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- [发明专利]负电荷泵调节-CN201410095381.6有效
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J·S·朝伊;G·J·马勒;K·拉曼安
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恩智浦美国有限公司
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2014-03-14
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2019-05-03
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H02M3/07
- 本发明涉及负电荷泵调节。负电荷泵（110）对泵使能信号（410）进行响应。压控电流源（120）提供电流（350）。电阻器（150）耦合至源自所述压控电流源的结点（351）和源自所述负电荷泵的负电荷输出（325）之间。电容器（142）被设置为与所述电阻器并联。比较器（130）生成所述泵使能信号以控制所述负电荷泵。所述比较器耦合至所述电阻器和所述电容器，并且测量跨其的IR降并且将该测量结果相对于参考阈值（134）进行比较。所述泵使能信号的电平可以通过调谐所述电阻器的电阻量或电容器或者调整所述参考阈值而可变。存储器（180）可以被所述负电荷泵的方法驱动。
- 负电荷调节
- [发明专利]控制半导体电路中功率的系统及方法-CN201310625020.3有效
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J·S·朝伊;K·A·伊尔根斯坦
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飞思卡尔半导体公司
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2013-11-28
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2017-05-03
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G05F3/24
- 本公开涉及控制半导体电路中电源的系统及方法。一种功率控制电路包括多个晶体管，耦接在电源节点（VDD）和栅控电压电源节点（VDDi）之间，其中所述多个晶体管（102、104、106）中的第一晶体管的栅电极被耦接以接收功率控制信号，其中，响应于所述功率控制信号的断言，将所述第一晶体管置于导通状态；第一电压比较器（112），其中，响应于所述功率控制信号的断言，当所述栅控电压电源节点上的电压达到第一参考电压时，将所述多个晶体管中的第二晶体管置于导通状态；以及第二电压比较器（114），其中，响应于所述功率控制信号的断言，当所述栅控电压电源节点上的所述电压达到与所述第一参考电压不同的第二参考电压时，将所述多个晶体管中的第三晶体管置于导通状态。
- 控制半导体电路功率系统方法
- [发明专利]非易失性存储器块的软编程-CN201110195445.6有效
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J·S·朝伊;何晨;M·A·萨德
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飞思卡尔半导体公司
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2011-07-13
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2012-03-14
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G11C16/34
- 本发明涉及非易失性存储器块的软编程。提供了一种方法，其包括擦除位(254)以及识别已经通过擦除被过擦除的位(272)。对已经被过擦除的位的第一子集软编程(274)。测量对位的第一子集软编程的结果。基于对位的第一子集软编程的结果，从多个可能的电压条件中选择初始电压条件(276，280)。对已经被过擦除的位的第二子集软编程(258)。所述软编程(258)将初始电压条件应用至位的第二子集中的位。第二子集包括在选择步骤发生时仍是被过擦除的位。结果是对第二子集的软编程可以在用于快速实现所需软编程的更优化的点开始，以将所有位带入期望的擦除情形。
- 非易失性存储器编程
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