专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示面板-CN202110966003.0有效
  • 杨立涛;欧阳幸 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2021-08-23 - 2023-10-10 - H01L27/12
  • 本申请提供一种显示面板,该显示面板包括基底、设置于基底上的薄膜晶体管层,薄膜晶体管层包括并联设置的至少两薄膜晶体管;薄膜晶体管层包括依次层叠设置在基底上的第一金属层、半导体层以及第二金属层,第一金属层至少包括各薄膜晶体管的栅极、以及将各栅极并联的第一连接部;第二金属层至少包括各薄膜晶体管的第一电极和第二电极、将各第一电极并联的第二连接部、以及将各第二电极并联的第三连接部;其中,一薄膜晶体管中,栅极在基底上的正投影覆盖第一电极和第二电极在基底上的正投影。本申请通过设置薄膜晶体管层包括并联设置的至少两薄膜晶体管,从而解决薄膜晶体管中栅极与源极之间发生短路和/或栅极与漏极之间发生短路无法修复的问题。
  • 显示面板
  • [实用新型]一种成套中间罐设备-CN202320177680.9有效
  • 孙克全;杨立涛 - 哈尔滨希科智能装备有限公司
  • 2023-02-10 - 2023-06-27 - B08B9/087
  • 本实用新型涉及石墨生产技术领域,且公开了一种成套中间罐设备,包括框体,所述框体的底部左右两侧均设置有数量为两个的支撑脚,所述框体的顶部左右两侧均设置有一端延伸至其底部的储料罐,两个所述储料罐的相背侧内壁上均设置有一端分别延伸至框体左右两侧的进料管。该成套中间罐设备,通过启动双轴驱动电机来带动两个安装盘旋转,其次通过启动双轴伺服电机来带动两个安装盘下移,此时梯形刮板和环形清理刷则会对储料罐侧壁上附着的骨料进行清理,直至刮板与储料罐内底壁贴合,此时刮板和清理刷则会对内底壁上附着的骨料进行清理,最终储料罐内残留的骨料则会由出料管排出,实现了便于对储料罐内部进行清理的目的。
  • 一种成套中间设备
  • [实用新型]一种速分箱体-CN202320419985.6有效
  • 杨立涛;林洋 - 哈尔滨希科智能装备有限公司
  • 2023-03-08 - 2023-06-27 - B65D6/34
  • 本实用新型涉及箱体技术领域,且公开了一种速分箱体,包括箱体,所述箱体的顶部设置有箱盖,所述箱体的左右两侧均设置有一端与箱盖螺纹连接的抗压组件,所述抗压组件包括护角,所述箱体的底部四角以及箱盖的顶部四角均贴合有护角。该速分箱体,通过设置护脚和加强板,当箱体进行码垛时,护角能够对箱体进行防护,加强板能够提升箱体的抗压能力,从而避免出现压垮和损坏货物的情况发生,通过设置喷涂层、防水薄膜层、牛皮纸层、基板以及锡纸层的配合使用,提升了箱体的防潮性能,避免箱体因受潮而降低了箱体的强度,而基板为双高强瓦楞纸板,同时也增强了箱体的强度,提升了箱体的整体的抗压防潮性能。
  • 一种箱体
  • [发明专利]用于竖直三维(3D)存储器的水平存取装置的主体下触点-CN202110862339.2有效
  • S·普卢居尔塔;杨立涛;李时雨;刘海涛 - 美光科技公司
  • 2021-07-29 - 2023-06-06 - H10B12/00
  • 本申请涉及用于竖直三维3D存储器的水平存取装置的主体下触点。提供了用于竖直堆叠存储器单元阵列的系统、方法和设备,所述竖直堆叠存储器单元阵列具有:水平取向存取装置,所述水平取向存取装置具有由沟道区域分离的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域,以及与所述沟道区域相对的栅极;竖直取向存取线,所述竖直取向存取线耦合到所述栅极并由栅极电介质与所述沟道区域分离。所述存储器单元具有耦合到所述第二源极/漏极区域的水平取向存储节点和耦合到所述第一源极/漏极区域的水平取向数位线。竖直主体触点的主体下导电触点与一或多个所述水平取向存取装置中的主体区域形成直接电接触并且由电介质与所述第一源极/漏极区域和所述水平取向数位线分离。
  • 用于竖直三维存储器水平存取装置主体触点
  • [发明专利]集成组合件-CN202180052008.0在审
  • S·普卢居尔塔;杨立涛;刘海涛;K·M·考尔道 - 美光科技公司
  • 2021-08-18 - 2023-05-05 - H01L29/51
  • 一些实施例包含集成存储器。所述集成存储器包含第一系列的第一导电结构和第二系列的导电结构。所述第一导电结构沿着第一方向延伸。所述第二导电结构沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸。半导体材料的支柱从所述第一导电结构向上延伸。所述支柱中的每一个包含下部源极/漏极区、上部源极/漏极区,以及所述下部和上部源极/漏极区之间的沟道区。所述下部源极/漏极区与所述第一导电结构耦合。绝缘材料邻近于所述支柱的侧壁表面。所述绝缘材料包含ZrOx,其中x为大于0的数字。所述第二导电结构包含通过至少所述绝缘材料与所述沟道区间隔开的选通区。存储元件与所述上部源极/漏极区耦合。
  • 集成组合

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