专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种新型晶片处理方法-CN200680030175.0有效
  • R·A·达维斯 - 霍尼韦尔国际公司
  • 2006-08-18 - 2008-08-13 - H01L23/485
  • 在接近和高于385℃的温度时,金可以扩散进入硅中以及扩散进入一些接触材料中。然而金是一种优良的材料,因为其耐腐蚀、有电传导性以及高可靠性。使用粘附层以及从接触的周围和上面的接触区域移除金,允许微型机电系统器件或半导体经历高于385℃的温度而不冒金扩散的风险。消除金扩散的风险以允许进一步升高的温度处理。将器件衬底键合到载体衬底可以是一升高的温度的工艺。
  • 一种新型晶片处理方法

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