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[发明专利]具有栅极连接栅格的垂直晶体管-CN202280019458.4在审
发明人： T·奈尔;H·德维利斯绸威尔;F·阿勒斯坦 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：在一个总体方面，一种半导体器件(100)可包括设置在半导体区的有源区(110)中的多个垂直晶体管段(200,300)。该多个垂直晶体管段可包括相应栅电极(206b,306b)。第一电介质(415,915,1015)可设置在该有源区上。导电栅格(130,230,330,430,630,930,1030)可设置在该第一电介质上。该导电栅格可以使用穿过该第一电介质形成的多个导电触点(430a,630a,930a,1030a)与相应栅电极电耦接。第二电介质(925)可设置在该导电栅格和该第一电介质上。导电金属层可设置在该第二电介质层上。该导电金属层可包括一部分(951)，该部分使用穿过该第二电介质形成的通往该导电栅格的至少一个导电触点(930a)通过该导电栅格与相应栅电极电耦接。
具有栅极连接栅格垂直晶体管

[发明专利]具有波状沟道的MOSFET器件-CN202280014999.8在审
发明人： K·曹;李峯龙;朴庆锡;崔杜溱;T·奈尔;金奇玟 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：描述了一种具有交替p阱宽度(116a,118a)的包括波状沟道(110,110a,110b)的SiC MOSFET器件。该波状沟道(110,110a,110b)提供多个宽度的电流路径，这使得能够优化导通电阻、跨导、阈值电压和沟道长度。多宽度p阱区进一步限定对应的多宽度结型FET(JFET)(112a,112b)。这些多宽度JFET(112a,112b)使得能够改进对短路事件的响应。通过将第一宽度的JFET(112a)中的高电场分布到第二宽度的JFET(112b)中来获得高击穿电压。
具有波状沟道 mosfet 器件

[发明专利]具有减小的动态输出电容损耗的终端结构-CN202180086213.9在审
发明人： J·罗伊格-吉塔特;F·阿勒斯坦;T·奈尔;A·康斯坦丁诺夫;M·多梅;J·林 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一般方面，一种半导体器件(100,400,700,900)可以包括第一导电类型的衬底(110,410,710,910)、设置在该衬底中的有源区(120,420,720,920)以及与该有源区相邻地设置在该衬底中的终端区(T)。该终端区可包括第二导电类型的结终端扩展(130,420,730,930)，其中该第二导电类型与该第一导电类型相反。该结终端扩展可以具有设置在该结终端扩展的上部部分中的第一耗尽截断区(132,432,732,932)、设置在该结终端扩展的下部中的第二耗尽截断区(134,434,734,934)以及设置在该第一耗尽截断区与该第二耗尽截断区之间的高载流子迁移率区(136,436,736,936)。
具有减小动态输出电容损耗终端结构

[发明专利]用于碳化硅功率半导体器件上的背侧欧姆接触的碳受控欧姆接触层-CN201910701187.0在审
发明人： T·T·P·法姆;朴金硕;A·康斯坦丁诺夫;T·奈尔 -专利权人：半导体组件工业公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明题为“用于碳化硅功率半导体器件上的背侧欧姆接触的碳受控欧姆接触层”。本发明公开了一种半导体功率器件，所述半导体功率器件可包括在其第一表面上形成有有源功率器件的碳化硅SiC层。可在所述SiC层的第二相对表面上形成欧姆接触层，所述欧姆接触层包括具有第一硅化物区域的硅化镍NiSix，所述第一硅化物区域包含第一未反应的碳的析出物并且设置在所述SiC层与第二硅化物区域之间。所述第二硅化物区域可设置在所述第一硅化物区域与第三硅化物区域之间，并且可包含第一难熔金属碳化物的析出物和第二未反应的碳的析出物的混合物。所述第三硅化物区域可包含第二难熔金属碳化物的析出物。可在所述欧姆接触层上形成焊料金属层，其中所述第三硅化物区域设置在所述第二硅化物区域与所述焊料金属层之间。
硅化物区域欧姆接触层析出物半导体功率器件难熔金属碳化物焊料金属碳化硅功率半导体器件第一表面欧姆接触硅化镍混合物碳化硅源功率受控

[发明专利]至少部分基于物理可访问系统的部件管理系统操作的系统和方法-CN200780015324.0无效
发明人： I·拉纳多;T·奈尔 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：一个实施例的系统包括第一部件(12)；和第二部件(13)，当在第一状态时，第二部件限制用户物理访问第一部件，并且当第二部件在第二状态时，第二部件允许用户物理访问第一部件。系统进一步包括逻辑(11)，其响应于第二部件从第一状态转换到第二状态，触发禁用(102)系统的至少一个功能(14)，而允许系统的至少第二功能(15)保持启用。在某些实施例中，第一部件包括订户识别模块(SIM)(22)，并且响应于第二部件转换到第二状态，禁用无线通信(24)。
至少部分基于物理访问系统部件管理操作方法

[发明专利]用于便携式电子设备的无线通信接口-CN200780027635.9无效
发明人： S·S·霍默;P·J·多奇;T·奈尔 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2007-04-19 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H04B1/38 文献下载
摘要：一种便携式电子设备(10)包括接口(12)，其被配置成响应于检测外部天线(62)与电子设备(10)的可释放的接合，针对无线通信从使用内部天线(52)切换到使用外部天线(62)。
用于便携式电子设备无线通信接口

[发明专利]计算装置天线识别系统和方法-CN200780015157.X有效
发明人： S·S·霍默;P·J·多奇;T·奈尔;P·N·沃克 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2007-02-01 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：一种便携式计算装置(12)天线识别系统(10)，包括被配置成置于便携式计算装置(12)中的天线(26)，该天线(26)具有被唯一配置以发送表示天线(26)的身份的信号的传感器连接器(70)。
计算装置天线识别系统方法

[发明专利]包括RF天线的机械锁栓-CN200580036936.9无效
发明人： I·拉纳多;T·奈尔 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2005-10-25 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：包括通过铰链(110)机械连接到显示器封闭件(102)上的底座(100)的便携式电子装置制成包括锁栓(112)，锁栓位于显示器封闭件(102)上，并构造成在显示器闭合时将显示器封闭件(102)机械锁定在底座(100)上。锁栓(112)永久连接到显示器封闭件(102)上，并且以用作无线网络(116)的RF天线的方式电连接到无线网络回路(116)上。
包括 rf 天线机械锁

[发明专利]散热无线通信系统-CN200710006169.8有效
发明人： I·拉纳多;T·奈尔;M·S·特蕾西;J·A·莱夫;W·G·弗赖 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：一种用于计算机设备(8)的散热无线通信系统(10)，包括用于进行无线通信的天线(36)，所述天线(36)被配置为驱散由所述计算机设备(8)产生的热。
散热无线通信系统

[发明专利]基于使用方式的天线选择-CN200610084583.6无效
发明人： I·拉纳多;T·奈尔;R·P·马拉拉塞克拉 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2006-06-02 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H04B7/04 文献下载
摘要：装置和方法的实施例应用基于使用方式的天线选择。一种公开的方法的实施例包括确定装置的使用方式以及选择装置中可用的天线的子集。所选择的子集与使用方式对应。
基于使用方式天线选择

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