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- [发明专利]具有减小的动态输出电容损耗的终端结构-CN202180086213.9在审
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J·罗伊格-吉塔特;F·阿勒斯坦;T·奈尔;A·康斯坦丁诺夫;M·多梅;J·林
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半导体元件工业有限责任公司
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2021-12-20
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2023-08-22
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H01L29/06
- 在一般方面,一种半导体器件(100,400,700,900)可以包括第一导电类型的衬底(110,410,710,910)、设置在该衬底中的有源区(120,420,720,920)以及与该有源区相邻地设置在该衬底中的终端区(T)。该终端区可包括第二导电类型的结终端扩展(130,420,730,930),其中该第二导电类型与该第一导电类型相反。该结终端扩展可以具有设置在该结终端扩展的上部部分中的第一耗尽截断区(132,432,732,932)、设置在该结终端扩展的下部中的第二耗尽截断区(134,434,734,934)以及设置在该第一耗尽截断区与该第二耗尽截断区之间的高载流子迁移率区(136,436,736,936)。
- 具有减小动态输出电容损耗终端结构
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