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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]柔性夹具-CN202310376789.X在审
发明人： T·A·马尔多;李根赫;J·蒂萨艾尔 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及柔性夹具。一种夹具预成型件包括管芯接触部分和校准器结构。中间部分将管芯接触部分连接到校准器结构中的引线接触部分。管芯接触部分被配置为接触半导体管芯。校准器结构被配置为将引线接触部分附接到引线柱。管芯接触部分、中间部分和校准器结构形成用于将半导体管芯连接到引线柱的主夹具的结构。通过去除夹具预成型件的管芯接触部分和中间部分的一部分以形成用于将半导体管芯连接到引线柱的辅助夹具，可分割夹具预成型件。夹具预成型件的校准器结构、管芯接触部分的其余部分和中间部分的其余部分形成辅助夹具的结构。
柔性夹具

[发明专利]功率半导体器件模块中的杂散电感降低-CN202310071611.4在审
发明人：全五燮;林承园;R·保尔;J·蒂萨艾尔 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本公开涉及功率半导体器件模块中的杂散电感降低。在总体方面，模块可以包括其上实现有半导体电路的基板以及经由基板与半导体电路电耦合的负电源端子。负电源端子包括布置在第一平面中的连接片。该模块还包括经由基板与半导体电路电耦合的第一正电源端子和第二正电源端子。第一正电源端子与负电源端子横向部署并且包括布置在第一平面中的连接片。第二正电源端子与负电源端子横向部署并布置在第一平面中，使得负电源端子部署在第一正电源端子与第二正电源端子之间。
功率半导体器件模块中的电感降低

[发明专利]浸没式直接冷却模块及相关方法-CN202210668868.3在审
发明人：全五燮;林承园;高英仙;J·蒂萨艾尔;M·J·塞登 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及浸没式直接冷却模块及相关方法。半导体封装的实施方式可包括一个或多个半导体管芯，该一个或多个半导体管芯仅直接耦接到包括两条或更多条引线的直接引线框附接(DLA)引线框；以及涂层，该涂层覆盖该一个或多个半导体管芯和该DLA引线框，其中当该半导体封装耦接到浸没式冷却壳体中时，该涂层可与介电冷却剂接触，而该两条或更多条引线延伸出该浸没式冷却壳体。
浸没直接冷却模块相关方法

[发明专利]使用封装中封装系统的半导体封装及相关方法-CN202110151135.8在审
发明人：劉仁弼;M·C·艾斯达西欧;J·蒂萨艾尔;林承園;柱陽嚴 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及使用封装中封装系统的半导体封装及相关方法。半导体封装的实现方式可以包括：两个或更多个管芯，所述两个或更多个管芯中的每一管芯在所述两个或更多个管芯中的各管芯的漏极处耦接到金属层，所述两个或更多个管芯和各金属层布置在两个平行平面中；第一互连层，其耦接在所述两个或更多个管芯中的每个管芯的源极处；第二互连层，通过一个或多个通孔耦接到所述两个或更多个管芯中的每个管芯的栅极和栅极封装接触；以及包封剂，其包封所述两个或更多个管芯以及第一互连层、每个金属层和第二互连层的至少一部分。
使用封装系统半导体相关方法

[实用新型]夹片和半导体封装件-CN202022183381.5有效
发明人：刘仁弼;林承园;J·严;J·蒂萨艾尔 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及夹片和半导体封装件。夹片的具体实施可包括直接键合到陶瓷层的第一侧的第一铜层、直接键合到陶瓷层的第二侧的第二铜层以及部分地蚀刻到第二铜层的厚度中的多个沟道，陶瓷层的第二侧与陶瓷层的第一侧相背对。
半导体封装

[发明专利]半导体夹片以及相关方法-CN202011337206.5在审
发明人： T·马尔多;李根赫;J·蒂萨艾尔;徐正巧;刘志凌 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明题为“半导体夹片以及相关方法”。半导体夹片的实施方式可包括：耦接到阶梯部分的管芯附接部分；直接耦接到阶梯部分的引线附接部分；直接耦接到引线附接部分的第一侧面的第一对准特征部；和直接耦接到引线附接部分的第二侧面的第二对准特征部。第二侧面可与第一侧面相背对。引线附接部分可位于与由管芯附接部分形成的平面基本上平行的平面中。
半导体以及相关方法

[发明专利]半导体器件组件-CN202010535742.X在审
发明人： J·蒂萨艾尔;吴宗麟;B·多斯多斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明题为“半导体器件组件”。在一般方面，一种半导体器件装置可包括引线框，该引线框包括多个引线，该多个引线被配置成为该装置提供电气连接。该装置还可包括设置在引线框上的半导体管芯以及将半导体管芯与引线框电耦接的导电夹。该装置还可包括设置在导电夹上的散热块。该散热块可包括导热并且电绝缘的材料。
半导体器件组件

[发明专利]用于功率模块的热传递-CN202010412781.0在审
发明人：刘仁弼;J·蒂萨艾尔;林承园;姜东旭 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明题为“用于功率模块的热传递”。在一个总体方面，装置可以包括衬底、与该衬底的第一表面耦接的半导体管芯以及设置在该衬底的第二表面上的金属层。第二表面可以与第一表面相对。该装置还可以包括与金属层耦接的多个金属翅片以及与金属层耦接的金属环。金属环可以包围多个金属翅片。
用于功率模块传递

[发明专利]功率半导体器件封装件-CN202010011859.8在审
发明人： T·马尔多;李根赫;J·蒂萨艾尔 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明题为“功率半导体器件封装件”。在总体方面，半导体器件封装件可以包括引线框。半导体器件封装件还可以包括与引线框的第一部分的第一侧耦接的第一半导体管芯以及与引线框的第一部分的第二侧耦接的第二半导体管芯。半导体器件封装件还可以包括与第一半导体管芯的第二侧耦接的第一衬底。该第一衬底可以进一步与引线框的第二部分的第一侧以及引线框的第三部分的第一侧耦接。半导体器件封装件还可以进一步包括与第二半导体管芯的第二侧耦接的第二衬底。该第二衬底可以进一步与引线框的第二部分的第二侧以及引线框的第三部分的第二侧耦接。
功率半导体器件封装

[发明专利]SIC MOSFET半导体封装件及相关方法-CN201910861400.4在审
发明人： M·C·艾斯达西欧;J·蒂萨艾尔;E·A·卡巴雨歌 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明题为“SIC MOSFET半导体封装件及相关方法”。本发明公开了一种半导体封装件。半导体封装件的具体实施方式可以包括：一个或多个半导体管芯，该一个或多个半导体管芯耦接在基架和夹具之间，该基架包括与一个或多个半导体管芯的栅极焊盘耦接的基架的栅极焊盘以及与一个或多个半导体管芯的源极焊盘耦接的基架的源极焊盘，其中基架的栅极焊盘延伸超出一个或多个半导体管芯的周边。
sic mosfet 半导体封装相关方法

[发明专利]功率模块的热传递-CN201910357983.7在审
发明人： J·蒂萨艾尔;R·保尔;李德龙 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明题为“功率模块的热传递”。在一个一般方面，本发明公开了一种装置，所述装置可包括具有半导体管芯的模块。所述装置可包括散热器，所述散热器耦接到所述模块并且包括衬底和多个凸起。所述装置可包括具有通道的盖，其中所述散热器的所述多个凸起设置在所述通道内，并且所述装置可包括设置在所述盖和所述模块之间的密封机构。
散热器功率模块热传递半导体管芯密封机构凸起设置衬底凸起

[实用新型]电路装置-CN201721135902.1有效
发明人： J·蒂萨艾尔;R·马纳泰德;吴宗麟;B·多斯多斯;E·I·阿尔马格罗;M·C·艾斯达西欧 -专利权人：快捷半导体有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及电路装置。在一般方面，电路装置可以包括引线框架，引线框架包括被配置为与印刷电路板耦接的多个引线。多个引线可以沿着装置的单个边缘而布置。装置也可以包括组件，组件包括基板以及布置在基板上的多个半导体管芯。组件可以安装在引线框架上。装置还可以包括具有第一端子和第二端子的电感器。电感器的第一端子可以经由第一接触焊盘与引线框架耦接，并且电感器的第二端子可以经由第二接触焊盘与引线框架耦接。引线框架、组件和电感器可以按照层叠构型布置。
引线框架电感器电路装置耦接接触焊盘基板半导体管芯本实用新型印刷电路板组件包括构型配置

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