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[发明专利]包含结合垫和结合导线或夹子的半导体器件-CN201910175642.8有效
发明人： A·毛德;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：半导体器件(500)包含结合垫(300)，结合垫(300)包含具有基底层(317)的基底部分(310)。结合导线或夹子(410)结合到结合垫(300)的主表面(301)的结合区域(305)。补充结构(350)与邻接结合区域(305)的基底部分(310)直接接触。补充结构(350)的比热容高于基底层(317)的比热容。
包含结合导线夹子半导体器件

[发明专利]具有在任一侧到器件的电通路的多器件半导体芯片-CN202111330663.6在审
发明人： E·菲尔古特;P·弗里德里希斯;R·奥特伦巴;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种半导体芯片，包括：具有主表面和与主表面相对的后表面的半导体主体；设置在主表面上的第一接合焊盘；设置在后表面上的第二接合焊盘；第一开关器件，单片集成在半导体主体中并且具有电连接到第一接合焊盘的第一输入‑输出端子；以及第二开关器件，单片集成在半导体主体中并且具有电连接到第二接合焊盘的第一输入‑输出端子。
具有在任一侧器件通路半导体芯片

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810111658.8有效
发明人： A·布罗克迈耶;F·希勒;F·J·桑托斯罗德里格斯;D·施勒格尔;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。具体而言，外延槽形成在半导体衬底中，其中半导体衬底的矩阵区段横向地分隔外延槽并且包括第一半导体材料。晶体的第二半导体材料的外延区域在外延槽中形成，其中第二半导体材料与第一半导体材料的不同之处在于孔隙率和杂质含量中的至少一种。由外延区域形成半导体器件的半导体主体的至少主要主体部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有降低的反馈电容的IGBT-CN201810491009.5有效
发明人： C·P·桑道;H-J·舒尔策;J·G·拉文;F·J·涅德诺斯塞德;F·D·普菲尔施;H-P·菲尔斯尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。
具有降低反馈电容 igbt

[发明专利]具有背侧金属结构的器件及其形成方法-CN201710660496.9有效
发明人： J·鲍姆加特尔;O·黑尔蒙德;I·莫德;I·穆里;T·C·奈德哈特;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：形成填充有牺牲材料的沟槽。所述沟槽从第一侧延伸到半导体衬底中。在所述半导体衬底的第一侧和所述沟槽之上形成外延层。从所述半导体衬底的与所述第一侧相反的第二侧去除所述沟槽中的牺牲材料。用导电材料填充所述沟槽。
具有金属结构器件及其形成方法

[发明专利]垂直功率半导体器件及制造方法-CN202110382152.2在审
发明人： H-J·舒尔策;C·耶格;M·耶利内克;D·施勒格尔;B·施托伊布 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提出了一种垂直功率半导体器件（100）。该垂直功率半导体器件（100）包括半导体本体（102），其具有第一主表面（104）和沿着垂直方向（y）与第一主表面（104）相对的第二主表面（106）。垂直功率半导体器件（100）还包括半导体本体（102）中的漂移区（108）。漂移区（108）包括铂原子（109）。垂直功率半导体器件（100）还包括漂移区（108）与第二主表面（106）之间的半导体本体（102）中的场停止区（110）。场停止区（110）包括多个杂质峰（P1、P2）。多个杂质峰（P1、P2）中的第一杂质峰（P1）具有比多个杂质峰（P1、P2）中的第二杂质峰（P2）更大的浓度（c）。第一杂质峰（P1）包括氢，而第二杂质峰（P2）包括氦。
垂直功率半导体器件制造方法

[发明专利]用于分割半导体装置的方法和半导体装置-CN201710865895.9有效
发明人： M·法齐内利;J·G·拉文;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种用于分割半导体晶片的方法，包括将氢原子并入半导体晶片的至少分割区域。分割区域具有高于1·1015cm‑3的氮原子浓度。该方法还包括在半导体晶片的分割区域处分割半导体晶片。
用于分割半导体装置方法

[发明专利]半导体管芯的前侧或背侧互连的附加制造-CN202110067783.5在审
发明人： E·菲尔古特;I·埃舍尔-珀佩尔;M·格鲁贝尔;I·尼基廷;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造半导体管芯封装的方法(100)，该方法包括：(110)提供半导体晶体管管芯，该半导体晶体管管芯可能地包括在第一下主面上的第一接触焊盘和/或在上主面上的第二接触焊盘；(120)向所述第二接触焊盘上制造前侧电导体，并且可能地向所述第一接触焊盘上制造背侧电导体；以及(130)施加覆盖所述半导体管芯以及所述前侧电导体的至少一部分的包封体，其中，所述前侧电导体和/或所述背侧电导体是通过金属结构的激光辅助结构化来制造的。
半导体管芯互连附加制造

[发明专利]半导体器件-CN201711349813.1有效
发明人： J·G·拉文;H-J·舒尔策;R·巴布斯克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括绝缘栅双极性晶体管(IGBT)装置。所述IGBT装置包括发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构的第一构造区段和发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构的第二构造区段。第一构造区段和第二构造区段被布置在半导体器件的半导体衬底的主表面处。此外，IGBT装置包括集电极层和漂移层。集电极层被布置在半导体衬底的背面表面处，并且漂移层被布置在集电极层与第一构造区段和第二构造区段的发射极侧IGBT结构之间。另外，集电极层包括与第二掺杂区段横向地邻近的第一掺杂区段。第一掺杂区段和第二掺杂区段包括不同的电荷载子寿命、不同的传导性类型或不同的掺杂浓度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造-CN201710297324.X有效
发明人： P·C·布兰特;T·奥尔;M·普法芬莱纳;F·D·普菲尔施;F·J·桑托斯罗德里奎兹;H-J·舒尔策;A·R·斯特格纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了半导体器件及其制造。半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括：第一侧、在平行于第一侧的方向上界定半导体本体的边缘、有源区域、布置在有源区域和边缘之间的外围区域、从有源区域延伸到外围区域中的第一传导类型的第一半导体区域、与第一半导体区域形成pn结的第二传导类型的第二半导体区域、与第一半导体区域相邻并且布置在第一侧处并且在第二半导体区域与边缘之间的第二传导类型的第一边缘终止区域、以及布置在第一侧处并且在第一边缘终止区域和边缘之间的第一传导类型的第二边缘终止区域。第二边缘终止区域具有第一传导类型的变化的掺杂剂浓度，其至少在紧接第一边缘终止区域随着距第一边缘终止区域的距离的增加而实质上线性地增加。
半导体器件及其制造

[发明专利]包括激活掺杂剂的制造方法和具有陡峭结的半导体装置-CN201710652352.9有效
发明人： A·布雷梅塞尔;H-J·舒尔策;H·舒尔策;W·舒斯特雷德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：晶格空位在半导体层(700)的与工艺表面(701)直接邻接的预处理区(710)中生成。掺杂剂至少注入到所述预处理区(710)中。通过用激光束(850)照射所述工艺表面(701)，来加热所述半导体层(700)的熔化区(712)，激活至少在所述熔化区(712)中的注入的掺杂剂。
包括激活掺杂制造方法具有陡峭半导体装置

[发明专利]离子束注入方法和半导体器件-CN202011500142.6在审
发明人： M·耶利内克;M·黑尔;C·利恩德茨;K·L·姆莱奇尼希;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：离子束注入方法和半导体器件。在示例中，衬底被定向到目标轴，其中目标轴与衬底中的预选晶体沟道方向之间的残余角失准在角容差区间内。使用沿离子束轴传播的离子束将掺杂剂离子注入到衬底中。掺杂剂离子以离子束轴和目标轴之间的注入角度注入。注入角度在注入角度范围内。沟道接受宽度对于预选晶体沟道方向是有效的。注入角度范围大于沟道接受宽度和两倍的角容差区间之和的80%。注入角度范围小于沟道接受宽度和两倍的角容差区间之和的500%。
离子束注入方法半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN202011509191.6在审
发明人： R·巴布尔斯克;M·豪夫;H-J·舒尔策;H·舒尔策;B·施托伊布 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种功率半导体器件，包括：半导体本体，具有前侧和背侧；第一负载端子结构和第二负载端子结构；半导体本体的有源区域；半导体本体的漂移区，具有第一导电类型并且被配置用于传导负载电流；半导体本体的背侧区，包括第一背侧发射极区带和第二背侧发射极区带。第一和第二背侧发射极区带中的至少之一包括：多个第一区段；和/或多个第二区段。第二背侧发射极区带与第一背侧发射极区带的不同之处至少在于以下之一：第一区段的存在；第二区段的存在；第一区段的最小横向延伸；第二区段的最小横向延伸；邻近的第一区段之间的横向距离；邻近的第二区段之间的横向距离；第一区的最小横向延伸；在同一第一区段内的邻近的第一区之间的横向距离。
功率半导体器件

[发明专利]竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法-CN202011361668.0在审
发明人： A·布罗克迈尔;F·J·桑托斯罗德里格斯;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法。提出了一种竖向功率半导体器件(100)。竖向功率半导体器件(100)包括具有第一主表面(104)和与第一主表面(104)相对的第二主表面(106)的半导体本体(102)。半导体本体(102)的在第一主表面(104)和第二主表面(106)之间的厚度(d)在从40μm至200μm的范围内。有源器件元件(108)在半导体本体(102)中被形成在第一主表面(104)处。边缘终止元件(110)至少部分地围绕在第一主表面(104)处的有源器件元件(108)。扩散区(112)从第二主表面(106)延伸到半导体本体(102)中。扩散区(112)的掺杂浓度轮廓(c)在从1μm到5μm的范围内的竖向距离(Δy)上从在第二主表面(106)处的峰值浓度Ns减小到浓度Ns/e，e是欧拉数。
竖向功率半导体器件半导体晶片管芯布置载体制造方法

[发明专利]具有单元沟槽结构和接触点的半导体器件及其制造方法-CN201810072092.2有效
发明人： J·G·拉文;M·科托罗格亚;H-J·舒尔策;H·伊塔尼;E·格瑞布尔;A·哈格霍弗 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了具有单元沟槽结构和接触点的半导体器件及其制造方法。第一单元沟槽结构和第二单元沟槽从第一表面延伸至半导体衬底中。该第一单元沟槽结构包括第一埋置电极以及在该第一埋置电极和半导体台面之间的第一绝缘层，半导体台面分隔第一单元沟槽结构和第二单元沟槽结构。包覆层覆盖第一表面。图形化该包覆层以形成具有最小宽度大于第一绝缘层厚度的开口。该开口暴露第一绝缘层在第一表面处的第一垂直部分。除去第一绝缘层的暴露部分以形成在半导体台面和第一埋置电极之间的凹部。接触结构在该开口和该凹部中。接触结构电连接半导体台面中的埋置区和第一埋置电极，并允许更窄的半导体台面宽度。
具有单元沟槽结构接触半导体器件及其制造方法

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