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[发明专利]人工晶状体(IOL)注射器及其使用方法-CN201780095064.6有效
发明人： W·曾;M·沈;W·李 -专利权人： AST产品公司
申请日： 2017-10-05 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： A61F2/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于将IOL插入患者眼睛的设备和方法。IOL注射器配置为通过将IOL折叠并且对准到注射器的晶状体盒中而自动将IOL装载到注射器中，医生在手术过程中无需手动操作IOL。注射器配置为在注射器内正确地定向和对准IOL，并且在将IOL递送到患者眼睛的整个过程中维持正确的对准，从而确保IOL正确地定位和定向到眼睛中的预定位置。
人工晶状体 iol 注射器及其使用方法

[发明专利]用于蜂窝体的挤出组件-CN201780011195.1有效
发明人： J·W·奥拉德;T·W·布鲁;T·古拉蒂;H·R·勒泽尔;M·沈 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B28B3/26 文献下载
摘要：一种蜂窝体挤出模头，其包含至少一些狭缝(308)和与蜂窝体的本体区域对应的本体标称区段，其中，每一条狭缝(308)具有特征凹部(312)和宽部，其中，所述特征凹部(312)向着排出表面(324)的方向与供料孔‑狭缝交叉处(332)间隔开，所述宽部在排出表面处延伸进入模头主体(358)到达特征凹部(312)，以强化加固区域中的蜂窝型挤出物的外围区域。
用于蜂窝挤出组件

[发明专利]用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备-CN201810036470.1有效
发明人： X·王;A·恩盖耶;C·李;X·何;M·沈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-10-05 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备。本发明还提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低于30mT的压力下执行，以从气体喷嘴孔的内表面移除原位沉积的SiOx涂层。实施例包括具有底部孔的气体喷嘴，所述底部孔的尺寸足够小，以减少或防止原位沉积的腔室涂层在喷嘴孔的内表面上积聚SiOx沉积物。
用以降低等离子体蚀刻中的粒子缺陷方法设备

[发明专利]用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备-CN202011112385.2在审
发明人： X·王;A·恩盖耶;C·李;X·何;M·沈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-10-05 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备。本发明还提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低于30mT的压力下执行，以从气体喷嘴孔的内表面移除原位沉积的SiOx涂层。实施例包括具有底部孔的气体喷嘴，所述底部孔的尺寸足够小，以减少或防止原位沉积的腔室涂层在喷嘴孔的内表面上积聚SiOx沉积物。
用以降低等离子体蚀刻中的粒子缺陷方法设备

[发明专利]用于蜂窝体的挤出模具-CN201680067992.7有效
发明人： T·W·布鲁;T·古拉蒂;L·J·帕克斯;M·沈 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： B28B3/26 文献下载
摘要：用于蜂窝体的挤出模具(100)，模具(100)包括：输入表面(102)；相对的输出表面(104)；从输入表面(102)朝向输出表面(104)延伸的进料孔(108)；具有狭槽宽度(SW)和狭槽长度(SL)且从输出表面(104)朝向输入表面(102)延伸的排料狭槽(106)；以及高压间(130)，其流体连接了进料孔(108)和排料狭槽(106)。高压间(130)可以包括与进料孔(108)相连的室(132)并且包括与排料狭槽(106)相连的逐渐变细的出口(134)。高压间(133)可以包括与进料孔(108)相连的第一室(132A)并且包括第一逐渐变细的出口(134A)，以及与第一出口相连的第二室(132B)并且包括与排料狭槽(106)相连的第二逐渐变细的出口(134B)。
用于蜂窝挤出模具

[发明专利]用于蜂窝体的挤出组件-CN201780011196.6有效
发明人： S·K·阿特金森;T·W·布鲁;D·W·费尔迪;T·古拉蒂;M·沈;M·A·斯佩塞里斯;E·L·汤普生 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： B28B3/26 文献下载
摘要：蜂窝挤出模具组装件(10)包括：蜂窝挤出模具(701)和用于阻隔批料流不到达至少一部分的形成表皮的区域的成形板(800)。蜂窝挤出模具(701)包括：形成表皮的区域中的台阶切割排出表面(758、760)以及至少一些狭缝(722)，所述至少一些狭缝(722)分别具有朝向排出表面(710)与进料孔狭缝相交处间隔开的凹台(312)以及位于排出表面(710)处延伸进入模具体到达凹台(312)的宽部分，从而强化加固区域中的蜂窝挤出物的周界区域以及对应于蜂窝体的块体区域的块体标称区段。
用于蜂窝挤出组件

[发明专利]纳米结构材料叠层转移方法和装置-CN201410858340.8有效
发明人： M·沈;N·吴;Y·翟;S·南;J·A·罗杰斯;B·H·金;S·Y·杨;P·特雷弗纳斯;K·德什潘德;J·周;J·J·张;朴钟根 -专利权人：伊利诺斯州立大学托管会;罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在一个方面中，提供了用于制造多层纳米结构材料复合物的方法，以及通过这样的方法制造的装置。在另一个方面中，提供了包括使用饰面含氟层来帮助纳米结构材料层的转移的方法，以及通过这样的方法制造的装置。
纳米结构材料制造多层纳米结构材料复合物方法和装置含氟层叠层饰面帮助

[发明专利]硅-玻璃混合插入层电路-CN201510086780.0有效
发明人： M·沈 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及硅‑玻璃混合插入层电路。提供了一种插入层。该插入层包括硅基板层、玻璃基板层和至少一个贯通插入层通孔。在玻璃基板层的顶部上形成硅基板层。插入层也可以被称为混合插入层，因为它包括两种不同类型的基板层，它们形成了一个插入层。贯通插入层通孔被形成为穿过硅基板层和玻璃基板层。插入层可以用于形成集成电路封装。集成电路封装包括安装在插入层上的多个集成电路。
玻璃混合插入电路

[发明专利]多异质结纳米颗粒、其制备方法以及包含该纳米颗粒的制品-CN201410098085.1有效
发明人： M·沈;N·吴;Y·翟;S·南;P·特雷福纳斯;K·德什潘德;J·朱 -专利权人：伊利诺斯大学科技管理办公室;罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包括具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒、包含第一半导体的第一结点、以及包含第二半导体的第二结点；其中，所述第二端部与所述第一端部相反；其中所述第一结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第一异质结；其中所述第二结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第二异质结；其中所述第一异质结组成上不同于所述第二异质结。
多异质结纳米颗粒制备方法以及包含制品

[发明专利]多异质结纳米颗粒、其制备方法以及包含该纳米颗粒的制品-CN201410098121.4有效
发明人： M·沈;N·吴;Y·翟;S·南;P·特雷福纳斯;K·德什潘德 -专利权人：伊利诺斯大学科技管理办公室;罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包括具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒以及两个第一端盖，其中，所述第二端部与所述第一端部相反；所述两个第一端盖中的一个端盖与所述一维半导体纳米颗粒的第一端部相接触，另一个端盖与所述第二端部相接触；其中接触第一端部的第一端盖包含第一半导体，并且所述第一端盖从所述一维半导体纳米颗粒的第一端部延伸，形成了第一纳米晶体异质结；其中接触第二端部的第一端盖包含第二半导体；其中该第一端盖从所述一维半导体纳米颗粒的第二端部延伸，形成了第二纳米晶体异质结；以及，其中所述第一半导体和所述第二半导体化学上彼此不同。
多异质结纳米颗粒制备方法以及包含制品

[发明专利]多异质结纳米颗粒、其制备方法以及包含该纳米颗粒的制品-CN201410097333.0有效
发明人： M·沈;N·吴;Y·翟;S·南;P·特雷福纳斯;K·德什潘德;J·朱 -专利权人：伊利诺斯大学科技管理办公室;罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包含具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒、与所述第一端部或所述第二端部中的一个端部接触的第一端盖、以及与所述第一端盖接触的第二端盖；其中所述第一端盖包含第一半导体，并且所述第一端盖从所述一维纳米颗粒延伸，形成了第一纳米晶体异质结；其中所述第二端盖包含第二半导体，并且所述第二端盖从所述第一端盖延伸，形成了第二纳米晶体异质结；其中所述第一半导体不同于所述第二半导体。
多异质结纳米颗粒制备方法以及包含制品

[发明专利]用于将NO氧化成NO₂的非化学计量的钙钛矿氧化物氧化催化剂-CN201110166967.3有效
发明人： G·齐;W·李;X·王;M·沈 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司;天津大学
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： B01D53/94 文献下载
摘要：本发明涉及用于将NO氧化成NO₂的非化学计量的钙钛矿氧化物氧化催化剂，尤其涉及化学通式La_XMnO_Y的非化学计量的钙钛矿氧化物，在其中镧∶锰的摩尔比(“X”)是0.85‑0.95，该氧化物可以作为氧化催化剂以粒子形式使用来在用于烃作燃料的发动机的废气后处理系统中将NO氧化成为NO₂。氧含量(“Y”)随着镧∶锰的摩尔比的变化而波动，但是通常落入3.0‑3.30范围内的某处。由非化学计量的镧∶锰的摩尔比所激励的晶格调整据信是造成与具有较高的镧和锰摩尔比的类似的钙钛矿氧化物相比NO氧化活性提高的原因。
用于 no 氧化 sub 化学计量钙钛矿氧化物催化剂

[发明专利]用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备-CN201180049185.X在审
发明人： X·王;A·恩盖耶;C·李;X·何;M·沈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-10-05 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本发明提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF3的等离子体清洁，所述等离子体清洁在低于30mT的压力下执行，以从气体喷嘴孔的内表面移除原位沉积的SiOx涂层。实施例包括具有底部孔的气体喷嘴，所述底部孔的尺寸足够小，以减少或防止原位沉积的腔室涂层在喷嘴孔的内表面上积聚SiOx沉积物。
用以降低等离子体蚀刻中的粒子缺陷方法设备

[发明专利]含水酸性溶液和蚀刻溶液以及使单晶和多晶硅衬底表面织构化的方法-CN201180042294.9在审
发明人： S·布劳恩;A·克里普;C·勒格尔-格普费特;C·比特纳;M·沈;C·林 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：一种含水酸性溶液以及一种适于织构化单晶和多晶硅衬底表面的含水酸性蚀刻溶液：氢氟酸、硝酸和至少一种具有表面活性的阴离子聚醚；一种使单晶和多晶硅衬底表面织构化的方法，包括如下步骤：(1)使衬底的至少一个主表面与所述含水酸性蚀刻溶液接触；(2)使所述衬底的所述至少一个主表面在一定温度下蚀刻一定时间，从而足以获得由凹陷和凸起构成的表面织构；和(3)使所述衬底的所述至少一个主表面与所述含水酸性蚀刻溶液脱离接触；以及一种使用所述溶液和所述织构化方法生产光伏电池和太阳能电池的方法。
含水酸性溶液蚀刻以及使单晶多晶衬底表面织构化方法

[发明专利]用微波干燥陶瓷生坯的方法和设备-CN200980143607.2有效
发明人： J·乔治;P·P·哈里哈兰;M·沈 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： B28B11/24 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于干燥陶瓷生坯的方法和设备，包括在可操作地连接到微波源和PLC的微波加热腔中提供一个或多个陶瓷生坯。确定微波加热腔中陶瓷生坯的总质量。用微波源产生微波能量并将其从微波源传输到微波加热腔。用功率传感器测量从微波源传输到微波加热腔的微波能量的传输功率。从微波加热腔反射回来的反射微波能量的反射功率也被测量。根据存在于微波加热腔内的陶瓷生坯的总质量，测得的传输功率和测得的反射功率，来调整从微波源传输到微波加热腔的微波能量的功率。
微波干燥陶瓷生坯方法设备

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