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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造设备-CN03152528.8有效
发明人：山崎舜平;村上雅一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-08-01 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种蒸发设备和蒸发方法，该蒸发设备是一种膜形成装置，并提供EL层膜厚的优异均匀性、优异生产率和EL材料的提高的利用效率。本发明的特征在于在蒸发期间其中设置封闭蒸发材料的容器的蒸发源固定器可以一定间距相对于衬底移动。此外，膜厚监视器与蒸发源固定器结合在一起，用于移动。此外，通过根据由膜厚监视器检测的值调整蒸发源固定器的移动速度，可以使膜厚均匀。
制造设备

[发明专利]形成半导体栅极的方法-CN02132233.3有效
发明人：邱宏裕;陈铭祥;曾铕寪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-09-03 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种形成半导体栅极的方法，于基底上先形成包含一导体层与一顶盖层的堆栈结构。然后，于基底上形成一高密度等离子体介电层并暴露出顶盖层，其中高密度等离子体介电层顶部高于导体层顶部。随后，将顶盖层去除，由于高密度等离子体介电层顶部高于导体层顶部，所以去除顶盖层后会在导体层上形成一个凹陷处。接着，于凹陷处侧壁形成氧化间隙壁，再于基底上沉积另一层覆盖凹陷处的导体层，使其与之前已形成的导体层连结成为半导体器件的栅极。
形成半导体栅极方法

[发明专利]化学机械研磨机台的调节器-CN02131867.0有效
发明人：郑吉峰 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种化学机械研磨机台的调节器，其包括一调节盘，且调节盘具有一输入面以及一输出面；一管件，此管件的一端连接在调节盘的输入面上；一高压流体源，此高压流体源连接在管件的另一端；以及多个喷嘴，配置在调节盘的输出面上。
化学机械研磨机台调节器

[发明专利]半导体晶圆的清洗方法-CN02131868.9有效
发明人：刘洪伟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种半导体晶圆的清洗方法，此方法提供具有材料层的晶圆。然后，进行刷洗工艺，以刷头与去离子水移除晶圆表面的微粒。之后，以惰性气体喷吹晶圆，以移除晶圆表面的水痕与防止晶圆受氧影响。
半导体清洗方法

[发明专利]自动显示磨耗程度的研磨垫及制造方法-CN02131996.0有效
发明人：陈志焜;龚耀雄 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种自动显示磨耗程度的研磨垫，包括一研磨基板，具有一研磨面、一基准面、至少一第一标记孔，设置于该研磨面下方一第一既定距离处、至少一第二标记孔，设置于该研磨面下方一第二既定距离处，以及至少一第三标记孔，设置于该研磨面下方一第三既定距离处，其中该第一、第二及第三标记孔，由该研磨面往该基准面方向延伸，并且该第三既定距离大于该第二既定距离，且该第二既定距离大于该第一既定距离。
自动显示磨耗程度研磨制造方法

[发明专利]高压处理设备-CN03152641.1有效
发明人：渡边克充;石井孝彦;猿丸正悟;山根秀士 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2003-08-04 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供了一种用于将压力介质供给到高压处理腔(4)中的高压处理设备，该高压处理腔形成在压力容器(1)中以便处理工件。该压力容器包括可轴向彼此分离的第一容器部(2)和第二容器部(3)，其中高压处理腔形成于第一容器部和第二容器部之间。另外，用于紧密密封高压处理腔的端面密封部(5)邻接第一容器部和第二容器部而形成。设置有用于向该端面密封部提供轴向力的压力机设备(7)，并且该压力机设备在对应于压力容器的轴向中心的位置处具有用于放置例如搅动器等的辅助设备的空间。这种构形实现了这样一种端面密封形式的高压处理设备，例如搅动器等的辅助设备安装在该高压处理设备上。
高压处理设备

[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法-CN02132282.1有效
发明人：饭岛悦夫;土屋浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。如果终点检测器17(EPD)检测出终点(t5)，则断开从高频电源12来的RF功率(底部RF)的同时(t5)，停止向晶片W背面供给He气14(t5)，蚀刻不进行，而且，在可能维持等离子体的范围内，在控制从高频电源11来的RF功率(顶部RF)的状态下(t5)，断开高压直流电源13(HV)，由此可以一边正确控制蚀刻量，一边抑制微粒的吸附。
等离子体处理装置以及方法

[发明专利]采用原子层沉积工艺在基片上形成二氧化硅层的方法-CN03133019.3有效
发明人：李周远;秋冈秀;朴哉彦;梁钟虎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-06-30 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种用催化剂辅助的原子层沉积(ALD)工艺的改进方法，同时还公开了相关的吹扫方法和吹扫程序。所述改进方法通过采用具有至少两个硅原子的硅化合物作为第一反应物，或者采用一种脂族叔胺作为催化剂组分，也可以二者结合使用而在一半导体基片上形成一具有优良性能的二氧化硅层。
采用原子沉积工艺基片上形成二氧化硅方法

[发明专利]电子部件封装、非易失性强介电体存储器、安装机及方法-CN03147212.5有效
发明人：早川昌志 -专利权人：富士机械制造株式会社
申请日： 2003-06-03 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明的目的在于，电子部件安装机可以容易进行容纳电子部件的封装的管理、和该电子部件的管理。本发明是在电子部件封装(例如带盘)设置记录电子部件信息的可重写的非易失性强介电体存储器，利用对应的存储信息读写部非接触地从电子部件封装的非易失性强介电体存储器读出或记录规定信息。在此，作为电子部件信息可以举出电子部件的制造厂商、制造批次、部件品种、大小、剩余数量、以及用于在基板上安装部件的图像处理用数据等。
电子部件封装非易失性强介电体存储器装机方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN03152509.1有效
发明人：柴田和孝 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2003-08-01 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，接合形成在第一半导体衬底上的第一金属凸起和形成在第二半导体衬底上的第二金属凸起。该方法包括：在所述第一金属凸起和所述第二金属凸起中的至少一方的顶端部形成由低熔点金属构成的层的低熔点金属层形成步骤；在使所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底分开的状态下，使所述第一半导体衬底为所述低熔点金属的固相线温度以上的第一温度，且使所述第二半导体衬底为所述低熔点金属的固相线温度以下的第二温度的衬底温度调整步骤；该衬底温度调整步骤之后使所述第一金属凸起和所述第二金属凸起接近的金属凸起接近步骤；在该金属凸起接近步骤之后使第一半导体衬底和第二半导体衬底为低熔点金属的固相线温度以下的步骤。
半导体装置制造方法

[发明专利]薄片粘贴装置及薄片粘贴方法-CN03152239.4有效
发明人：竹尾浩一;绪方健治;原昭彦;金子谨也;原智纪 -专利权人：第一精工株式会社
申请日： 2003-07-31 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种薄片粘贴装置及薄片粘贴方法，由在下面不与上述半导体芯片及金属线等干涉的凹部(25a)的上夹块(25)、在装载薄片(30)的装载面上开设通气孔(22，23)的下夹块(21)构成。而且，所述下夹块(21)与所述上夹块(25)在所述基板(31)的外周缘部进行夹紧的同时，可将来自所述通气孔(22，23)的气体回流从负压切换成正压。本发明在使树脂封止时，完全阻止树脂流到基板的下面，可将薄片均匀地粘贴在半导体装置的下面而成为一体。
薄片粘贴装置方法

[发明专利]将集成电路连接到基片上的方法及相应电路配置-CN03147544.2有效
发明人：哈里·黑德勒 -专利权人：印芬龙科技股份有限公司
申请日： 2003-07-22 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种将集成电路(1)，特别是芯片、晶片，或混合片，连接到基片(30)的方法，其步骤是：在集成电路(1)的第一主区域(HF1)上设置第一电接点结构(3，4)；在基片(30)上侧表面(OS)上设置相应的第二电接点结构(33)；第一电接点结构与第二电接点结构(3，4；33)中至少有一个具有弹性隆起(3)；将集成电路(1)的第二主区域(HF2)装配在框架结构(20，22)上；将第一个电接点结构(3，4)放置在第二个电接点结构(33)上，以使两种结构电连通；并以弹性隆起(3)受压的形式，将框架结构(20，22)装配在基片上(30)。本发明也同样提供相应的电路配置。
集成电路接到基片上方法相应电路配置

[发明专利]半导体装置测试结构与形成方法-CN02136843.0有效
发明人：江顺旺;简维廷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2002-09-06 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置测试结构，除了包含一多重内连线与电性耦耦接至此多重内连线的二个相互分离的讯号传收端外，还包含用以提供接地管道的一传导元件。在此，传导元件的一端同时电性耦接至多重内连线与一讯号传收端(用以传收低电位讯号)，而另一端则电性耦接至一电位基准点。
半导体装置测试结构形成方法

[发明专利]可避免量测计燃烧的量测计固定装置-CN02136845.7有效
发明人：沈成刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2002-09-06 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明关于一种量测计固定装置，用以固定一量测计至一覆盖有外壳体的反应室上，该量测计固定装置包括：一固定板，其固定于该外壳体上；一固定座，其可移动地设置于该固定板上，用以固定该量测计，使该量测计的一端得以设置于该外壳体与该反应室之间；以及一第一弹性元件，其设置于该外壳体与该固定座之间，用以抵顶该固定座，藉以避免该量测计向该反应室方向移动。
避免量测计燃烧固定装置

[发明专利]拉线、球剪力与晶片剪力测量的重复性与再现性测试工具-CN02136846.5有效
发明人：简维廷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2002-09-06 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明为一种拉线、球剪力与晶片剪力测量的重复性与再现性测试装置，其中该拉线、球剪力与晶片剪力测量藉由一应力提供装置进行。该测试装置包括：一底座，其具有一支撑杆；一手臂，其可轴转地固定于该支撑杆上；至少一刻度，其形成于该手臂上，用以供该应力提供装置施一应力；以及一磁力产生装置，其设置于该底座，用以产生一可调制的磁力，以提供一拉力拉引该手臂的一端。如此，在该应力装置所施该应力时，使该手臂的该端得以脱离该磁力产生装置。
拉线剪力晶片测量重复性再现测试工具

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