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[实用新型]微机电陀螺仪以及微机电器件-CN202320081825.5有效
发明人： P·费德利;L·奎利诺尼;P·卡鲁里;L·G·法罗尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01C19/5712 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及微机电陀螺仪以及微机电器件。一种微机电陀螺仪，包括：衬底，具有顶表面；可移动质量块，悬置在衬底上方；第一定子元件和第二定子元件，悬置于可移动质量块和衬底的顶表面之间；中央机械锚固结构，耦合到衬底，中央锚固结构包括耦合到衬底的第一部分，第一部分以第一方向位于第一定子元件和第二定子元件之间，中央锚固结构包括耦合到第一定子元件和第二定子元件的第二部分，第一部分以第二方向位于第二部分和衬底之间，第二方向横向于第一方向；以及弹性元件，将可移动质量块耦合到中央机械锚固结构。利用本公开的实施例有利地允许消除由衬底的变形引起的检测结构的电性能的漂移。
微机陀螺仪以及器件

[发明专利]紧凑型微机电角速率传感器-CN202310327918.6在审
发明人： L·G·法罗尼;P·卡鲁里;P·费德利;L·奎利诺尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01C19/5691 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及紧凑型微机电角速率传感器。提出了MEMS角速率传感器，MEMS角速率传感器具有在半导体层上被微机械加工的两对悬置质量块。第一对包括彼此相对且镜像的两个质量块。第一对质量块具有驱动结构，以用于在线性方向上生成机械振动。第二对质量块包括彼此相对且镜像的两个质量块。第二对质量块利用耦合元件耦合到第一对驱动质量块。两对质量块被耦合到中心桥。中心桥具有差分配置，以用于排除任何外部干扰。两对质量块中的每个质量块包括不同的部分，以用于检测不同的线性运动和角度运动。
紧凑型微机速率传感器

[实用新型]微机电设备-CN202320666411.9有效
发明人： L·G·法罗尼;P·卡鲁里;P·费德利;L·奎利诺尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01C19/5712 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及微机电设备。提出了MEMS角速率传感器，MEMS角速率传感器具有在半导体层上被微机械加工的两对悬置质量块。第一对包括彼此相对且镜像的两个质量块。第一对质量块具有驱动结构，以用于在线性方向上生成机械振动。第二对质量块包括彼此相对且镜像的两个质量块。第二对质量块利用耦合元件耦合到第一对驱动质量块。两对质量块被耦合到中心桥。中心桥具有差分配置，以用于排除任何外部干扰。两对质量块中的每个质量块包括不同的部分，以用于检测不同的线性运动和角度运动。
微机设备

[实用新型]MEMS快门和包括MEMS快门的设备-CN202223188759.6有效
发明人： F·韦尔切西;F·塞利尼;L·奎利诺尼;N·博尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：提供MEMS快门和包括MEMS快门的设备。MEMS快门包括：由主要孔径穿过的半导体材料的衬底，和形成固定到衬底的支撑结构的第一半导体层和第二半导体层；多个可变形结构；多个致动器；以及多个屏蔽结构，多个屏蔽结构中的每个屏蔽结构由第一半导体层与第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成，屏蔽结构被布置为成角度地围绕底层主要孔径以便提供对主要孔径的屏蔽，每个屏蔽结构经由对应可变形结构进一步耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制以便引起对应屏蔽结构在相应第一位置与相应第二位置之间的旋转，从而改变对主要孔径的屏蔽。屏蔽结构的第一和第二位置使得在MEMS快门的至少一种操作条件下相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
mems 快门包括设备

[发明专利]具有面外检测运动的微机电陀螺仪-CN202310041100.8在审
发明人： P·费德利;L·奎利诺尼;P·卡鲁里;L·G·法罗尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01C19/5712 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有面外检测运动的微机电陀螺仪。微机电陀螺仪设置有检测结构，该检测结构具有：具有平行于水平面的顶表面的衬底；一个可移动质量，该可移动质量被悬置在该衬底上方以根据围绕该水平面的一个第一轴线的一个第一角速度来执行围绕该水平面的一个第二轴线的旋转的至少一个第一检测移动；以及第一定子元件和第二定子元件，所述第一定子元件和所述第二定子元件与所述衬底成一体并且布置在所述移动质量下方以限定电容耦合，所述第一定子元件和所述第二定子元件的电容值表示所述第一角速度。
具有检测运动微机陀螺仪

[发明专利]具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺-CN202211511741.7在审
发明人： F·韦尔切西;N·博尼;F·塞利尼;L·奎利诺尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺。MEMS遮蔽件包括：由孔径通过的半导体衬底；第一半导体层和第二半导体层，其形成固定到衬底的支撑结构；多个可变形结构，每个可变形结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成；多个致动器；多个屏蔽结构，每个屏蔽结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成，屏蔽结构围绕下层孔径成角度布置，以提供对孔径的屏蔽，每个屏蔽结构还经由可变形结构耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制为在第一位置和第二位置之间平移对应屏蔽结构，从而改变对孔径的屏蔽；屏蔽结构的第一和第二位置使得在至少一个操作状态下，相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
具有平移屏蔽结构微机光学遮蔽及其制造工艺

[发明专利]具有旋转屏蔽结构的微机电光学快门和相关制造工艺-CN202211518041.0在审
发明人： F·韦尔切西;F·塞利尼;L·奎利诺尼;N·博尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：提供具有旋转屏蔽结构的微机电光学快门和相关制造工艺。MEMS快门包括：由主要孔径穿过的半导体材料的衬底，和形成固定到衬底的支撑结构的第一半导体层和第二半导体层；多个可变形结构；多个致动器；以及多个屏蔽结构，多个屏蔽结构中的每个屏蔽结构由第一半导体层与第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成，屏蔽结构被布置为成角度地围绕底层主要孔径以便提供对主要孔径的屏蔽，每个屏蔽结构经由对应可变形结构进一步耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制以便引起对应屏蔽结构在相应第一位置与相应第二位置之间的旋转，从而改变对主要孔径的屏蔽。屏蔽结构的第一和第二位置使得在MEMS快门的至少一种操作条件下相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
具有旋转屏蔽结构微机光学快门相关制造工艺

[发明专利]用于校正陀螺仪解调相位漂移的方法-CN202211031957.3在审
发明人： L·奎利诺尼;G·加特瑞 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01C19/5776 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及一种用于校正陀螺仪解调相位漂移的方法。陀螺仪传感器单元在输出正交测试信号期间检测解调输出信号和解调信号之间的相位漂移。延迟计算器基于在正交测试信号的施加期间的解调输出信号中的变化来检测相位漂移。延迟补偿电路通过将解调信号延迟相位漂移值来补偿相位漂移。
用于校正陀螺仪解调相位漂移方法

[实用新型]用于抑制正交误差的设备-CN202221983503.1有效
发明人： D·普拉蒂;L·G·法罗尼;L·奎利诺尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G01C19/5649 文献下载
摘要：本公开涉及用于抑制正交误差的设备。该设备包括MEMS陀螺仪。该MEMS陀螺仪由衬底、第一质量块和第二质量块形成，其中第一质量块和第二质量块悬置于衬底上方，并且在静止状态下在限定第一方向和横向于第一方向的第二方向的延伸平面中延伸。该MEMS陀螺仪还具有：驱动结构，被耦合至第一质量块，并且被配置为在使用中使第一质量块在第一方向上移动；以及弹性耦合结构，在第一质量块与第二质量块之间延伸，并且被配置为将第一质量块在第一方向上的移动与第二质量块在第二方向上的移动耦合。弹性耦合结构具有第一部分和第二部分，第一部分具有第一刚度，第二部分具有大于第一刚度的第二刚度。
用于抑制正交误差设备

[发明专利]具有改进的正交误差抑制的MEMS陀螺仪-CN202210909420.6在审
发明人： D·普拉蒂;L·G·法罗尼;L·奎利诺尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01C19/5649 文献下载
摘要：本公开涉及具有改进的正交误差抑制的MEMS陀螺仪。该MEMS陀螺仪由衬底、第一质量块和第二质量块形成，其中第一质量块和第二质量块悬置于衬底上方，并且在静止状态下在限定第一方向和横向于第一方向的第二方向的延伸平面中延伸。该MEMS陀螺仪还具有：驱动结构，被耦合至第一质量块，并且被配置为在使用中使第一质量块在第一方向上移动；以及弹性耦合结构，在第一质量块与第二质量块之间延伸，并且被配置为将第一质量块在第一方向上的移动与第二质量块在第二方向上的移动耦合。弹性耦合结构具有第一部分和第二部分，第一部分具有第一刚度，第二部分具有大于第一刚度的第二刚度。
具有改进正交误差抑制 mems 陀螺仪

[发明专利]惯性测量电路、对应的装置以及方法-CN202210625074.9在审
发明人： G·兰格弗尔德;L·加弗里·帕加尼;L·奎利诺尼;L·G·法罗尼;P·费德利;P·卡鲁里 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01C21/16 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及惯性测量电路、对应的装置以及方法。在一个实施例中，一种电路包括：惯性测量单元，被配置为经由由驱动电路装置提供的驱动信号振荡；锁相放大器，被配置为从惯性测量单元接收感测信号和作为驱动信号的函数的参考解调信号，并且基于感测信号提供惯性测量信号，其中参考解调信号受可变相位误差的影响；相位计电路装置，被配置为接收驱动信号和感测信号，并且作为驱动信号和感测信号之间的相位差的函数来提供；用于所述参考解调信号的相位校正信号和校正节点，所述校正节点被配置为将所述相位校正信号应用于所述参考解调信号，使得响应于将所述相位校正信号应用于所述参考解调信号，所述相位误差被保持在参考值附近。
惯性测量电路对应装置以及方法

[发明专利]制造电子器件的方法以及对应的电子器件-CN202210572155.7在审
发明人： L·奎利诺尼;P·费德利;L·G·法罗尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开涉及制造电子器件的方法以及对应的电子器件。微机电器件包括衬底，第一结构层和半导体材料的第二结构层。感测质量块在第一结构层中延伸，并且通过第一弹性连接件耦合到衬底，以使得感测质量块能够在垂直于衬底的感测方向上相对于感测质量块的静止位置振荡最大量。平面外止动结构包括固定到衬底上的锚和机械行程端结构，该机械行程端结构在第二结构层中延伸，面向感测质量块，并通过宽度小于感测质量块的最大位移距离的间隙与感测质量块隔开。机械行程末端结构通过第二弹性连接件连接到锚，该第二弹性连接件使得机械行程末端结构能够响应于感测质量块的冲击而沿感测方向运动。
制造电子器件方法以及对应

[实用新型]微机电器件-CN202221267883.9有效
发明人： L·奎利诺尼;P·费德利;L·G·法罗尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开涉及制造电子器件的方法以及对应的电子器件。微机电器件，其特征在于，包括：衬底；第一结构层，在衬底上；第二结构层，在第一结构层上；感测质量块，在第一结构层中；多个第一弹性连接件，耦合至感测质量块和衬底，感测质量块经由多个第一弹性连接件在垂直于衬底的感测方向上具有最大位移距离；锚，耦合到衬底；限制板，在第二结构层中面向感测质量块；间隙，在感测质量块与限制板之间，间隙具有的宽度小于感测质量的最大位移距离；以及至少一个第二弹性连接件，耦合到限制板和锚。利用本公开的实施例有利地防止力的集中并能够吸收冲击，而不会受到或造成损坏。
微机器件

[实用新型]微机电陀螺仪和电子系统-CN202122935046.0有效
发明人： L·奎利诺尼;L·G·法罗尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及微机电陀螺仪和电子系统。一种微机电陀螺仪，其特征在于，包括：支撑结构；感测质量块，其以沿驱动方向以及感测方向的自由度耦合到支撑结构，驱动方向与感测方向彼此垂直；校准结构，其面向感测质量块、并且通过具有平均宽度的间隙与感测质量块间隔开，校准结构相对于感测质量块可移动，使得校准结构的位移引起间隙的平均宽度的变化；以及校准致动器，其被配置为控制校准结构相对于感测质量块的相对位置和间隙的平均宽度。本公开的实施例有利地抵消或在任何情况下显著降低零率输出的温度漂移。
微机陀螺仪电子系统

[发明专利]微机电陀螺仪和补偿微机电陀螺仪中的输出热漂移的方法-CN202111424200.6在审
发明人： L·奎利诺尼;L·G·法罗尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及微机电陀螺仪和补偿微机电陀螺仪中的输出热漂移的方法。微机电陀螺仪包括：支撑结构；感测质量块，其以沿着驱动方向和感测方向的自由度被耦合至支撑结构，驱动方向和感测方向彼此垂直；以及校准结构，其面向感测质量块并且通过具有平均宽度的间隙而与感测质量块分离，校准结构相对于感测质量块可移动，使得校准结构的位移引起间隙平均宽度的变化。校准致动器控制校准结构相对于感测质量块的相对位置以及间隙的平均宽度。
微机陀螺仪补偿中的输出漂移方法

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