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[发明专利]沉积氮化硅的方法-CN201980089876.9有效
发明人： L·C·卡鲁塔拉格;M·J·萨利;P·P·杰哈;梁璟梅 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本文描述及论述的实施例提供了通过气相沉积，如通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积氮化硅材料的方法，及利用新的硅氮前驱物进行此种沉积工艺的方法。氮化硅材料沉积在基板上以用于间隙填充应用，如填充基板表面中形成的沟槽。在一个或更多个实施例中，用于沉积氮化硅膜的方法包括将一种或更多种硅氮前驱物及一种或更多种等离子体活化的共反应物引入处理腔室；在处理腔室内产生等离子体；以及使硅氮前驱物及等离子体活化的共反应物在等离子体中反应，以在处理腔室内的基板上产生可流动的氮化硅材料。该方法还包括处理可流动氮化硅材料以在基板上产生固态氮化硅材料。
沉积氮化方法

[发明专利]依赖于CD的间隙填充和保形膜-CN202280011650.9在审
发明人： J·C·李;P·P·杰哈;梁璟梅;郭津睿;李文慧 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种沉积含硅材料的方法。本公开的一些实施例提供填充窄CD特征而没有接缝或空隙的膜。本公开的一些实施例提供在具有更宽CD的特征上保形地形成的膜。本公开的实施例还提供具有低粗糙度、低缺陷和有利地低沉积速率的优质膜。
依赖于 cd 间隙填充保形膜

[发明专利]用于高质量间隙填充方案的循环可流动沉积和高密度等离子体处理处理-CN201880031479.1有效
发明人：梁璟梅;Y·孙;郭津睿;P·P·杰哈;J·C·李;T-J·龚;M·斯利尼瓦萨恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文公开的实施方式关于在基板中形成沟槽和以可流动介电材料填充沟槽的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：使具有至少一个沟槽的基板经历沉积处理，以自下而上的方式在所述沟槽的底表面和侧壁表面上形成可流动层，直到所述可流动层达到预定的沉积厚度为止；使所述可流动层经历第一固化处理，所述第一固化处理是UV固化处理；使经UV固化的可流动层经历第二固化处理，所述第二固化处理是等离子体处理或等离子体辅助处理；以及依序地且重复地执行所述沉积处理、所述第一固化处理和所述第二固化处理，直到经等离子体固化的可流动层填充沟槽并在所述沟槽的顶表面上达到预定高度为止。
用于质量间隙填充方案循环流动沉积高密度等离子体处理

[发明专利]用于间隔件和硬掩模应用的硼烷介导的从硅烷和烷基硅烷物质脱氢的工艺-CN201780052875.8有效
发明人：程睿;段子青;M·嘉德瑞;P·P·杰哈;A·B·玛里克;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文描述的实施方式总体涉及集成电路的制造，具体地涉及在半导体基板上沉积硼掺杂的非晶硅层。在一个实施方式中，提供一种在基板上形成硼掺杂的非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上沉积预定厚度的牺牲电介质层；通过去除所述牺牲电介质层的部分以暴露所述基板的上表面而在所述基板上形成图案化特征；在所述图案化特征和所述基板的暴露上表面上保形地沉积预定厚度的硼掺杂的非晶硅层；以及使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述基板的所述上表面选择性地去除所述硼掺杂的非晶硅层，以提供填充在由所述硼掺杂的非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。
用于间隔硬掩模应用硼烷介导硅烷烷基物质脱氢工艺

[发明专利]用于实现高温处理而没有腔室漂移的方法-CN201780082344.3有效
发明人： M·W·蒋;P·P·杰哈;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开内容的实现方式提供用于在处理腔室中处理基板的方法。在一个实现方式中，所述方法包括：(a)在第一腔室压力下使用第一高频RF功率在第一基板上沉积介电层；(b)在第二腔室压力下在所述第一基板之后的N个基板上顺序地沉积介电层，其中N是5至10的整数，并且其中沉积N个基板中的每个基板包括使用第二高频RF功率，所述第二高频RF功率具有比所述第一高频RF功率的功率密度低约0.21W/cm2至约0.35W/cm2的功率密度；(c)在不存在基板的情况下执行腔室清洁工艺；以及(d)重复(a)至(c)。
用于实现高温处理没有漂移方法

[发明专利]低温无蒸汽氧化物间隙填充-CN202180018371.0在审
发明人： J·C·李;P·P·杰哈;梁璟梅;S·S·奥哈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了在具有小尺寸的高深宽比(AR)结构中沉积膜的方法。所述方法提供可流动的沉积以用于无缝间隙填充、UV硬化以用于增加膜密度、在低温下将膜转化为氧化硅、和通过低温感应耦合等离子体(ICP)处理(400℃)进行膜致密化。
低温蒸汽氧化物间隙填充

[发明专利]VNAND拉伸厚TEOS氧化物-CN201680047305.5有效
发明人： M·W·蒋;P·P·杰哈;韩新海;金柏涵;金相赫;朱明勋;朴亨珍;金伦宽;孙镇哲;S·格纳纳威路;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;M·K·莎莱扎;J·K·福斯特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。
vnand 拉伸 teos 氧化物

[发明专利]三维NAND栅极堆叠强化-CN202080084805.2在审
发明人： P·P·杰哈;S·S·奥哈;梁璟梅;A·B·玛里克;S·文卡特拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：形成半导体结构的示例性方法可包括形成覆盖半导体基板的第一氧化硅层。此方法可包括形成覆盖第一氧化硅层的第一硅层。此方法可包括形成覆盖第一硅层的氮化硅层。此方法可包括形成覆盖氮化硅层的第二硅层。此方法可包括形成覆盖第二硅层的第二氧化硅层。此方法可包括移除氮化硅层。此方法可包括移除第一硅层和第二硅层。此方法可包括形成在第一氧化硅层和第二氧化硅层中的每一者之间并接触第一氧化硅层和第二氧化硅层中的每一者的金属层。
三维 nand 栅极堆叠强化

[发明专利]可流动CVD膜的表面粗糙度-CN202080052952.1在审
发明人：郭津睿;梁璟梅;P·P·杰哈;L·张 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：用于在沉积可流动CVD膜之前在基板表面上进行表面处理来形成平滑的超薄可流动CVD膜的方法可改进均匀性和整体的膜平滑度。可透过任何合适的固化工艺来固化可流动CVD膜，以形成平滑的可流动CVD膜。
流动 cvd 表面粗糙

[发明专利]利用微波辐射后处理介电膜的方法-CN202080044321.5在审
发明人：孙顒;P·P·杰哈;梁璟梅;M·J·西蒙斯;D·李;S·沙尔玛;A·J·马耀;W·R·阿德霍尔德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本案提供一种对在基板的表面上形成的介电膜进行后处理的方法，方法包括将其上形成有介电膜的基板定位在处理腔室中，并且将介电膜暴露于处理腔室中在5GHz至7GHz之间的频率下的微波辐射。
利用微波辐射处理介电膜方法

[发明专利]以高能量低剂量等离子体后处理氮化硅基的介电膜的方法-CN202080041799.2在审
发明人：孙顒;J·C·李;P·P·杰哈;梁璟梅;S·S·奥哈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种对在基板的表面上形成的氮化硅(SiN)基的介电膜进行后处理的方法，包括：将具有形成在其上的氮化硅(SiN)基的介电膜的基板定位在处理腔室中；以及使氮化硅(SiN)基的介电膜在处理腔室中暴露于含氦高能量低剂量等离子体。含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的能量在1eV与3.01eV之间，且含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的通量密度在5×1015个离子/cm2·秒与1.37×1016个离子/cm2·秒之间。
高能量剂量等离子体处理氮化介电膜方法

[发明专利]多晶硅衬垫-CN202080015255.9在审
发明人： K·尼塔拉;程睿;K·嘉纳基拉曼;P·P·杰哈;郭津睿;梁璟梅 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开案的方面提供一种方法，包括在基板上沉积包含氧化硅的下层，在下层上沉积多晶硅衬垫，以及在多晶硅衬垫上沉积非晶硅层。本公开案的方面提供一种装置中间物，包括基板、包含形成于基板上的氧化硅的下层、布置于下层上的多晶硅衬垫、以及布置于多晶硅衬垫上的非晶硅层。
多晶衬垫

[发明专利]用于氮化硅薄膜的处理方法-CN201980010113.0在审
发明人：郭津睿;梁璟梅;P·P·杰哈;T·阿肖克;T-J·龚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文的实施例提供使用可流动化学气相沉积(FCVD)工艺沉积的氮化硅层的基于自由基的处理。该FCVD沉积的氮化硅层的基于自由基的处理期望地增加层中稳定的Si‑N键的数目，从该层移除不期望的氢杂质，且期望地提供所得的氮化硅层中的进一步交联、致密化、及氮化(氮的并入)。在一个实施例中，形成氮化硅层的方法包括：将基板定位在基板支撑件上，该基板支撑件设置在处理腔室的处理容积中；以及处理沉积在该基板上的氮化硅层。处理该氮化硅层包括：使第一气体的一种或多种自由基物质流动，该第一气体包括NH3、N2、H2、Ar、He、或前述气体的组合；以及将氮化硅层暴露于该自由基物质。
用于氮化薄膜处理方法

[发明专利]等离子体CVD膜中覆盖物的气体流动轮廓调节控制-CN201580053158.8有效
发明人： P·K·库尔施拉希萨;S·拉斯;P·P·杰哈;S·巴苏;K·D·李;M·J·西蒙斯;金柏涵;G·巴拉苏布拉马尼恩;Z·段;荆雷;M·B·潘迪特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。
等离子体 cvd 覆盖气体流动轮廓调节控制

[发明专利]用于保形密封电介质封闭而无对底层结构材料的直接RF暴露的SiBN膜-CN201780079463.3在审
发明人： M·嘉德瑞;S·慕克吉;P·P·杰哈;D·帕德希;段子青;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文中公开的实施方式涉及用于形成存储器器件的方法，且更具体地涉及用于在存储器器件中在存储器材料之上形成电介质封闭层的改进的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在比存储器材料的热预算的温度要低的温度下在存储器材料之上热沉积第一材料；将所述第一材料暴露于氮等离子体以将氮掺入在所述第一材料中；和重复所述热沉积和氮等离子体操作以在所述存储器材料之上形成密封的保形电介质封闭层。因此，形成在所述存储器材料之上的具有密封的保形电介质封闭层的存储器器件。
存储器材料存储器器件第一材料封闭层保形电介质氮等离子体热沉积密封电介质密封电介质底层结构热预算暴露保形掺入封闭重复改进

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