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[发明专利]具有补偿区的碳化硅器件及其制造方法-CN202010466379.0在审
发明人： H-J.舒尔策;R.埃斯特韦;M.耶利内克;C.莱恩德茨;W.舒斯特雷德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：公开了具有补偿区的碳化硅器件及其制造方法。提供了一种碳化硅衬底(700)，其包括第一导电类型的漂移层(730)和从碳化硅衬底(700)的主表面(701)延伸到漂移层(730)中的沟槽(770)。将第一掺杂剂注入通过沟槽(770)的第一沟槽侧壁(771)。第一掺杂剂具有第二导电类型，并且被以第一注入角度注入到碳化硅衬底(700)中，其中在第一注入角度下发生沟道效应。第一掺杂剂形成平行于第一沟槽侧壁(771)延伸的第一补偿层(181)。
具有补偿碳化硅器件及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件-CN201911282734.2在审
发明人： R.巴布尔斯克;M.耶利内克;F-J.尼德诺斯泰德;F.D.普菲尔施;C.P.桑多;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：功率半导体器件包括有前侧和背侧的半导体本体，其包括第一导电类型的漂移区；第一导电类型的场停止区，布置在漂移区和背侧间且有比漂移区更高掺杂剂浓度的掺杂剂，通过经由背侧的质子注入创建；和第一导电类型的发射极调整区，布置在场停止区和背侧间且有比场停止区更高掺杂剂浓度的掺杂剂。场停止区包括呈现第一局部最大值和第一局部最小值的掺杂剂浓度分布，第一局部最小值布置在第一局部最大值和场停止区的掺杂剂浓度分布的另一局部最大值间和/或第一局部最大值和发射极调整区的掺杂剂浓度分布的最大值间，第一局部最大值处的掺杂剂浓度高到第一局部最小值处的掺杂剂浓度的至多三倍，半导体本体是或包括有至少1E17 cm‑3的间隙氧浓度的半导体衬底。
功率半导体器件

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201911154955.1在审
发明人： H-J.舒尔策;M.耶利内克;A.毛德;T.韦本 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本公开内容涉及一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括通过半导体本体（102）的第一表面（104）将至少一种第一掺杂剂引入到所述半导体本体（102）中。然后，实施一次或多次质子注入。该方法还包括利用基于等离子体的离子注入方法通过与第一表面（104）相对的第二表面（106）将第二掺杂剂引入到所述半导体本体（102）中，其中所述基于等离子体的离子注入方法利用所述第二掺杂剂和氢构成的复合物作为工艺气体来实施。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]功率半导体晶体管-CN201910903394.4在审
发明人： H-P.费尔斯尔;M.耶利内克;V.科马尼茨基;K.施拉姆尔;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种功率半导体晶体管（1）包括具有前侧（10‑1）和背侧（10‑2）的半导体主体（10），所述背侧（10‑2）具有背侧表面（10‑20），其中半导体主体（10）包括第一导电类型的漂移区（100）以及第一导电类型的场停止区（105），场停止区（105）被布置在漂移区（100）与背侧（10‑2）之间，并且在沿着从背侧（10‑2）指向前侧（10‑1）的竖直方向（Z）的横截面中包括第一导电类型的供体的浓度剖面，所述浓度剖面展现：在自背侧表面（10‑20）的第一距离（d1）处的第一局部最大值（1051）、与第一局部最大值相关联的半最大值处前部宽度（B）、以及与第一局部最大值（1051）相关联的半最大值处背部宽度（A），其中半最大值处前部宽度（B）小于半最大值处背部宽度（A），并且总计为第一距离（d1）的至少8%。
功率半导体晶体管

[发明专利]用于形成半导体器件的方法和半导体器件-CN201510776583.1有效
发明人： M.耶利内克;J.G.拉文;H.厄夫纳;H-J.舒尔策;W.舒斯特雷德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及用于形成半导体器件的方法和半导体器件。一种用于形成半导体器件的方法，包括：将定义剂量的质子注入到半导体衬底中，并且根据定义的温度轮廓对半导体衬底回火。取决于指示关于半导体衬底的至少一部分内的碳浓度的信息的碳相关参数，选择质子的定义剂量和定义的温度轮廓中的至少一个。
用于形成半导体器件方法

[发明专利]包括生成和退火辐射引起晶体缺陷的制造半导体器件方法-CN201510120441.X有效
发明人： M.耶利内克;J.G.拉文;H-J.舒尔策;W.舒施特雷德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及包括生成和退火辐射引起晶体缺陷的制造半导体器件方法。在半导体衬底中诱导生成辅助晶体缺陷。然后在高于分解温度的温度下对半导体衬底预退火，在所述分解温度下辅助晶体缺陷转变成缺陷复合体，其可以是电惰性的。然后质子可以被注入半导体衬底中以诱导生成辐射引起的主要晶体缺陷。缺陷复合体可以增强基于辐射引起的主要晶体缺陷形成与粒子相关的掺杂剂的效率。
包括生成退火辐射引起晶体缺陷制造半导体器件方法

[发明专利]离子注入装置以及制造半导体器件的方法-CN201810896712.4在审
发明人： M.耶利内克;H-J.舒尔策;W.舒施特雷德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了离子注入装置以及制造半导体器件的方法。一种注入装置，其包括扫描组装件，所述扫描组装件实现在离子射束和半导体衬底之间、沿着第一扫描方向以及沿着与所述第一扫描方向正交的第二扫描方向的相对移动。倾斜组装件使离子射束的射束轴与半导体衬底的主表面的法线之间的倾斜角θ从第一倾斜角θ1改变到第二倾斜角θ2，其中在所述第一倾斜角θ1与第二倾斜角θ2之间的角跨度Δθ至少是5°。控制单元控制所述倾斜组装件以在离子射束与半导体衬底之间的相对移动期间连续地改变所述倾斜角θ。
组装件离子射束衬底半导体离子注入装置半导体器件扫描方向相对移动扫描法线扫描方向正交注入装置射束轴主表面制造跨度

[发明专利]使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201510840129.8有效
发明人： M.耶利内克;J.G.拉文;H-J.舒尔策;W.舒施特雷德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件。在单晶半导体衬底（500a）中形成第一掺杂区（115）。经过处理表面（102a）将轻离子（499）注入到半导体衬底（500a）中以在第一掺杂区（115）和处理表面（102a）之间生成晶格空位，其中被用于注入轻离子（499）的注入束的主束轴（495）偏离沿着其发生轻离子（499）的引导的主晶向（485）至多1.5度。在晶格空位和氢原子的基础上形成具有与第一掺杂区（115）相反的导电类型的第二掺杂区（122）。
使用离子注入制造半导体器件方法

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