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[发明专利]预通材料在各向异性导体中的使用-CN202010082415.3有效
发明人： M·E·塔特尔;J·F·克丁;O·R·费伊;中野永一;罗时剑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请涉及预通材料在各向异性导体中的使用。一种半导体装置组合件具有第一衬底、第二衬底和各向异性导电膜。所述第一衬底包含第一多个连接器。所述第二衬底包含第二多个连接器。所述各向异性导电膜定位在所述第一多个连接器与所述第二多个连接器之间。所述各向异性导电膜具有电绝缘材料以及通过所述电绝缘材料横向分隔开的多个互连件。所述多个互连件形成从所述第一多个连接器延伸到所述第二多个连接器的导电通道。一种方法包含将所述多个互连件连接到所述第一多个连接器和所述第二多个连接器，使得所述导电通道可操作以将电从所述第一衬底传导到所述第二衬底。所述方法可包含通过所述多个互连件传送电流。
材料各向异性导体中的使用

[发明专利]具有保护机制的半导体装置及其相关系统、装置及方法-CN201880056037.2有效
发明人：周卫;B·K·施特雷特;M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体装置，其包含：衬底，其包含衬底顶面；互连件，其经连接到所述衬底且在所述衬底顶面上方延伸；裸片，其经附接于所述衬底上方，其中所述裸片包含连接到用于电耦合所述裸片及所述衬底的所述互连件的裸片底面；及金属围封体，其直接接触所述衬底顶面及所述裸片底面，且垂直延伸于所述衬底顶面与所述裸片底面之间，其中所述金属围封体沿外围包围所述互连件。
具有保护机制半导体装置及其相关系统方法

[发明专利]具有封装级热调节器机构的电子装置及相关联系统、装置及方法-CN201910141968.9有效
发明人： M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有封装级热调节器机构的电子装置及相关联系统、装置及方法。一种半导体装置包含衬底；附接到所述衬底的裸片；覆盖所述衬底及所述裸片的包封，其中所述裸片嵌入所述包封内；及嵌入所述包封内的加热元件，其中所述加热元件经配置以将热能提供到所述裸片。
具有封装调节器机构电子装置相关联系方法

[发明专利]用于老化测试的半导体装置结构及其方法-CN201810967487.9有效
发明人： M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请涉及用于老化测试的半导体装置结构及其方法。提供一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包含衬底、从所述衬底的上表面朝上延伸第一高度的电连接结构、以及以电气方式设置在所述衬底的所述上表面上的接触垫。所述接触垫具有焊料可润湿表面，所述焊料可润湿表面具有被配置成支撑具有至少是所述第一高度的两倍的第二高度的焊球的区域。所述半导体装置结构进一步包含熔丝元件，其具有电耦合到所述电连接结构的第一端和电耦合到所述接触垫的第二端。
用于老化测试半导体装置结构及其方法

[发明专利]去除多个焊料特征的方法和焊料去除设备-CN201810906680.1有效
发明人： M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请案涉及去除多个焊料特征的方法和焊料去除设备。提供一种焊料去除设备。所述焊料去除设备包括从主体延伸一长度的多个焊料介接突出部。所述多个焊料介接突出部中的每一个被配置成从半导体装置去除多个焊料特征中的对应一个，其中所述多个焊料特征中的每一个具有一高度和一定量的焊料材料。
去除焊料特征方法设备

[发明专利]三维堆叠半导体组合件及其制造方法-CN202080043206.6在审
发明人： O·R·费伊;C·H·育;M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本文公开半导体装置封装及相关联组合件。在一些实施例中，所述半导体装置封装包含：衬底，其具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；第一金属化层，其位于所述衬底的所述第一侧处；及第二金属化层，其在所述衬底中且电耦合到所述第一金属化层。所述半导体装置封装进一步包含：金属凸块，其电耦合到所述第一金属化层；及凹槽，其形成于所述衬底的所述第二侧处且与所述金属凸块对准。所述凹槽暴露所述第二金属化层的部分且使所述部分能够电耦合到另一半导体装置封装。
三维堆叠半导体组合及其制造方法

[发明专利]用于热隔离信号和功率传输的设备、方法和系统-CN202010581427.0在审
发明人： M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H04B10/80 文献下载
摘要：本申请涉及用于热隔离信号和功率传输的设备、方法和系统。一种设备包括相对高温电子装置和可操作地耦合到相对高温电子装置的相对低温电子装置。可操作耦合包括通过位于电子装置与另一电子装置之间的至少一个封闭自由空间跨越邻近所述可操作耦合的路径的封闭自由空间的体积中的空气或全部或部分真空中的一者进行的光学耦合、电感耦合或电容耦合中的至少一种。也揭示相关系统和方法。
用于隔离信号功率传输设备方法系统

[发明专利]用于微电子封装翘曲控制的应力调谐加固物-CN201880081951.2在审
发明人： C·H·育;M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：一种半导体装置组合件包含衬底、半导体装置、加固部件及模制化合物。所述加固部件经调谐或经配置以减小及/或控制所述半导体装置组合件在高温下的翘曲形状。所述加固部件可放置于所述衬底、所述半导体装置及/或所述模制化合物上。可使用多个加固部件。所述加固部件可依预定图案定位于所述半导体装置组合件的组件上。可使用加固部件使得第一半导体装置的翘曲基本上对应于第二半导体装置在高温下的翘曲。可通过为所述加固部件提供所要热膨胀系数CTE而调谐所述部件。所述所要CTE可基于半导体装置组合件的所述组件的个别CTE。
用于微电子封装控制应力调谐加固

[发明专利]具有碳基导电区的各向异性导电膜和相关的半导体组合件、系统和方法-CN201911397648.6在审
发明人：仲野英一;M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本申请案涉及一种具有碳基导电区的各向异性导电膜且涉及相关的半导体组合件、系统和方法。各向异性导电膜ACF形成为具有离散区的有序阵列，所述离散区包含导电碳基材料。能够以小间距形成的所述离散区嵌入于至少一种粘着介电材料中。所述ACF能够用于使半导体装置组合件中的初始分离半导体裸片的导电元件机械地和电性地互连。形成所述ACF的方法包含形成具有所述导电碳基材料的前驱结构且接着将所述前驱结构接合到包含所述ACF中要包含的粘着介电材料的单独形成的结构。所述前驱结构的牺牲性材料能够去除，且额外粘着介电材料能够形成为嵌入所述ACF的所述粘着介电材料中的具有所述导电碳基材料的所述离散区。
具有导电各向异性相关半导体组合系统方法

[发明专利]用于制造半导体装置的方法和系统-CN201911192839.9在审
发明人：周卫;B·K·施特雷特;B·L·麦克莱恩;M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本申请涉及用于制造半导体装置的方法和系统。一种热压接合TCB设备，其能够包含具有在第一方向上测量的高度且经配置以定位于半导体接合设备的第一按压表面与第二按压表面之间的壁。所述设备能够包含至少部分地由所述壁包围的空腔，所述空腔经设定大小以接纳半导体衬底及定位于所述半导体衬底与所述第一按压表面之间的半导体裸片的堆叠，半导体裸片的所述堆叠及半导体衬底具有如在所述第一方向上测量的组合未按压堆叠高度。在一些实施例中，所述未按压堆叠高度大于所述壁的所述高度，且所述壁经配置以由所述第一按压表面接触从而在半导体接合工艺期间限制所述第一按压表面朝向所述第二按压表面的运动。
用于制造半导体装置方法系统

[发明专利]用于制造半导体装置的方法及系统-CN201911292819.9在审
发明人：周卫;B·K·施特雷特;B·L·麦克莱恩;M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本申请案涉及用于制造半导体装置的方法及系统。一种热压缩接合TCB设备可包含壁，所述壁具有在第一方向上测量的高度且经配置以定位于半导体接合设备的第一按压表面与第二按压表面之间。所述设备可包含至少部分地由所述壁环绕的腔，所述腔经大小设定以接纳半导体衬底及定位于所述半导体衬底与所述第一按压表面之间的半导体裸片堆叠，所述半导体裸片堆叠及半导体衬底具有在所述第一方向上测量的经组合未按压堆叠高度。在一些实施例中，所述未按压堆叠高度大于所述壁的所述高度，且所述壁经配置以由所述第一按压表面接触来限制在半导体接合工艺期间所述第一按压表面朝向所述第二按压表面的移动。
用于制造半导体装置方法系统

[发明专利]在所有温度下具有低翘曲的双面扇出封装-CN201880053651.3在审
发明人： C·H·育;M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本文中揭示包含双面再分布结构且在所有温度下具有低翘曲的半导体装置以及相关联系统及方法。在一个实施例中，一种半导体装置包含：第一半导体裸片，其电耦合到再分布结构的第一侧；及第二半导体裸片，其电耦合到与所述第一侧相对的所述再分布结构的第二侧。所述半导体装置还包含：第一模制材料，其位于所述第一侧上；第二模制材料，其位于所述第二侧上；及数个导电柱，其电耦合到所述第一侧且延伸穿过所述第一模制材料。所述第一模制材料及所述第二模制材料可具有用于抑制所述半导体装置翘曲的相同体积及/或热膨胀系数。
所有温度具有低翘曲双面封装

[发明专利]具有反向堆积混合式添加结构的穿模柱封装-CN201880054989.0在审
发明人： C·H·育;J·F·克丁;A·帕卡姆图;M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本文中揭示具有电耦合到重布结构的半导体裸片及位于所述重布结构上方的模制材料的半导体装置以及相关联系统及方法。在一个实施例中，一种半导体装置包含附接到无衬底重布结构的第一侧的半导体裸片及延伸穿过安置于所述重布结构的所述第一侧上的模制材料的多个导电柱。所述半导体装置还可包含位于所述模制材料上且电耦合到所述导电柱的第二重布结构。可使用单一载体且需要仅对半导体装置的单一侧的处理来制造所述半导体装置。
具有反向堆积混合式添加结构穿模柱封装

[发明专利]电子装置和制造或操作电子装置的方法-CN201910136766.5在审
发明人： M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本申请涉及电子装置和制造或操作电子装置的方法。一种半导体装置包含：衬底；第一功能电路，其附接到所述衬底；第一热回路，其附接到所述衬底，经配置以利用低温液体以冷却所述第一功能电路；第二功能电路，其附接到所述衬底；以及第二热回路，其附接到所述衬底，经配置以冷却所述第二功能电路而不使用所述低温液体。
衬底功能电路操作电子装置低温液体电子装置热回路冷却半导体装置配置制造申请

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