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[发明专利]具有磷和砷共掺杂剂的源极或漏极结构-CN202010126284.4在审
发明人： A·默西;R·基奇;N·G·米努蒂洛;S·维什瓦纳特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有带有磷和砷共掺杂剂的源极或漏极结构的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括具有下部鳍状物部分和上部鳍状物部分的鳍状物。栅极堆叠体在鳍状物的上部鳍状物部分之上，该栅极堆叠体具有与第二侧相对的第一侧。第一源极或漏极结构包括在栅极堆叠体的第一侧嵌入在鳍状物中的外延结构。第二源极或漏极结构包括在栅极堆叠体的第二侧嵌入在鳍状物中的外延结构。第一和第二源极或漏极结构包括硅、磷和砷，其中磷的原子浓度与砷的原子浓度基本上相同。
具有掺杂结构

[发明专利]具有电介质材料之上的高密度沟道半导体的晶体管-CN201780095283.4在审
发明人： G·杜威;S·T·马;T·加尼;W·拉赫马迪;C-Y·黄;A·S·默西;H·W·肯内尔;N·G·米努蒂洛;M·V·梅茨 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在电介质材料之上具有多个沟道半导体结构(诸如鳍)的晶体管。源极和漏极耦合到结构的相对端，并且栅极堆叠体在源极和漏极之间与多个结构相交。可以采用横向外延过生长(LEO)，以从在沟槽内且从电介质材料延伸的鳍模板结构的侧壁形成期望周期的超晶格。在LEO之后，可以用周围的电介质材料使超晶格结构平面化，以暴露超晶格层的顶部。然后选择性地蚀刻掉超晶格层中的交替层，然后使超晶格的保留层彼此横向分开一定距离，该距离是超晶格周期的函数。可以在所保留的用于晶体管的沟道的超晶格层之上形成栅极电介质和栅极电极。
具有电介质材料之上高密度沟道半导体晶体管

[发明专利]具有非对称源极结构和漏极结构的III-V族半导体器件-CN201780094423.6在审
发明人： S·T·马;G·杜威;W·拉赫马迪;H·W·肯内尔;C-Y·黄;M·V·梅茨;N·G·米努蒂洛;J·T·卡瓦列罗斯;A·S·默西 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：描述了具有非对称源极结构和漏极结构的III‑V族半导体器件及其制作方法。在示例中，一种集成电路结构包括处于衬底上的砷化镓层。沟道结构处于砷化镓层上。该沟道结构包括铟、镓和砷。源极结构处于沟道结构的第一端并且漏极结构处于沟道结构的第二端。漏极结构具有比源极结构宽的带隙。栅极结构处于沟道结构之上。
具有对称结构 iii 半导体器件