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[发明专利]用于控制制造过程的方法和相关设备-CN201980083961.4在审
发明人： N·P·M·布兰吉斯;M·考克斯;B·门奇奇科夫;C·E·塔贝里;张幼平;邹毅;林晨希;程亚娜;西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯;M·P·F·格宁 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种用于确定与半导体制造过程的性能度量相关的校正的方法，该方法包括：获得第一组预处理量测数据；通过将预处理量测数据分解成一个或多个分量来处理第一组预处理量测数据，该一个或多个分量：a)与性能度量相关；或者b)能够至少部分地通过作为半导体制造过程的一部分的控制过程进行校正；以及将经训练的模型应用于经处理的第一组预处理量测数据以确定对上述半导体制造过程的校正。
用于控制制造过程方法相关设备

[发明专利]制造器件的方法-CN201980079479.3在审
发明人： A·史拉奇特;W·T·特尔;D·M·斯劳特布姆;V·Y·蒂莫斯科夫;K·W·C·A·范德斯特拉顿;B·门奇奇科夫;西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯;C·E·塔贝里;M·P·F·格宁;张幼平;邹毅;林晨希;程亚娜 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于分析过程的方法，该方法包括：获得表示多个过程参数的值的期望分布的多维概率密度函数；获得将过程参数的值与过程的性能度量相关的性能函数；以及使用性能函数将概率密度函数映射到以过程参数作为自变量的性能概率函数。
制造器件方法

[发明专利]用于确定影响半导体制造过程中的产率的根本原因的方法-CN201980079801.2在审
发明人：林晨希;C·E·塔贝里;H·E·采克利;西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯;B·门奇奇科夫;邹毅;程亚娜;M·P·F·格宁;陈子超;D·哈诺坦耶;张幼平 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：描述了一种用于确定影响在衬底上制造器件的过程中的产率的根本原因的方法，该方法包括：获得产率分布数据，产率分布数据包括产率参数在整个衬底或其一部分上的分布；获得量测数据的集合，每个集合包括在整个衬底或其一部分上与衬底的不同层相对应的过程参数的空间变化；基于相似度度量来比较产率分布数据和量测数据，相似度度量描述产率分布数据与量测数据的集合中的单独集合之间的空间相似度；从测量数据组中确定量测数据的第一相似集合，就对应层的处理顺序而言，量测数据的第一相似集合是量测数据的第一集合，量测数据的第一相似集合被确定为与产率分布数据相似。
用于确定影响半导体制造过程中的根本原因方法

[发明专利]用于预测半导体制造过程的产率的方法-CN201980077324.6在审
发明人：张幼平;B·门奇奇科夫;C·E·塔贝里;邹毅;林晨希;程亚娜;西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯;M·格宁 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：描述了一种用于预测与在衬底上制造半导体器件的过程有关的产率的方法，该方法包括：获得将模型化参数转换为产率参数的经训练第一模型，上述模型化参数包括：a)与以下中的一项或多项相关联的几何参数：通过该过程制造的器件元件的几何特性、尺寸或位置，以及b)经训练自由参数；获得包括表征该过程的过程参数的过程参数数据；将过程参数数据转换为几何参数的值；以及使用经训练第一模型和几何参数的值来预测产率参数。
用于预测半导体制造过程方法

[发明专利]光刻设备、器件制造方法和相关的数据处理设备以及计算机程序产品-CN201180009597.0有效
发明人： B·门奇奇科夫;A·V·帕迪瑞 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：光刻设备通过相对于彼此以一移动次序移动衬底和图案形成装置操作，使得图案被施加到衬底上的连续部分上。衬底的每一部分通过扫描操作来形成图案，其中图案形成装置通过辐射束来扫描且同时同步地通过图案化的辐射束扫描衬底，以便施加图案到衬底上的期望部分上。在每一扫描操作期间施加场内校正，以便补偿在扫描操作期间变化的扭曲效应。场内校正包括投影系统的一个或更多的性质的校正性变化和可选地图案形成装置和/或衬底台的平面外的移动。
光刻设备器件制造方法相关数据处理以及计算机程序产品

[发明专利]光刻设备和器件制造方法-CN201180009096.2有效
发明人： A·V·帕迪瑞;B·门奇奇科夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种控制光刻设备的扫描功能的方法。使用第一对准策略。监控晶片被曝光以确定与扫描功能相关的基准线控制参数。基准线控制参数周期性地从监控晶片重新获得。从基准线控制参数确定参数漂移。基于所述确定结果采取校正动作。使用不同于第一对准策略的第二对准策略曝光产品晶片。修正校正动作，从而在第二对准策略已经被用于曝光监控晶片的情况下、则使得实质上更接近本来应当做出的校正。
光刻设备器件制造方法

[发明专利]光刻设备和器件制造方法-CN201110042390.5有效
发明人： A·V·帕迪瑞;B·门奇奇科夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻设备和器件制造方法。本发明公开一种形成用于光刻设备的至少一个监控晶片的方法。监控晶片能够与扫描控制模块结合使用以定期地从监控晶片获取用于限定基线的测量结果，由此根据基线确定参数漂移。由此，可以实现对所述漂移执行容许和/或校正。通过使用所述光刻设备初始地曝光监控晶片以在监控晶片的每一个上执行多次曝光通过来确定基线。本发明还公开相关联的光刻设备。
光刻设备器件制造方法

[发明专利]光刻设备和器件制造方法-CN201110042167.0有效
发明人： A·V·帕迪瑞;B·门奇奇科夫;S·A·米德莱布鲁克斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文公开了一种光刻设备和器件制造方法，尤其是一种控制光刻设备的扫描功能的方法以及如此配置的光刻设备。所述方法包括以下步骤：曝光监控晶片，以确定与所述扫描功能相关的基线控制参数；从所述监控晶片周期性地获取所述基线控制参数；根据所述基线控制参数确定参数漂移；和基于所述确定步骤进行校正动作，其中与用于在所述扫描控制模块和所述光刻设备之间的通信的参数表达不同的参数表达被用于控制所述扫描控制模块。
光刻设备器件制造方法

[发明专利]光刻设备和器件制造方法-CN201010186587.1有效
发明人： T·P·M·卡迪;J·H·W·贾科布斯;N·坦卡特;E·R·鲁普斯特拉;A·L·H·J·范米尔;J·J·S·M·梅坦斯;C·G·M·德莫;M·J·E·H·米特詹斯;A·J·范德内特;J·J·奥坦斯;J·A·夸伊达克斯;M·E·鲁曼-休斯肯;M·K·斯塔温加;P·A·J·廷内曼斯;M·C·M·维哈根;J·J·L·H·维斯帕;F·E·德荣格;K·戈尔曼;B·门奇奇科夫;H·博姆;S·尼蒂亚诺夫;R·莫尔曼;M·F·P·斯米特斯;B·L·P·小恩德马克;F·J·J·詹斯森;M·里伊彭 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2005-08-12 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻设备包括：调节辐射束的照明系统；支撑构图器件的支架，该构图器件能够将它截面中的图案赋予辐射束以形成构图的辐射束；支撑衬底的衬底台；把已构图的辐射束投影到衬底的目标部分的投影系统；利用液体至少部分地填充在所述投影系统的最后元件和所述衬底之间的间隙的液体供应系统；在投影系统的所述最后元件和述衬底之间的所述间隙中基本包含所述液体的密封构件；和控制和/或补偿浸渍液体从所述衬底蒸发的元件。
光刻设备器件制造方法

[发明专利]光刻设备和器件制造方法-CN200510113235.2有效
发明人： T·P·M·卡迪;J·H·W·贾科布斯;N·坦卡特;E·R·鲁普斯特拉;A·L·H·J·范米尔;J·J·S·M·梅坦斯;C·G·M·德莫;M·J·E·H·米特詹斯;A·J·范德内特;J·J·奥坦斯;J·A·夸伊达克斯;M·E·鲁曼－休斯肯;M·K·斯塔温加;P·A·J·廷内曼斯;M·C·M·维哈根;J·J·L·H·维斯帕;F·E·德荣格;K·戈尔曼;B·门奇奇科夫;H·博姆;S·尼蒂亚诺夫;R·莫尔曼;M·F·P·斯米特斯;B·L·P·小恩德马克;F·J·J·詹斯森;M·里伊彭 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2005-08-12 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻设备包括：调节辐射束的照明系统；支撑构图器件的支架，该构图器件能够将它截面中的图案赋予辐射束以形成构图的辐射束；支撑衬底的衬底台；把已构图的辐射束投影到衬底的目标部分的投影系统；利用液体至少部分地填充在所述投影系统的最后元件和所述衬底之间的间隙的液体供应系统；在投影系统的所述最后元件和述衬底之间的所述间隙中基本包含所述液体的密封构件；和控制和/或补偿浸渍液体从所述衬底蒸发的元件。
光刻设备器件制造方法

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