专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]使用不均匀变化的磁场的多位置检测-CN202110213418.0有效
  • R·海因茨 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2021-02-25 - 2023-10-03 - G01B7/00
  • 本公开的各实施例涉及使用不均匀变化的磁场的多位置检测。一种磁传感器设备,包括三维(3D)磁传感器和产生磁场的磁体。3D磁传感器被布置在磁场内并且被配置成测量磁场的三个不同的磁场分量,并且响应于所测量的三个不同的磁场分量而生成传感器信号。在没有任何空间力被施加的情况下,磁体被布置在默认空间位置中,其中磁体被配置成基于所施加的旋转力而围绕旋转轴线旋转。在磁体围绕旋转轴线旋转时,磁场相对于三个磁场分量中的至少一个磁场分量不均匀地变化。
  • 使用不均匀变化磁场位置检测
  • [发明专利]芯片中的冗余霍尔角测量-CN202010750214.6有效
  • S·莱森海默;R·海因茨 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2020-07-30 - 2023-10-03 - G01D5/14
  • 本公开的实施例涉及芯片中的冗余霍尔角测量。一种磁角度传感器包括半导体芯片,该磁角度传感器包括:被配置为响应于撞击在其上的磁场而生成垂直霍尔传感器信号的一对垂直霍尔传感器元件;被配置为响应于撞击在其上的磁场而生成第一横向霍尔传感器信号的第一对横向霍尔传感器元件;被配置为响应于撞击在其上的磁场而生成第二横向霍尔传感器信号的第二对横向霍尔传感器元件;以及传感器电路,该传感器电路被配置为:基于垂直霍尔传感器信号来确定与磁场的取向相对应的第一角度值,基于第一横向霍尔传感器信号和第二横向霍尔传感器信号来确定与磁场的取向相对应的第二角度值,并且确定第一角度值和第二角度值是否在彼此的可接受的公差范围内。
  • 芯片中的冗余霍尔测量

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