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[实用新型]半导体器件-CN202221603668.1有效
发明人： P·菲拉里;F·F·维拉;E·杜奇;I·瓦里斯科;F·德科利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括：单片半导体本体，半导体本体包括：第一主面；第二主面，与第一主面相对；衬底，包括导电类型；第一导电区，从第一主面延伸到衬底中，第一导电区具有导电类型；掩埋腔，在第一导电区中；隔膜，在掩埋腔和半导体本体的第一主表面之间延伸，隔膜具有面向掩埋腔的掩埋面；隔膜绝缘层，在隔膜的掩埋面上延伸；以及绝缘材料的横向绝缘区，其在第一主表面和隔膜绝缘层之间、在掩埋腔上方沿封闭线延伸到半导体本体中，横向绝缘区横向界定隔膜并且与隔膜绝缘层接触。利用本公开的实施例的半导体器件是可靠的，可以以高产率生产并且具有降低的成本。
半导体器件

[发明专利]用于制备生物样本尤其用于提取DNA以及在阱中加样用于随后进行PCR的设备和方法-CN201810654771.0有效
发明人： U·玛斯特罗玛特奥;F·F·维拉;G·巴洛奇 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C12N15/10 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备生物样本尤其用于提取DNA以及在阱中加样用于随后进行PCR的设备和方法。设备(1000)具有流体入口(7、8)；过滤区室(6)，连接到流体入口并且容纳存在吸附剂的过滤基质(5)；流体回路(3、4、11、50)连接到过滤区室的下游并且包括排液回路(4、50)以及加液回路(4、50、11)；排液室(20)，连接到排液回路(4、50、3)的下游；制备出口(18)，连接到加液回路(4、50、11)的下游；以及抽吸泵(13、14、12、19)，连接到流体回路并且配置成使过滤区室(6)择一流体连接到排液回路(4、50、3)或者加液回路(4、50、11)。
用于制备生物样本尤其提取 dna 以及阱中加样随后进行 pcr 设备方法

[发明专利]用于制造电容式压力传感器的方法和电容式压力传感器-CN202211041314.7在审
发明人： P·菲拉里;F·F·维拉;R·卡姆佩德利;L·拉玛格纳;E·杜奇;M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚;S·尼科利;M·C·图里 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于制造微机电器件的方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成不渗透HF的结晶氧化铝的第一保护层；在第一保护层上形成通过HF可去除的氧化硅的牺牲层；在牺牲层上形成结晶氧化铝的第二保护层；暴露牺牲层的牺牲部分；在牺牲部分上形成可渗透HF的多孔材料的第一膜层；通过第一膜层去除牺牲部分来形成腔体；以及通过在第一膜层上形成第二膜层来密封第一膜层的孔隙。
用于制造电容压力传感器方法

[发明专利]制造包括电容压力传感器和惯性传感器的集成系统的方法及集成系统-CN202211047207.5在审
发明人： P·菲拉里;L·科索;F·F·维拉;S·尼科利;L·拉玛格纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本公开涉及制造包括电容压力传感器和惯性传感器的集成系统的方法及集成系统。一种用于制造集成第一MEMS器件和第二MEMS器件的微机电系统MEMS的方法。第一MEMS器件是电容压力传感器并且第二MEMS器件是惯性传感器。制造第一MEMS器件和第二MEMS器件的步骤至少部分地彼此被共享，导致在单个裸片上的高度集成，并且允许以高产量和受控成本来实现制造工艺。
制造包括电容压力传感器惯性传感器集成系统方法

[实用新型]电容式压力传感器-CN202222277065.3有效
发明人： P·菲拉里;F·F·维拉;R·卡姆佩德利;L·拉玛格纳;E·杜奇;M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚;S·尼科利;M·C·图里 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种微机电器件。该微机电器件包括：基板；在基板上的第一保护层，不渗透蚀刻化学溶液；在第一保护层上的能够通过蚀刻化学溶液被去除的材料的牺牲层；在牺牲层上的不渗透蚀刻化学溶液的第二保护层；可渗透蚀刻化学溶液的多孔材料的第一膜层；在第一膜层与第一保护层之间的腔体；以及在第一膜层上的第二膜层，被配置为密封第一膜层的孔隙。
电容压力传感器

[实用新型]半导体器件-CN202222274913.5有效
发明人： P·菲拉里;L·科索;F·F·维拉;S·尼科利;L·拉玛格纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：第一微机电系统器件；第二微机电系统器件；衬底；第一电极，第一电极被耦合到在衬底上延伸的第一微机电系统器件；第一电极上的第一层；在第一层上的、对蚀刻化学溶液不可渗透的保护层；在保护层上的、多孔材料的膜层，膜层对蚀刻化学溶液可渗透；被膜层重叠的腔；第一结构层，第一结构层密封膜层的孔并且与膜层形成第一微机电系统器件的悬置结构，悬置结构是通过腔电容性耦合到第一电极的第二电极；以及第二结构层在第一结构层上，并且第二结构层包括：第二微机电系统器件的可移动结构；以及第一微机电系统器件的第一电极和第二电极的偏置结构。由此，提供了改进的半导体器件。
半导体器件

[发明专利]包括绝缘悬置隔膜的MEMS器件-CN202210731063.9在审
发明人： P·菲拉里;F·F·维拉;E·杜奇;I·瓦里斯科;F·德科利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及包括绝缘悬置隔膜的MEMS器件。在半导体本体中形成的MEMS器件，所述半导体本体是单片的并且具有第一和第二主表面。掩埋腔在第一主表面下方并与第一主表面相距一定距离地延伸到半导体本体中。隔膜在掩埋腔和半导体本体的第一主表面之间延伸，并且具有面向掩埋腔的掩埋面。隔膜绝缘层在隔膜的掩埋面上延伸，并且横向绝缘区在第一主表面和隔膜绝缘层之间在掩埋腔上方沿着封闭线延伸到半导体本体中。横向绝缘区横向界定隔膜，并与隔膜绝缘层一起形成隔膜绝缘区，该隔膜绝缘区界定隔膜并使其与晶片的其余部分电绝缘。
包括绝缘悬置隔膜 mems 器件

[实用新型]半导体器件-CN202122952681.X有效
发明人： E·杜奇;L·巴尔多;P·菲拉里;B·维格纳;F·F·维拉;L·M·卡斯托尔迪;I·格尔米 -专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；换能微结构，在所述基底中；盖，耦合到所述基底，并且所述盖具有面向所述基底的第一面以及外部第二面；通道，穿过所述盖从所述第二面延伸到所述第一面，并且所述通道与所述换能微结构流体连通，所述通道包括内部侧壁；多孔多晶硅的保护膜，所述保护膜跨过所述通道并且在所述通道的所述内部侧壁上。利用本公开的实施例有利地增加了设计以及制造半导体换能器的灵活性。
半导体器件

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN202111430582.3在审
发明人： E·杜奇;L·巴尔多;P·菲拉里;B·维格纳;F·F·维拉;L·M·卡斯托尔迪;I·格尔米 -专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：基底；集成到基底中的换能微结构；接合到基底以及具有邻近第一基底以及第二外部表面的盖；以及穿过盖从第二面延伸到第一并且与换能微结构连通的通道。可透过气态物质的多孔多晶硅微结构的保护膜跨过通道被设置。
半导体器件以及用于制造方法

[实用新型]集成热电转换器-CN202121062528.3有效
发明人： P·菲拉里;F·F·维拉;L·祖里诺;A·诺梅尔里尼;L·塞吉齐;L·扎诺蒂;B·穆拉里;M·斯科拉里 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及一种集成热电转换器。一种集成热电转换器，包括：第一柱结构，第一柱结构包括多孔硅、多晶硅锗或多晶硅中的一项，并且被掺杂有第一导电类型；第二柱结构，第二柱结构包括多孔硅、多晶硅锗或多晶硅中一项，并且被掺杂有第二导电类型；以及第一导电互连结构，与第一柱结构的第一端以及第二柱结构的第一端电接触。利用本公开的实施例的集成热电转换器有利地易于工业化，提供了mA量级的功率电平，半导体面积消耗低，以低温差或高温差工作。
集成热电转换器

[发明专利]制作集成热电转换器的方法和由此获得的集成热电转换器-CN202110539522.9在审
发明人： P·菲拉里;F·F·维拉;L·祖里诺;A·诺梅尔里尼;L·塞吉齐;L·扎诺蒂;B·穆拉里;M·斯科拉里 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及制作集成热电转换器的方法和由此获得的集成热电转换器。一种方法包括：提供硅基材料层，具有第一表面以及与第一表面相对并且通过硅基材料层厚度与第一表面隔开的第二表面；形成具有第一塞贝克系数的第一热电半导体材料的多个第一热电有源元件，以及形成具有第二塞贝克系数的第二热电半导体材料的多个第二热电有源元件，第一和第二热电有源元件被形成为从第一表面延伸穿过硅基材料层厚度到第二表面；形成与硅基材料层的第一和第二表面相对应的导电互连件，并且形成电连接至导电互连件的输入电端子和输出电端子，第一和第二热电半导体材料包括在多孔硅或多晶SiGe或多晶硅中选择的硅基材料。
制作集成热电转换器方法由此获得

[发明专利]压电式微加工超声换能器及其制造方法-CN201710400836.4有效
发明人： F·方希里诺;F·F·维拉;A·迪马特奥 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明涉及压电式微加工超声换能器及其制造方法。一种压电式微加工超声换能器(PMUT)(1)，包括：半导体本体(2)，该半导体本体具有第一空腔(6)和膜(8)，该膜悬置在该第一空腔(6)之上并且面向该半导体本体(2)的前侧(2a)；以及压电式换能器组件(16，18，20)，该压电式换能器组件至少部分地在该膜(8)之上延伸，该压电式换能器组件可被致动以用于生成对该膜(8)的偏转。第二空腔(4)延伸成掩埋在该膜(8)的外围区域(8a)中并且界定该膜(8)的中心区域(8b)。此外，该外围部分(8a)的刚度低于该中心部分(8b)的刚度。
压电式微加工超声换能器及其制造方法

[发明专利]具有两个掩埋腔的微机电器件及其制造方法-CN201610377872.9有效
发明人： L·巴尔多;E·杜奇;F·F·维拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本申请涉及具有两个掩埋腔的微机电器件及其制造方法。提供一种微机电器件，形成在半导体材料的单块本体(107)中，该单块本体容纳第一掩埋腔(106)、在第一掩埋腔之上的感应区域(112)以及在感应区域中延伸的第二掩埋腔(109)。去耦合沟槽(111)从单块本体(107)的第一面(107A)延伸远至第一掩埋腔(106)且在横向上环绕第二掩埋腔(109)。去耦合沟槽(111)将感应区域(112)与单块本体的外围部分(104；137)分离。
具有两个掩埋微机器件及其制造方法

[发明专利]具有较低的温度灵敏度的微机电型压力装置-CN201611035493.8有效
发明人： E·杜奇;S·康蒂;L·巴尔多;F·F·维拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本公开涉及具有较低的温度灵敏度的微机电型压力装置，提供了一种微机电压力传感器装置(100)，其由帽状件区域(102)和半导体材料的传感器区域(101)形成。气隙(107)在传感器区域(101)和帽状件区域(102；103)之间延伸；掩埋空腔(109)在传感器区域(101)中的气隙下方延伸，并且在底部限定薄膜(111)。贯通沟槽(110)在传感器区域(101)内延伸并且横向限定容纳薄膜的灵敏部分(121)、支撑部分(120)和弹簧部分(122)，弹簧部分将灵敏部分(121)连接至支撑部分(120)。通道(123)在弹簧部分(122)内延伸并且将掩埋空腔(109)连接到第二区域(101)的面(101A)。
具有温度灵敏度微机压力装置

[发明专利]用于制造MEMS微反射镜设备的工艺以及相关联设备-CN201710191543.X有效
发明人： E·杜奇;L·巴尔多;R·卡尔米纳蒂;F·F·维拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：公开了用于制造MEMS微反射镜设备的工艺以及相关联设备。一种用于从采用半导体材料的单体本体(104)中制造MEMS微反射镜设备的工艺。初始地，掩埋空腔(106)形成于该单体本体中并且在底部界定悬置膜(105)，该悬置膜被安排在该掩埋空腔(106)与该单体本体(104)的主表面(104A)之间。然后，对该悬置膜(105)进行限定以便形成支撑框架(115)和可移动质量块(114)，该可移动质量块可围绕轴线(C)旋转并且由该支撑框架(115)承载。该可移动质量块形成振荡质量块(107)、支撑臂(109)、弹簧部分(111)以及梳齿连接至固定电极(113)的可移动电极(112)。在该振荡质量块(107)的顶部上形成反射区域(145)。
用于制造 mems 反射设备工艺以及相关

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