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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]带有选择栅极晶体管的NAND结构-CN201780005097.7有效
发明人： J.萨布德;J.帕查穆图;P.拉布金 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：描述了通过使用NAND串的不同部分之间的一个或多个层选择栅极晶体管来改善非易失性存储器的性能的系统和方法。第一存储器串层可以包括第一组存储器单元晶体管，第一组存储器单元晶体管可以被编程以储存第一组数据，并且第二存储器串层可以包括第二组存储器单元晶体管，第二组存储器单元晶体管布置在第一组晶体管上方并且可以被编程以储存第二组数据。在第一组存储器单元晶体管与第二组存储器单元晶体管之间可以包括与第一组存储器单元晶体管和第二组存储器单元晶体管串联的层选择栅极晶体管。层选择栅晶体管可以包括可编程的晶体管或不可编程的晶体管。
带有选择栅极晶体管 nand 结构

[发明专利]用于解决串到串短接的存储器控制器-CN202110371020.X在审
发明人： J.帕查穆图;R.鲍德尔;D.巴拉德瓦杰 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明题为“用于解决串到串短接的存储器控制器”。在一个实施方案中，一种存储器控制器包括存储器接口和控制器电路。该存储器接口被配置为与存储器接口进行交互，该存储器接口被配置为与具有多个存储器块的存储器进行交互。每个存储器块具有多个串。该控制器电路被配置为：在一个存储器块的第一编程操作期间对该存储器块中的一者执行串缺陷泄漏检查，基于该串缺陷泄漏检查来确定一个存储器块是否具有一个或多个串到串短接，以及响应于确定该存储器块中的一者具有串到串短接而解决该串到串短接。
用于解决串到串短接存储器控制器

[发明专利]包括断裂的半导体管芯的半导体器件-CN202010547819.5在审
发明人： D.林恩;K.佩利亚南;J.帕查穆图;N.西尔;J.多拉基亚;E.莱昂斯四世;H.休恩;D.丁 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明公开一种断裂的半导体管芯，以及包括所述断裂的半导体管芯的半导体器件。在晶圆中的半导体管芯的制造期间，可在穿过每行半导体管芯的部分的一系列平行划线中刻划晶圆。该划线然后传播穿过晶圆的整个厚度，以使每个半导体管芯的一部分断裂。可能发生的是，在管芯断裂过程期间，在存储器单元阵列中的电迹线诸如位线短接在一起。可通过使电流流过每条电迹线来清除这些电短路。
包括断裂半导体管芯半导体器件

[发明专利]非易失性存储器编程顺序-CN202010541601.9在审
发明人： D.利嫩;J.帕查穆图;K.佩里亚南 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种设备包含非易失性存储器和配置成对所述非易失性存储器进行编程的控制电路。所述控制电路配置成改变编程顺序。在一个方面中，所述控制电路改变从一个时间点到另一时间点对字线进行编程的所述顺序。在一个方面中，所述控制电路使用一种顺序以对一个字线集合进行编程且使用不同顺序以对不同的字线集合进行编程。所述字线集合可以在不同子块、存储器块或存储器裸片中。此类编程顺序差异可改进错误恢复性能。
非易失性存储器编程顺序

[发明专利]具有高k电荷俘获层的存储器单元-CN201680013845.1有效
发明人： P.拉布金;J.帕查穆图;J.阿尔斯梅尔;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本文公开了包含具有高k电荷存储区域的存储器单元的非易失性存储器件，以及其制造方法。电荷存储区域具有三层或更多层的电介质材料。至少一层是高k材料。(多个)高k层具有比Si3N4更高的陷阱密度。电荷存储区域中的高k电介质增强了与存储器单元沟道的电容耦合，其可以改善存储器单元电流、编程速度和擦除速度。电荷存储区域具有高‑低‑高的导带偏移，其可以改善数据保持。电荷存储区域具有低‑高‑低的价带偏移，其可以改善擦除。
具有电荷俘获存储器单元

[发明专利]具有异质结构量子阱沟道的三维存储器器件-CN201680015932.0有效
发明人： P.拉布金;J.帕查穆图;J.阿尔斯梅尔;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：可以在延伸穿过包括控制栅电极的多个导电层的垂直半导体沟道中形成被限制在二维圆柱形区域的圆柱形限制的电子气。在存储器开口中的存储器膜被插入在垂直半导体沟道和导电层之间。垂直半导体沟道包括更宽带隙的半导体材料和窄带隙半导体材料。在更宽带隙的半导体材料和窄带隙半导体材料之间的界面处形成圆柱形限制的电子气。作为二维电子气，圆柱形限制的电子气可以为垂直半导体沟道提供高电荷载流子迁移率，其可以有利地用于为三维存储器器件提供更高的性能。
具有结构量子沟道三维存储器器件

[发明专利]形成具有高k电荷俘获层的方法-CN201680013849.X有效
发明人： P.拉布金;J.帕查穆图;J.阿尔斯梅尔;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本文公开了包含具有高k电荷存储区域的存储器单元的非易失性存储器件，以及其制造方法。电荷存储区域具有三层或更多层的电介质材料。至少一层是高k材料。(多个)高k层具有比Si3N4更高的陷阱密度。电荷存储区域中的高k电介质增强了与存储器单元沟道的电容耦合，其可以改善存储器单元电流、编程速度和擦除速度。电荷存储区域具有高‑低‑高的导带偏移，其可以改善数据保持。电荷存储区域具有低‑高‑低的价带偏移，其可以改善擦除。
形成具有电荷俘获方法

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