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[发明专利]先进半导体工艺优化和制造期间的自适应控制-CN202310347326.0在审
发明人： S·巴纳;D·坎特维尔;W·比沙拉;L·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06N20/00 文献下载
摘要：构建了一种空间模型以预测处理腔室的性能。所述空间模型用于在工艺开发阶段期间更快地收敛至期望的工艺。一种用于在制造期间控制器件性能变化性的系统包括工艺平台、板上计量(OBM)工具、以及基于机器学习的工艺控制模型。所述系统接收SEM计量数据，并使用机器学习技术来定期地(例如晶片到晶片、批次到批次、腔室到腔室等等)更新工艺控制模型。对工艺控制模型的定期更新可考虑到腔室到腔室变化性。
先进半导体工艺优化制造期间自适应控制

[发明专利]先进半导体工艺优化和制造期间的自适应控制-CN201980066062.3有效
发明人： S·巴纳;D·坎特维尔;W·比沙拉;L·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G05B13/04 文献下载
摘要：构建了一种空间模型以预测处理腔室的性能。所述空间模型用于在工艺开发阶段期间更快地收敛至期望的工艺。一种用于在制造期间控制器件性能变化性的系统包括工艺平台、板上计量(OBM)工具、以及基于机器学习的工艺控制模型。所述系统接收SEM计量数据，并使用机器学习技术来定期地(例如晶片到晶片、批次到批次、腔室到腔室等等)更新工艺控制模型。对工艺控制模型的定期更新可考虑到腔室到腔室变化性。
先进半导体工艺优化制造期间自适应控制

[发明专利]发光二极管（LED）器件的扇出结构及照明系统-CN202080093666.X在审
发明人： T·Y·轩;A·维亚纳坦;S·巴纳;R·J·邦内 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：描述了系统。一种系统包括具有顶表面、底表面和侧表面的硅背板和围绕硅背板的侧表面的衬底。所述衬底具有顶表面、底表面和侧表面。至少一个接合焊盘设置在衬底的底表面上。金属层设置在衬底的底表面和硅背板的底表面上并且具有第一部分和第二部分，所述第一部分在中心区域中电耦合和热耦合到硅背板的底表面，所述第二部分在硅背板的周边区域和所述至少一个接合焊盘之间延伸。金属连接器阵列设置在硅背板的顶表面上。
发光二极管 led 器件结构照明系统

[发明专利]具有闪烁抑制和高动态范围的成像系统-CN201610594903.6有效
发明人： S·巴纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本公开涉及具有闪烁抑制和高动态范围的成像系统。本发明公开了一种图像像素，所述图像像素可包括快门元件，所述快门元件可工作于对应光电二极管累积电荷的打开状态和电荷从所述光电二极管排出的闭合状态。在图像帧的第一部分期间，所述图像像素可工作于闪烁抑制模式中，其中使用了非连续的曝光周期。在所述图像帧的第二部分期间，所述图像像素可工作于高动态范围模式中，其中用变化长度的曝光获得图像。为了节约存储器需求，可直到所述高动态范围模式的第一曝光结束时才对来自所述闪烁抑制模式的所述信号进行采样。
具有闪烁抑制动态范围成像系统

[发明专利]电感耦合式等离子体(ICP)反应器中的功率沉积控制-CN201710754995.4有效
发明人： S·巴纳;T-J·龚;V·克尼亚齐克;K·坦蒂翁;D·A·马洛尔;V·N·托多罗;S·袁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：工艺腔室，具有处理容积，该处理容积设置在该工艺腔室的盖的下方；以及一个或多个电感线圈，这些电感线圈设置在盖上方以将RF能量感性地耦合至设置在处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中，并在该处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中形成等离子体；其中，该盖是电介质窗，该电介质窗包括第一侧与相对的第二侧，该第二侧面向处理容积；并且其中，该盖具有在空间上变化的介电系数，以将对RF能量的变化的功率耦合从一个或多个电感线圈提供至处理容积。
电感耦合等离子体 icp 反应器中的功率沉积控制

[发明专利]具有增强射频及温度均匀性的静电夹盘-CN201610056402.2有效
发明人： D·卢博米尔斯基;J·Y·孙;M·马尔科夫斯基;K·马赫拉切夫;D·A·小布齐伯格;S·巴纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H02N13/00 文献下载
摘要：描述具有射频(RF)及温度均匀性的静电夹盘(ESC)。例如，ESC包括顶部介电层。上金属部设置于该顶部介电层之下。第二介电层设置于多个像素化的电阻式加热器之上，且所述第二介电层部分地由该上金属部所围绕。第三介电层设置于该第二介电层之下，在该第三介电层与该第二介电层之间具有边界。多个通孔设置于该第三介电层中。总线条功率分配层设置于该等多个通孔之下并且耦接于该等多个通孔。第四介电层设置于该总线条功率分配层之下，在该第四介电层与该第三介电层之间具有边界。金属底座设置于该第四介电层之下。该金属底座包括多个高功率加热器组件容纳在该金属底座中。
具有增强射频温度均匀静电

[发明专利]用于等离子体腔室中的快速且可重复的等离子体点燃和调谐的方法-CN201480028235.X有效
发明人： W·比沙拉;S·巴纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本公开的诸实施例包括用于使用经由匹配网络耦合至工艺腔室的RF电源在该工艺腔室中进行等离子体处理的方法与设备。在一些实施例中，该方法包括：当匹配网络处于保持模式时，由RF电源以第一频率将RF功率提供给工艺腔室；在第一时期期间，使用RF电源将第一频率调整为第二频率以点燃等离子体；在第二时期期间，使用RF电源将第二频率调整为已知的第三频率，同时维持等离子体；以及将匹配网络的操作模式改变为自动调谐模式以减小由RF电源提供的RF功率的反射功率。
用于等离子体腔中的快速重复等离子体点燃调谐方法

[发明专利]具有高度对称四重式气体注入的等离子体反应器-CN201710469815.8有效
发明人： Y·罗森佐恩;K·坦蒂翁;I·优素福;V·克尼亚齐克;S·巴纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-03 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：一种等离子体反应器的环形盖板具有上层及下层气体分配通道，该等气体分配通道沿着相等长度路径从气体供应接线分配气体至顶部气体喷嘴的各自的气体分配通道。
具有高度对称四重式气体注入等离子体反应器

[发明专利]具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件-CN201710705541.8有效
发明人： Y·罗森佐恩;K·坦蒂翁;I·优素福;V·克尼亚齐克;B·基廷;S·巴纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-03 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
具有方位角径向分布控制区域气体注入组件

[发明专利]用于促动器的紧急操作的装置-CN201410858080.4有效
发明人： S·巴纳;E·伯奇;R·鲍尔 -专利权人：安萨尔多能源英国知识产权有限公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： F04D29/56 文献下载
摘要：一种用于气动或液压促动器的紧急操作的装置，其具有用于促动器的正常操作的操作循环，该操作循环包括：至少一个比例阀，其用于切换到所述促动器和相关发动机部件的不同的操作状态，比例阀被布置在加压液体/气体的供给管线和连接到罐体的排出管线中；以及控制设备，其用于操作控制和监控功能，其中，紧急循环被连到所述促动器的所述操作循环上，所述紧急循环设有：至少一个电磁阀，其用于在检测到故障的情形下开始紧急操作脉冲；多个气动/液压操作式切换阀，其通过来自所述电磁阀的紧急信号的所述脉冲启动；并且其中，在紧急情形下紧急循环适于绕过所述比例阀并且适于将所述促动器阻挡在它的实际位置上或者促使所述促动器处于预定的安全位置上。
促动器操作循环比例阀电磁阀发动机部件液压促动器安全位置操作状态供给管线加压液体监控功能紧急情形紧急信号控制设备脉冲启动排出管线实际位置液压操作切换阀脉冲罐体绕过阻挡检测

[发明专利]具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件-CN201610852971.8有效
发明人： Y·罗森佐恩;K·坦蒂翁;I·优素福;V·克尼亚齐克;B·基廷;S·巴纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-03 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
具有方位角径向分布控制区域气体注入组件

[发明专利]电感耦合式等离子体（ICP）反应器中的功率沉积控制-CN201480040981.0有效
发明人： S·巴纳;T-J·龚;V·克尼亚齐克;K·坦蒂翁;D·A·马洛尔;V·N·托多罗;S·袁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：工艺腔室，具有处理容积，该处理容积设置在该工艺腔室的盖的下方；以及一个或多个电感线圈，这些电感线圈设置在盖上方以将RF能量感性地耦合至设置在处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中，并在该处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中形成等离子体；其中，该盖是电介质窗，该电介质窗包括第一侧与相对的第二侧，该第二侧面向处理容积；并且其中，该盖具有在空间上变化的介电系数，以将对RF能量的变化的功率耦合从一个或多个电感线圈提供至处理容积。
电感耦合等离子体 icp 反应器中的功率沉积控制

[发明专利]具有腔室壁温度控制的等离子体反应器-CN201280051755.3有效
发明人： I·优素福;M·J·萨里纳斯;S·巴纳;A·恩盖耶;V·托多罗;D·卢博米尔斯基;A·阿加瓦尔;K·贝拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：于此提供一种用于处理基板的设备。于一些实施例中，设备包含第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，该内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，其中第二导电环的至少一部分和第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及加热器，经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。
具有腔室壁温度控制等离子体反应器

[发明专利]静电夹盘-CN201280051925.8有效
发明人： S·巴纳;V·托多罗;D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：在此提供静电夹盘的实施例。在一些实施例中，一种用于支撑与保持具有给定宽度的基板的静电夹盘可包括介电构件，具有支撑表面，该支撑表面被配置成支撑具有给定宽度的基板；电极，设置在该介电构件内位于该支撑表面下方，并且从该介电构件的中心向外延伸至超过该基板的外周边的区域，该外周边由该基板的该给定宽度所界定；RF电源，耦接该电极；以及DC电源，耦接该电极。
静电

[发明专利]具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件-CN201480003019.X有效
发明人： Y·罗森佐恩;K·坦蒂翁;I·优素福;V·克尼亚齐克;B·基廷;S·巴纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-03 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
具有方位角径向分布控制区域气体注入组件

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