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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于解决电迁移的布局构造-CN201811195340.9有效
发明人： S·H·拉苏里;M·J·布鲁诺利;C·S-A·霍-里格;M·马拉布里;S·K·哈里什;P·巴拉苏布拉马尼恩;K·麦迪赛蒂;N·伯什泰恩;A·达塔;O·翁 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及用于解决电迁移的布局构造。具有各自具有PMOS漏极的多个PMOS晶体管以及各自具有NMOS漏极的多个NMOS晶体管的CMOS器件包括一互连级上的在长度方向上延伸以将PMOS漏极连接在一起的第一互连。该互连级上的第二互连在长度方向上延伸以将NMOS漏极连接在一起。至少一个附加互连级上的一互连集合将第一互连和第二互连耦合在一起。该互连级上的第三互连垂直于长度方向延伸并且偏离该互连集合以将第一互连和第二互连连接在一起。
用于解决迁移布局构造

[发明专利]用于解决电迁移的布局构造-CN201811322947.9有效
发明人： S·H·拉苏里;A·达塔;O·翁 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：公开了用于解决电迁移的布局构造。一互连层面上的第一互连将CMOS器件的第一PMOS漏极子集连接在一起。该互连层面上的第二互连将第二PMOS漏极子集连接在一起。第二PMOS漏极子集不同于第一PMOS漏极子集。第一互连和第二互连在该互连层面上断开。该互连层面上的第三互连将CMOS器件的第一NMOS漏极子集连接在一起。该互连层面上的第四互连将第二NMOS漏极子集连接在一起。第二NMOS漏极子集不同于第一NMOS漏极子集。第三互连和第四互连在该互连层面上断开。第一、第二、第三和第四互连通过至少一个其它互连层面耦合在一起。
用于解决迁移布局构造

[发明专利]具有低面积、低功率和低设立时间的时钟门控单元-CN201580071955.9有效
发明人： S·H·拉苏里;S·J·迪棱;A·达塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：一种CGC包括使能模块(302)和锁存器模块(306)。使能模块(302)具有使能模块输入和使能模块输出。锁存器模块(306)具有锁存器模块输入和锁存器模块输出。该锁存器模块输入包括用于接收时钟的锁存器模块时钟输入以及用于接收使能模块输出的锁存器模块使能输入。该锁存器模块使能输入被耦合到使能模块输出。锁存器模块(306)被配置成基于使能模块输入经由锁存器模块输出来启用和禁用时钟(clk_in)。锁存器模块(306)包括内部使能节点，该内部使能节点为锁存器模块输出。该锁存器模块被配置成根据使能模块输出、内部使能节点和时钟来使该内部使能节点从低转变到高。
具有面积功率设立时间时钟门控单元

[发明专利]高性能标准单元-CN201580011681.4有效
发明人： X·陈;O·翁;F·万;A·达塔;S·H·拉苏里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-02-19 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了一种晶体管单元，其包括定义在基板中的连续氧化物限定(OD)区；在第一虚设栅极(425)与第二虚设栅极(430)之间的晶体管的栅极(450)，其中该晶体管的源极被定义在该OD区的处在该栅极与第一虚设栅极之间的第一部分中，并且其中该晶体管的漏极被定义在该OD区的处在该栅极与第二虚设栅极的第一侧之间的第二部分中；第一栅极定向本地互连(470)和第一扩散定向本地互连(440)将该OD区的毗邻于第二虚设栅极的第二对向侧的第三部分以及第二虚设栅极耦合至源电压。
性能标准单元

[发明专利]高性能标准单元-CN202010227403.5在审
发明人： X·陈;O·翁;F·万;A·达塔;S·H·拉苏里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-02-19 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种高性能标准晶体管单元，其包括定义在基板中的连续氧化物限定(OD)区；在第一虚设栅极(425)与第二虚设栅极(430)之间的晶体管的栅极(450)，其中该晶体管的源极被定义在该OD区的处在该栅极与第一虚设栅极之间的第一部分中，并且其中该晶体管的漏极被定义在该OD区的处在该栅极与第二虚设栅极的第一侧之间的第二部分中；第一栅极定向本地互连(470)和第一扩散定向本地互连(440)将该OD区的毗邻于第二虚设栅极的第二对向侧的第三部分以及第二虚设栅极耦合至源电压。
性能标准单元

[发明专利]用于解决电迁移的布局构造-CN201480046232.9有效
发明人： S·H·拉苏里;A·达塔;O·翁 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一互连层面上的第一互连将CMOS器件的第一PMOS漏极子集连接在一起。该互连层面上的第二互连将第二PMOS漏极子集连接在一起。第二PMOS漏极子集不同于第一PMOS漏极子集。第一互连和第二互连在该互连层面上断开。该互连层面上的第三互连将CMOS器件的第一NMOS漏极子集连接在一起。该互连层面上的第四互连将第二NMOS漏极子集连接在一起。第二NMOS漏极子集不同于第一NMOS漏极子集。第三互连和第四互连在该互连层面上断开。第一、第二、第三和第四互连通过至少一个其它互连层面耦合在一起。
用于解决迁移布局构造

[发明专利]用于解决电迁移的布局构造-CN201480046244.1有效
发明人： S·H·拉苏里;M·J·布鲁诺利;C·S-A·霍-里格;M·马拉布里;S·K·哈里什;P·巴拉苏布拉马尼恩;K·麦迪赛蒂;N·伯什泰恩;A·达塔;O·翁 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：具有各自具有PMOS漏极的多个PMOS晶体管以及各自具有NMOS漏极的多个NMOS晶体管的CMOS器件包括一互连级上的在长度方向上延伸以将PMOS漏极连接在一起的第一互连。该互连级上的第二互连在长度方向上延伸以将NMOS漏极连接在一起。至少一个附加互连级上的一互连集合将第一互连和第二互连耦合在一起。该互连级上的第三互连垂直于长度方向延伸并且偏离该互连集合以将第一互连和第二互连连接在一起。
用于解决迁移布局构造

[发明专利]具有降低的保留电压的触发器-CN201480020737.8有效
发明人： S·H·拉苏里;A·达塔;J·M·沙阿;M·圣-劳伦特;P·K·帕卡;S·巴帕特;R·维兰谷蒂皮查;M·H·阿布-拉玛;P·B·帕特尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：一种电路(100)包括响应于时钟信号(103)以及控制信号(104)的逻辑门(133)。该电路还包括触发器的主控级(101)。该电路进一步包括该触发器的响应于该主控级的从动级(102)。该电路进一步包括响应于该逻辑门并且配置成输出该时钟信号的经延迟版本的反相器(109)。该逻辑门的输出和该时钟信号的经延迟版本被提供给该触发器的主控级(101)和从动级(102)。该主控级响应于该控制信号来控制(122输出)该从动级。
具有降低保留电压触发器

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