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[发明专利]电感耦合式等离子体(ICP)反应器中的功率沉积控制-CN201710754995.4有效
发明人： S·巴纳;T-J·龚;V·克尼亚齐克;K·坦蒂翁;D·A·马洛尔;V·N·托多罗;S·袁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：工艺腔室，具有处理容积，该处理容积设置在该工艺腔室的盖的下方；以及一个或多个电感线圈，这些电感线圈设置在盖上方以将RF能量感性地耦合至设置在处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中，并在该处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中形成等离子体；其中，该盖是电介质窗，该电介质窗包括第一侧与相对的第二侧，该第二侧面向处理容积；并且其中，该盖具有在空间上变化的介电系数，以将对RF能量的变化的功率耦合从一个或多个电感线圈提供至处理容积。
电感耦合等离子体 icp 反应器中的功率沉积控制

[发明专利]具有高度对称四重式气体注入的等离子体反应器-CN201710469815.8有效
发明人： Y·罗森佐恩;K·坦蒂翁;I·优素福;V·克尼亚齐克;S·巴纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-03 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：一种等离子体反应器的环形盖板具有上层及下层气体分配通道，该等气体分配通道沿着相等长度路径从气体供应接线分配气体至顶部气体喷嘴的各自的气体分配通道。
具有高度对称四重式气体注入等离子体反应器

[发明专利]具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件-CN201710705541.8有效
发明人： Y·罗森佐恩;K·坦蒂翁;I·优素福;V·克尼亚齐克;B·基廷;S·巴纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-03 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
具有方位角径向分布控制区域气体注入组件

[发明专利]具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件-CN201610852971.8有效
发明人： Y·罗森佐恩;K·坦蒂翁;I·优素福;V·克尼亚齐克;B·基廷;S·巴纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-03 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
具有方位角径向分布控制区域气体注入组件

[发明专利]电感耦合式等离子体（ICP）反应器中的功率沉积控制-CN201480040981.0有效
发明人： S·巴纳;T-J·龚;V·克尼亚齐克;K·坦蒂翁;D·A·马洛尔;V·N·托多罗;S·袁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：工艺腔室，具有处理容积，该处理容积设置在该工艺腔室的盖的下方；以及一个或多个电感线圈，这些电感线圈设置在盖上方以将RF能量感性地耦合至设置在处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中，并在该处理容积内的基板支撑件上方的处理容积中形成等离子体；其中，该盖是电介质窗，该电介质窗包括第一侧与相对的第二侧，该第二侧面向处理容积；并且其中，该盖具有在空间上变化的介电系数，以将对RF能量的变化的功率耦合从一个或多个电感线圈提供至处理容积。
电感耦合等离子体 icp 反应器中的功率沉积控制

[发明专利]具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件-CN201480003019.X有效
发明人： Y·罗森佐恩;K·坦蒂翁;I·优素福;V·克尼亚齐克;B·基廷;S·巴纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-03 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
具有方位角径向分布控制区域气体注入组件

[发明专利]具有高度对称四重式气体注入的等离子体反应器-CN201480003017.0有效
发明人： Y·罗森佐恩;K·坦蒂翁;I·优素福;V·克尼亚齐克;S·巴纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-03 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：一种等离子体反应器的环形盖板具有上层及下层气体分配通道，该等气体分配通道沿着相等长度路径从气体供应接线分配气体至顶部气体喷嘴的各自的气体分配通道。
具有高度对称四重式气体注入等离子体反应器

[发明专利]具有相位控制的高效能三线圈感应耦合等离子体源-CN201280053078.9无效
发明人： S·巴纳;W·比沙拉;R·贾尔;V·托多罗;D·卢博米尔斯基;K·坦蒂翁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种等离子体处理设备可包括：处理腔室；第一RF线圈、第二RF线圈及第三RF线圈；至少一个铁氧体遮罩(ferrite shield)。该处理腔室具有内部处理容积；该第一RF线圈、该第二RF线圈及该第三RF线圈接近处理腔室设置以将RF能量耦合至处理容积中，其中第二RF线圈相对于第一RF线圈同轴地设置，且其中第三RF线圈相对于第一RF线圈及第二RF线圈同轴地设置；该至少一个铁氧体遮罩接近第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈中的至少一个设置，其中铁氧体遮罩经配置以局部导引通过RF电流产生的磁场，该RF电流经由第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈流向处理腔室，其中等离子体处理设备经配置以控制流经第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈中的每一个的每一RF电流的相位。
具有相位控制高效能线圈感应耦合等离子体

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