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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]单光子雪崩光电二极管-CN202310516149.4在审
发明人： Y·本哈穆;D·格兰斯基;D·里多 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开涉及一种光电二极管，其包括：第一部分，该第一部分由硅制成；以及第二部分，该第二部分由掺杂锗制成，位于该第一部分上并且与该第一部分接触，该第一部分包括形成p‑n结的第一区域和第二区域的堆叠，并且锗的掺杂水平随着与p‑n结相距的距离的增加而增加。
光子雪崩光电二极管

[实用新型]光电二极管以及半导体结构-CN201922278366.6有效
发明人： Y·本哈穆;D·格兰斯基;D·里多 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开涉及一种光电二极管以及半导体结构，该光电二极管包括：第一部分，该第一部分由硅制成；以及第二部分，该第二部分由掺杂锗制成，位于该第一部分上并且与该第一部分接触，该第一部分包括形成p‑n结的第一区域和第二区域的堆叠，并且锗的掺杂水平随着与p‑n结相距的距离的增加而增加。
光电二极管以及半导体结构

[发明专利]单光子雪崩光电二极管-CN201911307364.3在审
发明人： Y·本哈穆;D·格兰斯基;D·里多 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开涉及一种光电二极管，其包括：第一部分，该第一部分由硅制成；以及第二部分，该第二部分由掺杂锗制成，位于该第一部分上并且与该第一部分接触，该第一部分包括形成p‑n结的第一区域和第二区域的堆叠，并且锗的掺杂水平随着与p‑n结相距的距离的增加而增加。
光子雪崩光电二极管

[实用新型]多光谱图像传感器和多光谱传感器-CN201921055368.2有效
发明人： A·克罗彻瑞;D·里多 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及多光谱图像传感器和多光谱传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和之上的多个像素。像素包括形成在半导体层的第一部分的内部和之上的第一类型的第一像素和形成在半导体层的第二部分的内部和之上的第二类型的第二像素。第一像素具有第一厚度，第一厚度限定在第一波长处谐振的竖直腔，并且第二像素具有不同于第一厚度的第二厚度。第二厚度限定在不同于第一波长的第二波长处谐振的竖直腔。
光谱图像传感器传感器

[实用新型]多光谱图像传感器和多光谱传感器-CN201921055553.1有效
发明人： D·里多;A·克罗彻瑞 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及多光谱图像传感器和多光谱传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和顶部的多个像素。每个像素包括形成在由外围绝缘壁横向限定的半导体层的部分中的有源光敏区域。像素包括第一类型的第一像素和第二类型的第二像素。第一像素的半导体层的部分具有第一横向尺寸，第一横向尺寸被选择为限定以第一波长谐振的横向腔，并且第二像素的半导体层的部分具有不同于第一横向尺寸的第二横向尺寸，第二横向尺寸被选择为限定在不同于第一波长的第二波长谐振的横向腔。由此提供性能改进的多光谱传感器。
光谱图像传感器传感器

[发明专利]图像传感器-CN201910610100.9在审
发明人： A·克罗彻瑞;D·里多 -专利权人：意法半导体(克洛尔2)公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及图像传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和之上的多个像素。像素包括形成在半导体层的第一部分的内部和之上的第一类型的第一像素和形成在半导体层的第二部分的内部和之上的第二类型的第二像素。第一像素具有第一厚度，第一厚度限定在第一波长处谐振的竖直腔，并且第二像素具有不同于第一厚度的第二厚度。第二厚度限定在不同于第一波长的第二波长处谐振的竖直腔。
像素半导体层波长谐振厚度限定竖直腔多光谱图像图像传感器传感器

[发明专利]图像传感器-CN201910610889.8在审
发明人： D·里多;A·克罗彻瑞 -专利权人：意法半导体(克洛尔2)公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及图像传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和顶部的多个像素。每个像素包括形成在由外围绝缘壁横向限定的半导体层的部分中的有源光敏区域。像素包括第一类型的第一像素和第二类型的第二像素。第一像素的半导体层的部分具有第一横向尺寸，第一横向尺寸被选择为限定以第一波长谐振的横向腔，并且第二像素的半导体层的部分具有不同于第一横向尺寸的第二横向尺寸，第二横向尺寸被选择为限定在不同于第一波长的第二波长谐振的横向腔。
像素半导体层波长谐振横向腔多光谱图像图像传感器光敏区域横向限定绝缘壁传感器波长外围申请

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