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[发明专利]确定光刻匹配性能-CN202080064062.2在审
发明人：崔影超;H·亚古比萨德;魏秀虹;D·M·斯劳特布姆;朴柾泫;S·罗伊;张祎晨;穆罕默德·R·卡迈利;金尚郁 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于确定光刻匹配性能的方法，包括从针对用于可用的EUV扫描仪EUV1、EUV3和EUV4的稳定性控制的周期性监控获得第一监控数据E1M、E3M、E4M。对于DUV扫描仪，以类似的方式从用于稳定性控制的周期性监控(DMW、MT、OV、SM)获得第二监控数据D2M。EUV监控数据E1M、E3M、E4M在第一布局中。DUV监控数据D2M在第二布局中。基于第一监控数据和第二监控数据，确定第一光刻设备与第二光刻设备之间的跨平台套刻精度匹配性能。这是通过将第一监控数据和第二监控数据中的至少一个重构造900、1000为通用布局E1S、E3S、E4S、D2S以允许比较802第一监控数据与第二监控数据而实现的。
确定光刻匹配性能

[发明专利]制造器件的方法-CN201980079479.3在审
发明人： A·史拉奇特;W·T·特尔;D·M·斯劳特布姆;V·Y·蒂莫斯科夫;K·W·C·A·范德斯特拉顿;B·门奇奇科夫;西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯;C·E·塔贝里;M·P·F·格宁;张幼平;邹毅;林晨希;程亚娜 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于分析过程的方法，该方法包括：获得表示多个过程参数的值的期望分布的多维概率密度函数；获得将过程参数的值与过程的性能度量相关的性能函数；以及使用性能函数将概率密度函数映射到以过程参数作为自变量的性能概率函数。
制造器件方法

[发明专利]用于在扫描期间配置束的空间尺寸的方法和设备-CN201980057270.7在审
发明人： D·M·斯劳特布姆;H·T·海梅里克斯;J·罗伊萨里瓦斯;J·科塔尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：根据本发明的一方面，提供一种对横跨用于将图案曝光至衬底上的图案形成装置扫描光子束或粒子束的步骤进行配置的方法，其中所述方法包括：确定被配置成改善所述曝光的品质的图案化校正的空间分辨率；和基于所确定的所述图案化校正的空间分辨率来确定所述束的空间尺寸。
用于扫描期间配置空间尺寸方法设备

[发明专利]用于控制制造设备和相关联设备的方法-CN201980041201.7在审
发明人： W·西蒙斯;D·M·斯劳特布姆;E·德柯尔特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-05-01 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：披露了一种用于确定对制造过程中所使用的至少一个制造设备的控制的校正的方法，所述至少一个制造设备用于提供结构至衬底上的区，所述区包括多个子区。所述方法包括：获得与所述区的所述制造过程的过程参数相关的测量数据；和基于所述测量数据来确定对所述制造设备的校正。所述校正被配置成维持所述过程参数处于跨越两个所述子区之间的边界的指定范围内，和/或与所述区的剩余部分相比对跨越两个所述子区之间的边界的过程参数来较好地进行校正。
用于控制制造设备相关方法

[发明专利]控制图案形成过程的方法、器件制造方法、用于光刻设备的控制系统以及光刻设备-CN201680076245.X有效
发明人： D·M·斯劳特布姆;M·屈珀斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：性能测量目标用于在处理多个衬底之后测量光刻过程的性能。在设定阶段，该方法通过参考图案形成过程的预期参数从多个候选标记类型中选择对准标记类型和对准选配方案。在使用图案形成过程曝光多个测试衬底之后，通过比较由参考技术测量的图案形成过程的性能的测量性能(例如，重叠)来选择优选的量测目标类型和量测选配方案。基于在实际执行图案形成过程之后对位置测量标记和性能测量目标的测量，可以修正对准标记类型和/或选配方案，从而共同优化对准标记和量测目标。替代性的批次反馈策略也可以在过程的后续操作中进行比较。
控制图案形成过程方法器件制造用于光刻设备控制系统以及

[发明专利]可操作以对衬底执行测量操作的设备、光刻设备以及对衬底执行测量操作的方法-CN201480074025.4有效
发明人： D·M·斯劳特布姆;P·J·克拉莫尔;M·H·A·里恩德尔斯;B·D·帕尔惠斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明披露了用于根据一种或更多种晶片对准模型在衬底上执行测量操作的设备和方法。所述一种或更多种晶片对准模型选自多种候选晶片对准模型。所述设备可以是光刻设备，包括外部接口，所述外部接口使得能在所述测量操作之前实现所述晶片对准模型的选择和/或所述晶片对准模型的改变。
晶片对准测量操作衬底光刻设备外部接口可操作

[发明专利]衬底模型参数计算方法、光刻设备及控制光刻过程的设备-CN201210041207.4无效
发明人： I·里尤利纳;H·J·G·西蒙斯;M·G·田纳;P·J·赫利斯;M·范柯莫纳德;S·C·T·范德山登;D·M·斯劳特布姆 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算衬底的模型参数的方法、光刻设备和用于控制光刻设备的光刻过程的设备。具体地，本发明涉及估计光刻设备的模型参数和控制光刻设备的光刻过程。使用光刻设备跨经晶片执行曝光。测量一组预定的晶片测量部位。标记的预定的和测量的部位被用于生成径向基函数。使用所生成的径向基函数作为跨经所述衬底的基函数来计算所述衬底的模型参数。最后，使用所估计的模型参数来控制光刻设备以曝光衬底。
衬底模型参数计算方法光刻设备控制过程

[发明专利]光刻设备和器件制造方法-CN200910203133.8有效
发明人： D·M·斯劳特布姆;J·H·吉尔克;I·M·P·阿蒂斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-06-02 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。进一步地，公开了一种用于探测由大致在第一方向上延长的至少一条线形成的延长图案的特性的探测方法。所述延长图案形成在衬底上或在衬底台上，优选地延伸超过至少50倍线宽的长度。所述延长图案是聚焦敏感的。所述探测方法包括在第一方向上移动衬底台和沿所述第一方向测量延长图案的特性。所述特性可以是延长图案在垂直于第一方向的第二方向上的物理特性的结果。在下一步骤中，可由所述延长图案的测量位置获得衬底台位置的校准。
光刻设备器件制造方法

[发明专利]光刻设备和器件制造方法-CN200910203134.2有效
发明人： G·C·J·霍夫曼斯;B·P·B·西哥斯;D·M·斯劳特布姆 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-06-02 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻设备和一种器件制造方法。进一步地，公开了一种用于探测由大致在第一方向上延长的至少一条线形成的延长图案的特性的探测方法。所述延长图案形成在衬底上或在衬底台上，优选地延伸超过至少50倍线宽的长度。所述延长图案是聚焦敏感的。所述探测方法包括在第一方向上移动衬底台和沿所述第一方向测量延长图案的特性。所述特性可以是延长图案在垂直于第一方向的第二方向上的物理特性的结果。在下一步骤中，可由所述延长图案的测量位置获得衬底台位置的校准。
光刻设备器件制造方法

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