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[发明专利]具有包括铁电绝缘体的栅极电介质堆叠的功率半导体器件-CN202210897424.7在审
发明人： F·D·普菲尔施 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：公开了具有包括铁电绝缘体的栅极电介质堆叠的功率半导体器件。一种功率半导体器件，包括半导体衬底和形成在半导体衬底中并且并联电连接以形成功率晶体管的多个晶体管单元。每个晶体管单元包括栅极结构，栅极结构包括栅极电极和将栅极电极与半导体衬底分离开的栅极电介质堆叠。栅极电介质堆叠包括铁电绝缘体和第一电介质绝缘体。第一电介质绝缘体具有比二氧化硅的相对介电常数大的相对介电常数。还描述了用于开关功率晶体管的驱动器设备和操作功率晶体管的对应的方法。
具有包括绝缘体栅极电介质堆叠功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法-CN202210799915.8在审
发明人： F·D·普菲尔施;T·昆齐格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法。功率半导体器件包括：被配置成在第一负载端子与第二负载端子之间传导负载电流的有源区；围绕有源区的边缘终止区；在边缘终止区中，场板结构布置在有源区周围且包括在第一接合点处电连接到第一负载端子的第一电位的至少一个导电轨道，并且在第二接合点处电连接到第二负载端子的第二电位。至少一个导电轨道与从有源区朝边缘终止区的边缘延伸的直的虚拟线（VL）形成至少n个交叉，其中n大于5。n个交叉中的相邻两个之间的电位差在虚拟线（VL）的长度的至少50%中增加，和/或在虚拟线（VL）的长度的前20%内相对于有源区的电位差小于沿着虚拟线的总电位差的10%。
功率半导体器件生产方法

[发明专利]包括突出区的半导体器件-CN202210703692.0在审
发明人： M·豪夫;F·D·普菲尔施 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了包括突出区的半导体器件。提出了一种半导体器件。半导体器件包括被布置在半导体本体的第一表面和第二表面之间的第一导电类型的漂移区。半导体器件进一步包括在第二表面处的第一导电类型的第一区。半导体器件进一步包括在第二表面处的被布置成相邻于第一区的第二导电类型的第二区。第二区包括第一子区和第二子区。第二子区被布置在第一子区和第二表面之间。半导体器件进一步包括在第二表面上的第一电极。第一电极被布置成直接相邻于第一区和第二子区。第一电极被借助于第一区电连接到漂移区。第一子区沿着第一横向方向经第二子区和第一区之间的界面或分离区突出。沿着竖向方向由第一子区和第一电极界定第一区的一部分。
包括突出半导体器件

[发明专利]RC IGBT和制造RC IGBT的方法-CN202210619880.5在审
发明人： F·D·普菲尔施 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：RC IGBT包括：有源区，具有IGBT区段以及与IGBT区段分开的二极管区段；半导体本体，形成有源区的部分并且具有第一侧和第二侧；在第一侧处的第一负载端子和在第二侧处的第二负载端子；在第一侧处的控制端子，其中，控制端子与半导体本体电绝缘并且包括在有源区中与二极管区段横向重叠的控制端子指状物。RC IGBT还包括沿着垂直方向延伸到半导体本体中的多个控制沟槽。每个控制沟槽具有：控制沟槽电极，电连接到控制端子并且被配置成控制IGBT区段中的第一负载端子与第二负载端子之间的负载电流。多个控制沟槽中的至少一个延伸到IGBT区段和二极管区段中。至少基于在二极管区段中布置成与控制端子指状物接触的导电构件，建立控制沟槽电极与控制端子之间的电连接。
rc igbt 制造方法

[发明专利]具有降低的反馈电容的IGBT-CN201810491009.5有效
发明人： C·P·桑道;H-J·舒尔策;J·G·拉文;F·J·涅德诺斯塞德;F·D·普菲尔施;H-P·菲尔斯尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。
具有降低反馈电容 igbt

[发明专利]竖向功率半导体器件和制造方法-CN202110526626.6在审
发明人： F·D·普菲尔施;C·P·桑多;D·韦伯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了竖向功率半导体器件和制造方法。竖向功率半导体器件包括半导体本体，其具有第一主表面和第二主表面。第一导电类型的本体区直接邻接栅极沟槽结构。第二导电类型的源极区直接邻接栅极沟槽结构。第二导电类型的漂移区被布置在本体区和第二主表面之间。本体接触结构包括被沿着第一横向方向以第一横向距离间隔开的第一本体接触子区和第二本体接触子区。第一本体接触子区和第二本体接触子区中的每个直接邻接栅极沟槽结构并且具有比本体区大的掺杂浓度。在第一本体接触子区和第二本体接触子区之间的沟道区中，本体接触结构具有沿着垂直于第一横向方向的第二横向方向到栅极沟槽结构的第二横向距离。第一横向距离等于或小于第二横向距离的两倍。
竖向功率半导体器件制造方法

[发明专利]反向导通绝缘栅双极晶体管-CN202110286628.2在审
发明人： F·D·普菲尔施;E·格里布尔;V·拉皮杜斯;A·毛德;C·P·桑多;A·韦莱 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了反向导通绝缘栅双极晶体管。一种RC IGBT(1)，其在有源区(1‑2)中包括IGBT区段(1‑21)和至少三个二极管区段(1‑22)。二极管区段(1‑22)的布置服从一设计规则。
向导绝缘双极晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造-CN201710297324.X有效
发明人： P·C·布兰特;T·奥尔;M·普法芬莱纳;F·D·普菲尔施;F·J·桑托斯罗德里奎兹;H-J·舒尔策;A·R·斯特格纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了半导体器件及其制造。半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括：第一侧、在平行于第一侧的方向上界定半导体本体的边缘、有源区域、布置在有源区域和边缘之间的外围区域、从有源区域延伸到外围区域中的第一传导类型的第一半导体区域、与第一半导体区域形成pn结的第二传导类型的第二半导体区域、与第一半导体区域相邻并且布置在第一侧处并且在第二半导体区域与边缘之间的第二传导类型的第一边缘终止区域、以及布置在第一侧处并且在第一边缘终止区域和边缘之间的第一传导类型的第二边缘终止区域。第二边缘终止区域具有第一传导类型的变化的掺杂剂浓度，其至少在紧接第一边缘终止区域随着距第一边缘终止区域的距离的增加而实质上线性地增加。
半导体器件及其制造

[发明专利]半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块-CN202011133037.3在审
发明人： V·范特里克;R·巴布斯克;C·耶格;C·R·缪勒;F-J·尼德诺斯泰德;F·D·普菲尔施;A·菲利波;J·施佩希特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块。一种半导体管芯(510)包括半导体本体(100)。半导体本体(100)包括第一有源部分(191)和第二有源部分(192)。第一有源部分(191)包括第一源极区(111)。第二有源部分(192)包括第二源极区(112)。栅极结构(150)从第一表面(101)延伸到半导体本体(100)中。栅极结构(150)具有沿着横向第一方向(291)的纵向栅极延伸(lg)。第一负载焊盘(311)和第一源极区(111)被电连接。第二负载焊盘(312)和第二源极区(112)被电连接。间隙(230)在横向上分离第一负载焊盘(311)和第二负载焊盘(312)。间隙(230)的在横向上的纵向延伸平行于第一方向(291)或者从第一方向(291)偏离不多于60度。连接结构(390)电连接第一负载焊盘(311)和第二负载焊盘(312)。连接结构(390)被形成在从第一表面(101)延伸到半导体本体(100)中的凹槽中和/或被形成在形成于第一表面(101)上的布线层中。
半导体管芯半导体器件以及绝缘双极晶体管模块

[发明专利]具有IGBT区段和二极管区段的RC-IGBT-CN202010981151.5在审
发明人： J·G·拉文;R·巴布斯克;F·D·普菲尔施;A·菲利波;C·P·桑多 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了具有IGBT区段和二极管区段的RC IGBT。提供了一种RC IGBT(1)，其在二极管区段(1‑22)和IGBT区段(1‑21)之间的过渡区段(1‑23)中具有n阻挡区(107)。
具有 igbt 区段二极管 rc

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201710546061.1有效
发明人： A·毛德;F·D·普菲尔施;H-J·舒尔策;P·森;A·威尔梅洛斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：公开了半导体器件和用于形成半导体器件的方法。一种半导体器件包括布置在半导体衬底中的二极管结构的阳极掺杂区域。阳极掺杂区域包括第一传导类型。半导体器件还包括包含第二传导类型的第二传导类型接触掺杂区域。第二传导类型接触掺杂区域布置在半导体衬底的表面处，并且在半导体衬底中被阳极掺杂区域包围。阳极掺杂区域包括埋入式非可耗尽部分。埋入式非可耗尽部分的至少部分在半导体衬底中位于第二传导类型接触掺杂区域下方。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]功率半导体器件和方法-CN202010690684.8在审
发明人： F·D·普菲尔施 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了功率半导体器件和方法。功率半导体器件(1)包括：半导体本体(10)，具有前侧表面(10‑1)并包括具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区(100)；和边缘终止区(105)，包括在半导体本体(10)中。边缘终止区(105)包括：漂移区(100)的一部分；和第一半导体区(103)，其沿前侧表面(10‑1)延伸。第一半导体区(103)包括第一和第二导电类型的掺杂剂，在第一半导体区(103)内第二导电类型的掺杂剂的积分竖向掺杂剂浓度高于第一导电类型的掺杂剂的积分竖向掺杂剂浓度。表示第一掺杂半导体区(103)中的第一和第二导电类型的掺杂剂的竖向积分净掺杂剂浓度的第一剂量轮廓(D_1)与表示第一掺杂半导体区(103)中的第二导电类型的掺杂剂的竖向积分掺杂剂浓度的第二剂量轮廓(D_2)相比沿水平方向(X，Y)呈现出更小的程度的起伏。
功率半导体器件方法

[发明专利]沟槽晶体管器件-CN201510137104.1有效
发明人： A·菲利波;J·G·拉文;C·耶格;F·沃尔特;F·D·普菲尔施;A·维莱 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开的各个实施例涉及一种沟槽晶体管器件。该晶体管器件包括：在半导体本体中在第一与第二沟槽之间的半导体台式区域；在半导体台式区域中的第一导电类型的本体区域和第二导电类型的源极区域；在半导体本体中的第二导电类型的漂移区域；以及栅极电极，其在第一沟槽中与本体区域相邻，并且通过栅极电介质与本体区域介电绝缘。本体区域将源极区域与漂移区域分开，并且延伸至半导体台式区域的与源极区域相邻的表面。本体区域包括邻接半导体台式区域的表面和第一沟槽的表面区域。表面区域具有比本体区域的将源极区域与漂移区域分开的部分更高的掺杂浓度。
沟槽晶体管器件

[发明专利]具有减小的带隙区的半导体器件-CN201610566847.5有效
发明人： H-J·舒尔策;H·许斯肯;F-J·涅德诺斯塞德;F·D·普菲尔施;R·罗思;C·P·桑道;C·沙菲尔;S·福斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：涉及具有减小的带隙区的半导体器件，包括：源极区域，电连接至第一负载端子；漂移区域，含第一带隙的第一半导体材料，具有第一导电类型的掺杂物且承载第一负载端子与第二负载端子之间的负载电流的至少部分。还包括半导体本体区域，其具有与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂物且电连接至第一负载端子，本体区域和漂移区域之间的过渡形成pn结，pn结阻挡施加在第一与第二负载端子之间的电压。本体区域隔离源极区域与漂移区域并含减小的带隙区，该带隙区包括小于第一带隙的第二带隙的第二半导体材料，布置在本体区域中使得与源极区域在沿垂直方向的截面中呈现沿第一横向方向的公共横向延伸范围和沿垂直方向的公共垂直延伸范围中的至少一个。
具有减小带隙区半导体器件

[发明专利]具有降低的反馈电容的IGBT-CN201410514781.6有效
发明人： C·P·桑道;H-J·舒尔策;J·G·拉文;F·J·涅德诺斯塞德;F·D·普菲尔施;H-P·菲尔斯尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。 1
基区发射区体区基电极电介质晶体管单元介电绝缘掺杂毗邻栅极电介质反馈电容浓度比栅电极邻接

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