“M·帕卡拉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法-CN202111107385.8在审
发明人：薛林;安在洙;M·帕卡拉;程志康;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。
用于形成 mram 应用使用具有期望结晶度结构方法

[发明专利]用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法-CN201610554216.1有效
发明人：薛林;安在洙;M·帕卡拉;程志康;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。
用于形成 mram 应用使用具有期望结晶度结构方法

[发明专利]磁性存储系统读磁头的磁阻传感器及其制造方法-CN201310629032.3有效
发明人： C-H·杨;C-J·钱;C·凯泽;Y·郑;Q·冷;M·帕卡拉 -专利权人：西部数据（弗里蒙特）公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明公开一种包括磁阻传感器的磁性读取换能器及其制造方法。该磁阻传感器包括覆盖自由层的盖帽层。盖帽层被设置成具有第一厚度以从自由层吸收硼。对磁阻传感器进行退火，并且硼从自由层中扩散并被盖帽层吸收，由此提高自由层的磁性能。然后，将盖帽层厚度减小到第二厚度，从而减小磁阻传感器的屏蔽到屏蔽（SS）堆栈间隔并允许增大磁录记录密度。
磁性存储系统磁头磁阻传感器及其制造方法

[发明专利]利用加热和冷却制造磁阻结构的方法-CN201310054860.9有效
发明人： C·凯泽;Q·冷;M·帕卡拉 -专利权人：西部数据（弗里蒙特）公司
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明描述了新颖的隧道磁阻（TMR）沉积过程，该过程可增强TMR读取器的信噪比（SNR）。制造隧道磁阻传感器的方法包括提供衬底；在衬底上形成磁性隧道结（MTJ）的第一部分；在衬底上形成MTJ的第二部分；在第一部分和第二部分之间形成MTJ结构的隧道势垒层；在形成隧道势垒层之前或者在形成隧道势垒层的至少一部分之后，加热MTJ结构的第一部分；以及冷却隧道势垒层。
利用热和冷却制造磁阻结构方法

[发明专利]形成磁性隧穿结的方法-CN201580010185.7在审
发明人： M·帕卡拉;M·巴尔塞努;J·杰曼;J·安;L·薛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：公开了一种用于制造MRAM位的方法，所述方法包括沉积间隔层，所述间隔层用以在处理期间保护隧穿阻挡层。所沉积的间隔层防止在后续处理中形成的副产物再沉积在隧穿阻挡层上。这种再沉积会造成产品故障并降低制造产率。此方法进一步包括非侵蚀性的处理条件，防止对MRAM位的多层造成损伤。此非侵蚀性的处理条件可包括在不使用卤素类等离子体的情况下进行蚀刻。本文公开的实施例采用了简化处理的蚀刻‑沉积‑蚀刻顺序。
形成磁性隧穿结方法

[发明专利]利用加热对磁阻结构提供势垒的方法和系统-CN201010216900.1有效
发明人： C·帕克;Q·伦;M·帕卡拉 -专利权人：西部数据(弗里蒙特)公司
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明描述了一种提供磁记录换能器的方法和系统。该方法和系统包括为磁性元件提供被钉扎层。一方面，提供了磁性元件的隧道势垒层的一部分。在提供该部分隧道势垒层后退火磁记录换能器。退火温度高于室温。在退火后提供隧道势垒层的剩余部分。另一方面，在退火磁换能器之前，磁换能器被转移至高真空退火装置。在该方面，可以在提供隧道势垒的任意部分之前或在提供隧道势垒的至少一部分之后退火磁换能器。退火在高真空退火装置中执行。还提供了磁性元件的自由层。
利用加热磁阻结构提供方法系统

[发明专利]用于提供利用自旋转移的磁性元件的热辅助切换的方法和系统-CN200580008856.2无效
发明人：怀一鸣;M·帕卡拉 -专利权人：弘世科技公司
申请日： 2005-02-11 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： G11C11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种提供能用于磁性存储器中的磁性元件的方法和系统。所述磁性元件包括被钉扎层、非磁性间隔层、自由层以及热辅助切换层。所述间隔层位于所述被钉扎层和自由层之间。所述自由层位于所述间隔层和热辅助切换层之间。所述热辅助切换层在所述自由层未被切换时改善所述自由层的热稳定性，优选通过与所述自由层的耦合。当写入电流通过所述磁性元件时，所述自由层利用自旋转移而发生切换。写入电流优选还加热所述磁性元件以降低由热辅助切换层提供的自由层的稳定。另一方面，所述磁性元件还包括第二自由层、第二非磁性间隔层以及第二被钉扎层。所述热辅助切换层位于静磁耦合的所述两个自由层之间。所述第二间隔层位于所述第二自由层和第二被钉扎层之间。
用于提供利用自旋转移磁性元件辅助切换方法系统

[发明专利]用于磁性存储器应用的应力辅助电流驱动切换-CN200480040445.7无效
发明人： M·帕卡拉;怀一鸣 -专利权人：弘世科技公司
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： G11C17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提供磁性存储器的方法和系统。该方法和系统包括提供多个磁性元件，并且提供至少一个应力辅助层。该多个磁性元件的每一个都配置成使用自旋转移进行写入。该至少一个应力辅助层配置成在写入期间对该多个磁性元件的至少一个磁性元件施加至少一个应力。自旋转移切换电流的减小是由于在写入期间应力辅助层对磁性元件施加的应力。磁性存储器相对于热起伏的稳定性没有受到损害，因为一旦关掉切换电流两个磁化态之间的能量势垒就没有发生改变。
用于磁性存储器应用应力辅助电流驱动切换

1
共 8 条