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[发明专利]使用盖和硬化结构封装堆叠衬底和集成电路管芯-CN202110934321.9在审
发明人： L·英格兰;R·S·格拉夫;高华宏;R·西奈 -专利权人：马维尔亚洲私人有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及使用盖和硬化结构封装堆叠衬底和集成电路管芯。一种设置在封装中的电子器件，封装包括：中介层、扇出互连件FOI和盖。中介层具有第一尺寸和第一表面，管芯端子DTS设置在该第一表面上并且被配置为电耦合至集成电路管芯IC；以及第二表面，衬底端子STS设置在该第二表面上并且被配置为电耦合至衬底。IC具有小于第一尺寸的第二尺寸，并且IC被安装在与DTS电接触的第一表面上，中介层被安装在第三表面上，并且封装衬底具有大于第一尺寸的第三尺寸。FOI在DTS与STS之间建立电互连，DTS具有第一间距尺寸，并且STS具有大于第一间距尺寸的第二间距尺寸。盖具有第一部段和第二部段，第一部段被配置为邻接第四表面，第二部段被安装在第三表面上。
使用硬化结构封装堆叠衬底集成电路管芯

[发明专利]用于非贵金属接合搭接垫的薄NiB或CoB封盖层-CN201510093579.5有效
发明人： E·贝内;J·德沃斯;J·德拉克山得;L·英格兰;G·瓦喀纳斯 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板，该基板具有至少一个主表面，所述主表面包括被封盖层覆盖的至少一个非贵金属接合搭接垫，从而将非贵金属接合搭接垫从环境掩蔽开来。该封盖层包括合金，合金是NiB或CoB并且含有原子浓度百分率为10‑50％的硼。
非贵金属接合封盖层搭接主表面基板合金掩蔽覆盖

[发明专利]多层电路组件的制造-CN201510393754.2有效
发明人： L·英格兰;M·A·巴特卡;易万兵;J·B·谭 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及多层电路组件的制造，提供形成像是多层电感器或变压器的电路组件的晶圆级方法。该方法包括，例如:在衬底之上的至少一层中形成该电路组件的至少一个导电部；提供未固化的聚合物介电材料至少部分地围绕并覆盖该组件的该导电部；部分固化该聚合物介电材料以获得部分硬化的聚合物介电材料；且抛光该部分硬化的聚合物介电材料低到该导电部分的高度。该抛光平坦化该部分硬化的聚合物介电材料且暴露该导电部的上表面，以利于在该导电部之上形成该组件的至少一个其余导电部且与其电接触。抛光后，完成该聚合物介电材料的固化。在一个实施例中，该导电部与该其余导电部至少部分地定义该组件的导电线圈。
多层电路组件制造

[发明专利]用于低温覆晶接合的接合垫结构-CN201510673494.4有效
发明人： L·英格兰;C·克勒韦尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于低温覆晶接合的接合垫结构，其中揭露用于制备三维集成化半导体元件的方法及所造成的元件。实施例包含分别地形成第一及第二接合垫于第一及第二半导体元件上，该第一及第二接合垫的每一个具有多个金属区段，该第一接合垫的该金属区段具有不同于该第二接合垫的该金属区段的配置或者具有与该第二接合垫的该金属区段的配置相同但是相对于该第二接合垫而旋转的配置；以及通过该第一及第二接合垫将该第一及第二半导体元件接合在一起。
用于低温接合结构

[发明专利]用于3D应用的顶端晶粒电力递送网络-CN201610168910.X有效
发明人： L·英格兰 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及用于3D应用的顶端晶粒电力递送网络，其提供的是一种使用BEOL连接结构在多个串联TSV间均匀分布电流以供递送至顶端晶粒与BS‑RDL PDN用以分布均匀电力/接地网络的方法、及所产生的装置。具体实施例包括提供3D IC堆迭的底端晶粒，该底端晶粒具有连接垫；提供3D IC堆迭的顶端晶粒，该顶端晶粒具有多个电力/接地微柱；在底端与顶端晶粒之间形成BEOL连接结构，该BEOL连接结构具有多个电力供应TSV；在底端与顶端晶粒之间形成BS‑RDL PDN，该BS‑RDL PDN包括多个BEOL连接结构；以及贯穿电力供应TSV与BS‑RDL PDN将连接垫电连接至微柱。
用于应用顶端晶粒电力递送网络