本验证的SNMP请求报文进行基于网管地址的验证，如果未通过基于网管地址的验证，则拒绝该SNMP请求；对通过基于网管地址验证的SNMP请求报文进行时效验证，如果通过时效验证，则接受该SNMP请求，否则拒绝该SNMP请求。根据本发明的方法可以很好地解决不同SNMP版本共存时的安全性问题。
一种基于简单网络管理协议安全管理方法

[发明专利]一种基于资源预留协议控制建立标签交换路径的方法-CN03146738.5有效
发明人：李振斌 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2003-06-22 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H04L12/24 文献下载
摘要：本发明提供一种基于资源预留协议控制建立标签交换路径的方法，包括：为需要建立标签交换路径的入口节点设置预定时间；在所述预定时间内未收到预留消息的入口节点，利用资源预留协议删除该入口节点对应的所有与标签交换路径相关的状态；利用本发明，当网络出现无法及时恢复的故障时，不需要人工进行干预，可根据预定时间自动由资源预留协议删除所有与标签交换路径相关的状态，避免了因出现网络故障使网络节点持续要求建立标签交换路径而造成的网络资源的浪费，又能在最大程度上容忍网络出现的暂时故障，从而实现了节约网络资源的目的。
一种基于资源预留协议控制建立标签交换路径方法

[发明专利]绝缘硅芯片的鳍状元件及其形成方法-CN03149259.2有效
发明人：杨国男;詹宜陵;陈豪育;邓凌思;杨富量 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-06-17 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种绝缘硅芯片的鳍状元件及其形成方法，该包鳍状元件包含：硅基材，覆盖于硅基材的上绝缘层，具有鳍状结构的晶闸管，且晶闸管的宽度能使其结构中形成一非空乏区域，与栅极层。本发明的另一实施例包含硅基材，覆盖于硅基材的上绝缘层，具有鳍状结构的晶闸管，及部分覆盖于晶闸管宽度之上的栅极层，使晶闸管结构中间形成非空乏区域。借此，本发明的鳍状元件具有降低半导体组件的短信道效应尺寸，及改善SOI制造工艺鳍状元件完全空乏的情况，使得晶闸管的操作速度更为加快，还能满足系统芯片的制造需求。
绝缘芯片状元及其形成方法

[发明专利]风扇用脉宽调制的控制方法-CN03148269.4有效
发明人：侯宗德 -专利权人：达隆科技股份有限公司
申请日： 2003-07-01 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H02P7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种风扇用脉宽调制的控制方法，将一信号产生器电性连接在风扇电动机与提供上述风扇电动机电压的电源之间，上述信号产生器可产生一控制上述电源的激活和关闭的控制信号；上述信号产生器为一脉冲宽度调整电路，当风扇电动机处于换相周期时，上述信号产生器产生一缓冲时段的控制信号，控制上述电源关闭，当风扇电动机结束换相周期时，上述信号产生器停止产生缓冲时段的控制信号，控制激活上述电源。
风扇脉宽调制控制方法

[发明专利]直流风扇马达的开关驱动电路-CN03146537.4有效
发明人：林联肯;张尚仁;邱进发;黄文喜 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2003-07-04 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H02P7/24 文献下载
摘要：本发明揭示一种直流风扇马达的开关驱动电路，其具有多个开关、一第一控制电路及一第二控制电路。这些开关由一第一脉冲宽度调制信号及一第二脉冲宽度调制信号驱动，且与直流风扇马达成桥式电连接。此外，第一控制电路与至少一由该第一脉冲宽度调制信号驱动的开关电连接，且由一第三脉冲宽度调制信号驱动。第二控制电路与至少一由该第二脉冲宽度调制信号驱动的该类开关电连接，且由一第四脉冲宽度调制信号驱动。第三脉冲宽度调制信号及第四脉冲宽度调制信号是第一脉冲宽度调制信号及第二脉冲宽度调制信号的其中之一。
直流风扇马达开关驱动电路

[发明专利]具有波峰因素校正的电子式安定器-CN03149111.1有效
发明人：周清和;翁仁基;周维凡 -专利权人：台达电子工业股份有限公司;匹勒密斯公司
申请日： 2003-06-17 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H05B41/295 文献下载
摘要：由于公知技术中，低成本的具有波峰因素电流修正的高功率因素的电子式安定器，不具有波峰因素电流修正的功能，导致产生高波峰因素而影响灯管的使用寿命。本发明提供一低成本的具有波峰因素校正的电子式安定器，根据电压回馈讯号，通过由变化操作频率即可简单地控制灯管电流以达到波峰因素电流修正的功能。
具有波峰因素校正电子安定

[发明专利]电子加速器高压线圈的环氧浇注工艺-CN03129452.9有效
发明人：邵任杰;唐伟康;贺鸿生;张红辉;庄焰;王新勇 -专利权人：上海克林技术开发有限公司
申请日： 2003-06-23 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H05H7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种线圈环氧浇注工艺，其特点在于，它包括装模、进入真空烘房、预热、抽真空、配环氧、混胶、灌浇、补浇、固化、拆模、线圈后处理等工序，采用在一定真空度状态下，液态的环氧以一定温度，一定速度浇入模具中，保证环氧按远离冒口部位最先凝固，然后朝冒口的方向逐步凝固，最后才是冒口本身凝固的工艺，使用这个工艺所需要的系统，其特点在于，由线圈环氧浇注模、真空烘房、加热器、搅拌筒、搅拌筒机械泵、温度计、小车、吊车组成。本发明的优点是结构简单、成型方便、线圈绝缘强度高、抗辐照、防水、防潮、性能可靠、经济实用、适宜批量生产。
电子加速器高压线圈浇注工艺

[发明专利]薄膜天线及其制造方法-CN03139787.5有效
发明人：梁仁宇;郑添乾 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2003-07-07 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：一种薄膜天线及其制造方法，该薄膜天线设在一电子装置上，电子装置包括电路板、绝缘外壳及至少一活动连接绝缘外壳与电路板的连接部。该薄膜天线则由电子装置的绝缘外壳、连接部及设在绝缘外壳和连接部上的导电薄膜所构成。本发明薄膜天线的制造方法为：第一步：射出成型一绝缘外壳，该绝缘外壳与电子装置的电路板通过连接部连接；第二步：在绝缘外壳及连接部上镀上或贴上或喷上一层导电薄膜。
薄膜天线及其制造方法