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[发明专利]竖向延伸存储器单元串的阵列及用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法-CN201910844251.0有效
发明人： J·D·霍普金斯;G·A·哈勒;T·J·约翰;A·A·汉德卡;C·拉森;K·舍罗特瑞 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B41/10 文献下载
摘要：本申请案涉及竖向延伸存储器单元串的阵列及用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法。一种用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法包括形成包括垂直交替绝缘层及字线层的堆叠。堆叠包括堆叠的第一层与第二层之间的蚀刻停止层。蚀刻停止层具有与绝缘层及字线层的组合物不同的组合物。进行到蚀刻停止层上方的绝缘层及字线层中直到蚀刻停止层的蚀刻，以形成具有包括蚀刻停止层的个别基底的沟道开口。穿透蚀刻停止层以使沟道开口中的个别者延伸穿过蚀刻停止层。在使个别沟道开口延伸穿过蚀刻停止层之后，进行到蚀刻停止层下方的绝缘层及字线层中且穿过绝缘层及字线层的蚀刻，以使个别沟道开口更深地延伸到蚀刻停止层下方的堆叠中。
竖向延伸存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]集成式组合件和形成集成式组合件的方法-CN202180038932.3在审
发明人： R·M·阿卜杜勒拉哈曼;J·J·吴;C·蒂瓦里;K·舍罗特瑞;S·伦加德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠的集成式组合件。所述绝缘层级具有彼此相同的主要组合物。所述绝缘层级中的至少一者相对于所述绝缘层级中的其它者在组成上不同，这是由于所述绝缘层级中的所述至少一者包含分散在所述主要组合物内的掺杂剂。开口竖直地延伸穿过所述堆叠。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成结构及用于形成所述集成结构的方法-CN201780024561.7有效
发明人： J·B·德胡特;王非;C·E·卡特;I·拉博瑞安特;J·D·霍普金斯;K·舍罗特瑞;R·迈耶;V·沙马娜;K·R·帕雷克;M·C·罗伯茨;M·帕克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有与介电层交替的竖直堆叠导电层的集成结构。所述导电层上方的层包含硅、氮以及碳、氧、硼与磷中的一或多者。在一些实施例中，所述竖直堆叠导电层是NAND存储器阵列内的字线层。一些实施例包含一种具有与介电层交替的竖直堆叠导电层的集成结构。竖直堆叠NAND存储器单元在存储器阵列区域内沿着所述导电层。阶梯区域紧接所述存储器阵列区域。所述阶梯区域具有与所述导电层一对一对应的电接触件。层在所述存储器阵列区域及所述阶梯区域上方。所述层包含硅、氮以及碳、氧、硼与磷中的一或多者。
集成结构用于形成方法

[发明专利]具有粗糙材料填充物的集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202080048262.9在审
发明人： N·R·塔皮亚斯;A·李;A·W·扎克斯勒;K·舍罗特瑞;E·R·拜尔斯;M·J·金;D·T·N·德兰;吴慧盈;A·A·汗埃卡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有延伸到集成配置中的开口的结构。第一材料位于所述开口内且经配置以产生相对于所述开口的侧壁的波状构形。所述波状构形具有由平均粗糙度参数Rmean特征化的表面粗糙度，所述Rmean是沿所述波状构形的平均峰谷距离。所述Rmean是至少约4nm。第二材料位于所述开口内且沿所述波状构形的至少一部分。所述第一材料及所述第二材料在组成上彼此不同。一些实施例包含集成组合件。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
具有粗糙材料填充物集成组合形成方法

[发明专利]使用可在不同温度下移除的材料形成电子装置的方法-CN202110584951.8在审
发明人： C·S·蒂瓦里;K·舍罗特瑞 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本申请案涉及使用可在不同温度下移除的材料形成电子装置的方法。一种方法包括形成包括交替的第一材料和第二材料的堆叠前体，所述第一材料与所述第二材料展现不同熔点。移除所述交替的第一材料和第二材料的一部分以形成穿过所述交替的第一材料和第二材料的柱状开口。在所述柱状开口中形成牺牲材料。移除所述第一材料以在所述第二材料之间形成第一空间，所述第一材料经调配以在第一移除温度下呈液相或气相。在所述第一空间中形成传导性材料。移除所述第二材料以在所述传导性材料之间形成第二空间，所述第二材料经调配以在第二移除温度下呈液相或气相。在所述第二空间中形成介电材料。从所述柱状开口移除所述牺牲材料，且在所述柱状开口中形成单元材料。
使用不同温度下移材料形成电子装置方法

[发明专利]集成式组合件和形成集成式组合件的方法-CN202110466213.3在审
发明人： S·索尔斯;K·舍罗特瑞;M·托鲁姆 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请涉及集成式组合件及形成集成式组合件的方法。一些实施例包含一种集成式组合件，其具有交替的绝缘和导电层级的竖直堆叠。所述导电层级具有端子区域和非端子区域。所述端子区域在竖直方向上厚于所述非端子区域。沟道材料竖直延伸穿过所述堆叠。隧穿材料邻近所述沟道材料。电荷存储材料邻近所述隧穿材料。高k介电材料处于所述电荷存储材料和所述导电层级的所述端子区域之间。所述绝缘层级在相邻导电层级的所述端子区域之间具有含碳第一区域，且在所述相邻导电层级的所述非端子区域之间具有第二区域。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]可编程电荷存储晶体管、存储器单元和形成绝缘体材料的方法-CN201910313620.3有效
发明人：王翡;K·舍罗特瑞;J·B·赫尔;A·A·汉德卡;毛铎;徐志鑫;黄壹壹;李杰;梁东 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种可编程电荷存储晶体管、存储器单元和形成绝缘体材料的方法。一种形成Si3Nx的方法，其中“x”小于4且至少为3，所述方法包括将包括Si的前体分子分解为彼此不同的至少两个分解物质，所述至少两个不同分解物质中的至少一个包括Si。使外部衬底表面与所述至少两个分解物质接触。包括Si的所述分解物质中的至少一个附着到所述外部衬底表面以包括附着物质。使所述附着物质与包括N的前体接触，所述包括N的前体与所述附着物质反应以形成包括Si3Nx的反应产物，其中“x”小于4且至少为3。公开其它实施例，其包含根据本发明的方法实施例制造的构造和独立于制造方法的构造。
可编程电荷存储晶体管存储器单元形成绝缘体材料方法

[发明专利]存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202011398897.X在审
发明人： M·西迪克;C·M·卡尔森;T·H·金;K·舍罗特瑞;S·文卡特桑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。包括存储器单元串的存储器阵列包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。所述堆叠中的所述存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层和所述导电层的沟道材料串和存储材料串。所述绝缘层的个别中的所述存储材料串的存储材料中的至少一些比所述导电层的个别中的所述存储材料串中的存储材料固有地更不具电荷透射性。公开其它方面，包含方法。
存储器阵列用于形成包括单元方法

[发明专利]立面延伸的存储器单元串的晶体管和阵列-CN201880083165.6在审
发明人： D·H·韦尔斯;L·C·特兰;李杰;A·A·汗埃卡;K·舍罗特瑞 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：晶体管包含具有第一侧和相对的第二侧的沟道材料。栅极在所述沟道材料的所述第一侧上，并且栅极绝缘体在所述栅极和所述沟道材料之间。第一绝缘材料具有第一侧和相对的第二侧，所述第一侧邻近所述沟道材料的所述第二侧。与所述第一绝缘材料的成分不同的第二绝缘材料邻近所述第一绝缘材料的所述第二侧。所述第二绝缘材料具有(a)、(b)和(c)中的至少一种，其中，(a)：低于所述第一材料的氧扩散率，(b)：净正电荷，和(c)：所述第一材料的至少两倍的剪切强度。在一些实施例中，立面延伸的存储器单元串的阵列包含此类晶体管。公开了其它实施例，包括方法。
延伸存储器单元晶体管阵列

[发明专利]形成晶体管的沟道区的方法和用于形成存储器阵列的方法-CN201880076542.3在审
发明人： D·H·韦尔斯;A·A·汗埃卡;K·舍罗特瑞;李杰 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：晶体管包括具有第一和第二相对侧的沟道材料。栅极在所述沟道材料的所述第一侧上且栅极绝缘体在所述栅极与所述沟道材料之间。第一绝缘材料具有第一和第二相对侧，其中所述第一侧邻近于所述沟道材料的所述第二侧。具有不同于所述第一绝缘材料的组合物的第二绝缘材料邻近于所述第一绝缘材料的所述第二侧。所述第二绝缘材料具有(a)、(b)和(c)中的至少一者，其中(a):低于所述第一材料的氧扩散率，(b):净正电荷，和(c):比所述第一材料至少大两倍的抗剪强度。在一些实施例中，存储器单元的垂直延伸串的阵列包括此类晶体管。揭示包含方法的其它实施例。
形成晶体管沟道方法用于存储器阵列

[发明专利]竖向延伸的存储器单元串的阵列和形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法-CN201910450899.X在审
发明人：解志强;C·M·卡尔森;J·B·德胡特;A·A·汉德卡;G·莱特;R·迈耶;K·R·帕雷克;D·帕夫洛珀罗斯;K·舍罗特瑞 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请涉及竖向延伸的存储器单元串的阵列和形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法。一种竖向延伸的存储器单元串的阵列包括交替的绝缘层与字线层的竖直堆叠。所述字线层具有对应于个别存储器单元的控制栅极区的末端。所述控制栅极区个别地包括所述字线层中的个别字线层中的字线的部分。所述个别存储器单元的电荷阻挡区竖向地沿着所述个别控制栅极区延伸。所述个别存储器单元的电荷存储材料竖向地沿着所述电荷阻挡区中的个别电荷阻挡区延伸。沟道材料竖向地沿着所述竖直堆叠延伸。绝缘电荷传递材料横向地位于所述沟道材料与所述电荷存储材料之间。竖向延伸的壁横向地分离所述字线中的横向紧邻的字线。所述壁包括横向外部绝缘材料和横向地横跨所述横向外部绝缘材料之间的含硅材料。所述含硅材料包括至少30原子％的元素形式硅或含硅合金中的至少一种。还公开了其它方面，包含方法。
竖向延伸字线层存储器单元串存储器单元控制栅极区电荷阻挡区竖向字线电荷存储材料外部绝缘材料沟道材料含硅材料竖直堆叠延伸绝缘层电荷传递材料含硅合金元素形式交替的所述壁绝缘横跨申请

[发明专利]包含梯级结构的半导体装置和相关方法-CN201811613043.1在审
发明人： J·B·马托武;D·S·梅亚德;G·达马拉;S·S·S·维格昂塔;K·舍罗特瑞;S·萨拉夫;K·R·加斯特;J·K·K·琼斯拉曼;S·拉玛罗杰;徐丽芳;R·K·本斯利;R·纳鲁卡尔;M·J·金 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请案涉及包含梯级结构的半导体装置及相关方法。一种形成半导体结构的方法包含：在包括电介质材料和另一材料的交替层的堆叠上方形成牺牲材料；穿过所述牺牲材料和所述电介质材料和所述另一材料的所述交替层中的至少一些形成开口；在所述牺牲材料的所述开口和上覆表面中形成至少一种氧化物材料，所述至少一种氧化物材料的最上表面比所述电介质材料和所述另一材料的最上层从衬底的表面延伸更远；平坦化所述至少一种氧化物材料的一至少部分以暴露所述牺牲材料的一部分；及移除所述牺牲层，同时所述至少一种氧化物材料的所述最上表面保持比所述电介质材料和所述另一材料的所述交替层的所述最上层从所述衬底的所述表面延伸更远。揭示形成半导体结构和相关半导体装置的相关方法。
电介质材料氧化物材料牺牲材料交替层半导体结构半导体装置表面延伸梯级结构上表面最上层衬底开口相关半导体装置平坦化申请案牺牲层堆叠移除穿过暴露

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