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[发明专利]快速充电预锂化硅负极-CN202180023900.6在审
发明人： M·亚科夫列瓦;K·B·菲奇;J·夏 -专利权人：利文特美国公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：具有正极和负极的电池，该负极具有三维多孔骨架。负极包括用锂源锂化的负极活性材料。来自锂源的锂颗粒在扩散期间与负极活性材料合金化或嵌入负极活性材料，以形成三维多孔骨架。多孔骨架减少了由于体积膨胀引起的电极劣化。
快速充电预锂化硅负极

[发明专利]双栅极导体晶体管及相关方法-CN201980037906.1有效
发明人： T·K·卡斯特罗;M·A·祖尼加;B·法特米扎德赫;A·布兰德;J·夏;R·辛格;M·徐;C-N·倪 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构和垂直栅极。该垂直栅极包括：(a)第一栅极导体和第二栅极导体，各自在厚度方向上从该硅半导体结构的第一外表面延伸到该硅半导体结构中，(b)第一隔离电介质层，该第一隔离电介质层在该垂直栅极内将该第一栅极导体与该第二栅极导体隔离，以及(c)栅极电介质层，该栅极电介质层将该第一栅极导体和该第二栅极导体中的每一个与该硅半导体结构隔离。
栅极导体晶体管相关方法

[发明专利]多晶体管器件-CN201910123703.6有效
发明人： V·帕拉;V·帕塔萨拉蒂;B·法特米扎德赫;M·A·祖尼加;J·夏 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种多晶体管器件包括共享第一p型降低表面场(RESURF)层和第一漏极n+区的第一和第二横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管。在某些实施例中，所述第一LDMOS晶体管包括第一漂移区，所述第二LDMOS晶体管包括第二漂移区，并且所述第一和第二漂移区在厚度方向上至少部分地被所述第一p型RESURF层分离开。
多晶体器件

[发明专利]印刷锂箔和膜-CN201980094370.7在审
发明人： M·雅科夫列娃;K·B·菲奇;W·A·格里特尔;J·夏 -专利权人： FMC锂业美国公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：提供了一种涂有可印刷锂组合物的基板。可印刷锂组合物包含锂金属粉末；聚合物粘合剂，其中聚合物粘合剂与锂粉相容；和与锂粉和聚合物粘合剂相容的流变改性剂，其中流变改性剂能分散在组合物中并提供三维支撑结构以在用该组合物涂覆时进一步改善电极的电化学性能。基板可以并入电池中。在一个实施方案中，电池包括阴极、电解质和阳极，其中阴极、电解质、隔膜、阳极或它们的组合可各自包括涂覆有可印刷锂组合物的基板。
印刷

[发明专利]使用可印刷锂的电池-CN201980094296.9在审
发明人： M·雅科夫列娃;K·B·菲奇;J·夏;W·A·小格里特尔 -专利权人： FMC锂业美国公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：提供了一种具有阴极和复合阳极的电池。在一个实施方案中，复合阳极可包括锂金属阳极、固体电解质和至少一个界面层。界面层提高了固体电解质的表面的均匀性，从而为了更好的电池性能优化锂金属阳极的表面与固体电解质的表面之间的接触。阳极和/或该界面可由可印刷锂组合物形成，该可印刷锂组合物包含锂金属粉末、与锂金属粉末相容的聚合物粘合剂、与锂金属粉末相容的流变改性剂、以及与锂金属粉末和聚合物粘合剂相容的溶剂。阴极可以是复合阴极。在另一个实施方案中，可印刷锂组合物可以是箔或膜的形式。
使用可印刷电池

[发明专利]LDMOS晶体管及相关系统和方法-CN202110156670.2在审
发明人： J·夏;M·A·祖尼加;B·法特米扎德赫;V·帕塔萨拉蒂 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构；第一栅极结构和第二栅极结构和沟槽电介质层。第一栅极结构和第二栅极结构设置在硅半导体结构上并且在横向方向上彼此分离。沟槽电介质层设置在硅半导体结构中的沟槽中，并且在正交于横向方向的厚度方向上至少部分地在第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个下方延伸。
ldmos 晶体管相关系统方法

[发明专利]IOT安全中基于模式匹配的检测-CN201980047450.7在审
发明人： J·杜;M·王;H·D·埃加拉多;J·夏 -专利权人：帕洛阿尔托网络公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：公开了用于提供物联网（IoT）安全的技术。一种适用的系统包括对IoT设备进行剖析以限制适用于IoT设备的网络签名的数量，并使用对于给定IoT设备的简档而言适当的模式来执行模式匹配。
iot 安全基于模式匹配检测

[发明专利]LDMOS晶体管及相关系统和方法-CN201710367154.8有效
发明人： J·夏;M·A·祖尼加;B·法特米扎德赫;V·帕塔萨拉蒂 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构；第一栅极结构和第二栅极结构和沟槽电介质层。第一栅极结构和第二栅极结构设置在硅半导体结构上并且在横向方向上彼此分离。沟槽电介质层设置在硅半导体结构中的沟槽中，并且在正交于横向方向的厚度方向上至少部分地在第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个下方延伸。
ldmos 晶体管相关系统方法

[发明专利]用于热插拔控制器的通信端子-CN202010788169.3在审
发明人： J·J·西蒙森;J·夏 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本公开涉及用于热插拔控制器的通信端子。提供了一种热插拔控制器调节从输入节点到耦合至输出节点的负载的电力供应。所述控制器包含至少一条限制电路，其被配置为控制连接在所述输入节点和所述负载之间的第一开关，以限制用于施加至所述负载的所述第一开关的输出电流。控制逻辑电路确定所述第一开关的状态并输出局部状态信号，并且通信电路响应于所述局部状态信号，在通信电路输出处建立对应于局部状态的电平(例如电压或电流)。还提供了通信端子，其响应于所述通信输出并且适于连接至第二热插拔控制器的第二通信端子，以将所述局部状态传递至所述第二热插拔控制器。
用于热插拔控制器通信端子

[发明专利]使用激光超声检测系统检测复合结构的系统和方法-CN201310521553.7有效
发明人： R·H·波西;G·E·乔治森;J·R·科尔戈埃罗;A·F·斯蒂沃特;W·P·莫泽;C·L·戈登三世;M·奥唐纳;J·夏;I·佩利万乌;W·陈 -专利权人：波音公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本发明涉及使用激光超声检测系统检测复合结构的系统和方法。提供用于检测复合结构的方法和设备。产生具有多个特性的脉冲激光束。多个特性中的每一个都在选择的范围内。朝着由多种复合材料构成的复合结构引导由激光产生系统产生的脉冲激光束。当脉冲激光束接触复合结构时，在复合结构中形成多个超声波，没有引起复合结构中的在选择的公差之外的任何不期望的不相容性。
使用激光超声检测系统复合结构方法

[发明专利]用于形成电池电极的可印刷锂组合物-CN201980030051.X在审
发明人： M·雅科夫列娃;K·B·菲奇;W·A·小格里特尔;J·夏 -专利权人： FMC锂业美国公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本申请提供在基材上沉积锂以形成电极的方法。所述方法包括在基材上施加可印刷锂组合物，其包含锂金属粉末、与所述锂金属粉末相容的聚合物粘合剂、与所述锂金属粉末相容的流变改性剂以及与所述锂金属粉末且与所述聚合物粘合剂相容的溶剂。
用于形成电池电极可印刷组合

[发明专利]施加用于形成电池电极的可印刷锂组合物的方法-CN201980030084.4在审
发明人： K·B·菲奇;M·雅科夫列娃;W·A·小格里特尔;J·夏 -专利权人： FMC锂业美国公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本申请提供在基材上沉积锂以形成电极的方法。所述方法包括在基材上施加可印刷锂组合物，其包含锂金属粉末、与所述锂金属粉末相容的聚合物粘合剂、与所述锂金属粉末相容的流变改性剂以及与所述锂金属粉末且与所述聚合物粘合剂相容的溶剂。
施加用于形成电池电极可印刷组合方法

[发明专利]固态电池-CN201980030085.9在审
发明人： M·雅科夫列娃;K·B·菲奇;J·夏;W·A·小格里特尔 -专利权人： FMC锂业美国公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本申请提供包含正极、负极和固体电解质的固态电池。在一个实施方案中，所述正极、负极和/或固体电解质由可印刷锂组合物形成，其中所述可印刷锂组合物包含锂金属粉末、与所述锂金属粉末相容的聚合物粘合剂、与所述锂金属粉末相容的流变改性剂以及与所述锂金属粉末且与所述聚合物粘合剂相容的溶剂。在另一个实施方案中，使用锂可印刷锂组合物在所述固体电解质上沉积锂，其中所述锂可印刷锂组合物包含锂金属粉末、与所述锂金属粉末相容的聚合物粘合剂、与所述锂金属粉末相容的流变改性剂以及与所述锂金属粉末且与所述聚合物粘合剂相容的溶剂。
固态电池

[发明专利]包括具有多个介电区段的垂直栅的LDMOS晶体管及相关方法-CN201810601858.1在审
发明人： T·K·卡斯特罗;R·辛格;B·法特米扎德赫;A·布兰德;J·夏;C-N·倪;M·A·祖尼加 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，该晶体管包括硅半导体结构和垂直栅。该垂直栅包括：(a)栅导体，该栅导体从该硅半导体结构的第一外表面延伸进入该硅半导体结构中；以及(b)栅电介质层，该栅电介质层包括至少三个介电区段。这至少三个介电区段中的每一个介电区段将该栅导体与该硅半导体结构分隔开相应的分隔距离，其中，这些相应的分隔距离中的每一个与这些相应的分隔距离中的另一个彼此不相同。
硅半导体结构介电分隔距离垂直栅栅导体栅电介质层晶体管横向双扩散金属氧化物半导体分隔延伸

[发明专利]包括RESURF层和阶跃栅极的LDMOS晶体管以及相关联的系统和方法-CN201710303816.5在审
发明人： J·夏;M·A·祖尼加;B·法特米扎德赫 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管，包括硅半导体结构，该硅半导体结构包括(a)基层，(b)在厚度方向上设置于该基层之上的p型减少表面场效应(RESURF)层，(c)在厚度方向上设置于该p型RESURF层之上的p体区，(d)均设置于该p体区中的源极p+区域和源极n+区域，(e)在正交于厚度方向的横向方向上邻近该p体区设置的高压n型横向扩散漏极(HVNLDD)，该HVNLDD接触该p型RESURF层，和(f)设置于该HVNLDD中的漏极n+区域。该LDMOS晶体管可进一步包括(a)在厚度方向上并且在p体区和HVNLDD的至少部分之上设置于硅半导体结构上的第一电介质层和(b)在厚度方向上设置于该第一电介质层上的第一栅极导体。
包括 resurf 阶跃栅极 ldmos 晶体管以及相关系统方法

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