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[发明专利]以增加的良率制造半导体装置模块的方法-CN202210842644.X有效
发明人： A·帕查穆图;C·H·育;何思瑩;J·F·克丁 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请涉及以增加的良率制造半导体装置模块的方法。制造半导体装置模块的方法可涉及在牺牲材料中形成孔，且将导电材料放置于所述孔中。可移除所述牺牲材料以暴露所述导电材料的柱。可在移除所述牺牲材料之后将半导体裸片堆叠放置于所述柱中的至少两者之间，所述堆叠的所述半导体裸片中的一者包含作用表面，所述作用表面面向与所述堆叠的所述半导体裸片中的另一者的另一作用表面的方向相反的方向。可将所述柱及所述半导体裸片堆叠至少横向地包封于包封物中。可在至少横向地包封所述柱及所述半导体裸片堆叠之后将所述半导体裸片中的所述一者的接合垫电连接到对应柱。
增加制造半导体装置模块方法

[发明专利]存储器装置接口及方法-CN202080030311.6有效
发明人： B·基思;O·费伊;C·H·育;R·E·格雷夫;M·B·莱斯利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：公开设备及方法，包含存储器装置及系统。实例存储器装置、系统及方法包含缓冲器接口以将主机接口侧上的高速数据交互转换成DRAM接口侧上的更慢、更宽的数据交互。所述更慢且更宽的DRAM接口可经配置以与更窄、更高速的主机接口的容量基本上匹配。在一些实例中，所述缓冲器接口可经配置以提供多个子通道接口，每一子通道接口经耦合到存储器结构内的一或多个区且经配置以在所述存储器结构的某一部分发生故障的情况下促进数据恢复。选定的实例存储器装置、系统及方法包含个别DRAM裸片，或耦合到缓冲器裸片的一或多个DRAM裸片堆叠。
存储器装置接口方法

[发明专利]具有导电元件的半导体互连结构，以及相关联系统和方法-CN202210372314.9在审
发明人： S·U·阿里芬;Q·阮;C·格兰西;K·辛哈;C·H·育 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及具有导电元件的半导体互连结构以及相关联系统和方法。在一个实施例中，半导体封装包含半导体裸片和耦合到所述半导体裸片的柱结构。所述柱结构可包含由具有第一弹性模数的第一导电材料制成的多个导电元件。所述柱结构可进一步包含至少部分地环绕所述多个导电元件的第二导电材料的连续区。所述第二导电材料可具有小于所述第一弹性模数的第二弹性模数。
具有导电元件半导体互连结构以及相关联系方法

[发明专利]微电子装置组合件和封装体以及相关方法和系统-CN202080081502.5在审
发明人： O·R·费伊;R·K·理查兹;A·U·利马耶;D·S·林;C·H·育;B·K·施特雷特;仲野英一;罗时剑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：公开了一种微电子装置组合件，所述微电子装置组合件包括衬底，所述衬底具有暴露于其表面上的导体。两个或两个以上微电子装置堆叠在所述衬底上，每个微电子装置包括有源表面，所述有源表面具有可操作地耦接到导电迹线的接合衬垫，所述导电迹线在介电材料之上延伸到所述堆叠的至少一个侧面以外的通孔位置，并且通孔在所述通孔位置处延伸穿过所述介电材料，并且包括与所述两个或两个以上微电子装置中的每一个的所述导电迹线中的至少一些接触的导电材料，并且延伸到所述衬底的暴露导体。还公开了制造方法和相关电子系统。
微电子装置组合封装以及相关方法系统

[发明专利]低成本三维堆叠半导体组合件-CN202110885234.9在审
发明人： O·R·费伊;C·H·育 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文公开一种低成本三维堆叠半导体组合件和相关联的方法。所述半导体装置封装组合件包含(1)基底组件，其具有前侧和背侧，所述基底组件具有在所述前侧处的第一金属化结构；(2)半导体装置封装，其具有第一侧、具有凹槽的第二侧及在所述第一侧处的第二金属化结构和暴露于所述第二侧处的凹槽中的接触区；(3)互连结构，其至少部分地位于所述半导体装置封装的所述第二侧处的所述凹槽中；及(4)热固性材料或结构，其在所述基底组件的所述前侧与所述半导体装置封装的所述第二侧之间。所述互连结构在所述热固性材料中且包含电耦合到彼此的离散导电粒子。
低成本三维堆叠半导体组合

[发明专利]三维堆叠半导体组合件及其制造方法-CN202080043206.6在审
发明人： O·R·费伊;C·H·育;M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本文公开半导体装置封装及相关联组合件。在一些实施例中，所述半导体装置封装包含：衬底，其具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；第一金属化层，其位于所述衬底的所述第一侧处；及第二金属化层，其在所述衬底中且电耦合到所述第一金属化层。所述半导体装置封装进一步包含：金属凸块，其电耦合到所述第一金属化层；及凹槽，其形成于所述衬底的所述第二侧处且与所述金属凸块对准。所述凹槽暴露所述第二金属化层的部分且使所述部分能够电耦合到另一半导体装置封装。
三维堆叠半导体组合及其制造方法

[发明专利]具有柔性加强结构的半导体装置-CN202110630447.7在审
发明人： O·R·费伊;C·H·育 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请涉及具有柔性加强结构的半导体装置。本文公开了用于制造具有柔性加强结构的半导体装置的方法以及相关联的系统和装置。在一个实施例中，制造半导体装置的方法包括将至少一个半导体管芯电耦合至第一载体上的重布线结构。半导体管芯可以包括连接至重布线结构的第一表面和与重布线结构间隔开的第二表面。该方法还包括将半导体管芯的厚度减小至不大于10μm。该方法进一步包括将柔性加强结构耦合至至少一个半导体管芯的第二表面。
具有柔性加强结构半导体装置

[发明专利]存储器装置接口及方法-CN202080030315.4在审
发明人： B·基思;O·费伊;C·H·育;R·E·格雷夫;M·B·莱斯利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：公开设备及方法，包含存储器装置及系统。实例存储器装置、系统及方法包含缓冲器接口以将主机接口侧上的高速数据交互转换成DRAM接口侧上的更慢、更宽的数据交互。所述更慢且更宽的DRAM接口可经配置以与更窄、更高速的主机接口的容量基本上匹配。在一些实例中，所述缓冲器接口可经配置以提供多个子通道接口，每一子通道接口经耦合到存储器结构内的一或多个区且经配置以在所述存储器结构的某一部分发生故障的情况下促进数据恢复。选定的实例存储器装置、系统及方法包含个别DRAM裸片，或耦合到缓冲器裸片的一或多个DRAM裸片堆叠。
存储器装置接口方法

[发明专利]中介层、包含中介层的微电子装置组件和制造方法-CN202080022022.1在审
发明人： C·H·育;O·R·费伊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本申请涉及一种中介层、包含所述中介层的电子装置组件和制造方法。一种中介层包括半导体材料，并且包含在所述中介层上用于主机装置的位置下方的高速缓冲存储器。存储器接口电路系统还可以位于所述中介层上用于存储器装置的一或多个位置下方。还公开了并入有此类中介层且包括主机装置和多个存储器装置的微电子装置组件，以及制造此类微电子装置组件的方法。
中介包含微电子装置组件制造方法

[发明专利]堆叠中介层结构及相关微电子装置组合件、方法及电子系统-CN202011478245.7在审
发明人： O·R·费伊;C·H·育 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请案涉及堆叠中介层结构及相关微电子装置组合件、方法及电子系统。中介层包括半导体材料并包含在所述中介层上的针对主机装置的位置下方的高速缓冲存储器。存储器接口电路系统也可位于所述中介层上的针对存储器装置的一或多个位置下方。还揭示并入有此中介层及包括主机装置及多个存储器装置的微电子装置组合件以及制造此类微电子装置组合件的方法。
堆叠中介结构相关微电子装置组合方法电子系统

[发明专利]包括用于热管理的石墨烯层的存储器模块和存储器封装-CN202010573855.9在审
发明人： C·H·育;G·E·帕克斯;Y·夏尔马;G·A·金;T·H·金斯利;R·K·理查兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本申请涉及包括用于热管理的石墨烯层的存储器模块和存储器封装。描述了与存储器装置和封装相关的系统、设备和方法。一种诸如双列直插式存储器模块DIMM或其它电子装置封装等的装置可以包括具有石墨烯层的衬底，所述石墨烯层被配置成将热能(例如，热量)从安装或固定至所述衬底的部件传导出去。在一些示例中，DIMM包括最上层或顶层石墨烯，所述最上层或顶层石墨烯暴露于空气中并且被配置成允许将存储器装置(例如，DRAM)的连接件焊接至所述衬底的导电焊盘。石墨烯可以与所述存储器装置的除了与所述导电焊盘的电连接件之外的部分接触，并且因此可以被配置成所述装置的散热器。除了石墨烯之外或者作为石墨烯的替代性方案，可以使用其它薄的导电层。石墨烯可以是其它散热机制的补充。
包括用于管理石墨存储器模块封装

[发明专利]用于存储器功率管理的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统-CN202010602070.X在审
发明人： E·J·斯特夫;G·E·帕克斯;Y·夏尔马;G·A·金;C·H·育;朗东·K·理查兹;T·M·霍利斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：描述了用于存储器功率管理的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统。存储器装置或模块可在命令中引入时延以协调在所述装置处的操作或者以改进在所述装置处的定时或功率消耗。举例来说，主机可将命令发布到存储器模块，并且所述存储器模块的组件或特征可接收所述命令并且以对所述主机不可见或非破坏性的方式修改所述命令或其执行的定时同时促进在所述存储器模块处的操作。在一些实例中，可以停用存储器模块的组件或特征以在操作中实现或引入时延而不影响主机装置的定时或操作。存储器模块可在允许不同的时延的不同的模式中操作；时延的使用或引入可能不会影响所述存储器模块的其它特征或操作性。
用于存储器功率管理方法以及采用装置系统

[发明专利]用于存储器模块的管状散热器及并入有管状散热器的存储器模块-CN202010627591.0在审
发明人： T·H·金斯利;G·E·帕克斯;Y·夏尔马;G·A·金;C·H·育;R·K·理查德兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请涉及用于存储器模块的管状散热器及并入有所述管状散热器的存储器模块。举例来说，存储器模块可具有：具有边缘连接器的印刷电路板PCB；安置于所述PCB的表面上的多个存储器装置；及沿着与所述边缘连接器相对的所述PCB的边缘安置的管状散热器。所述管状散热器可包括管状部分，所述管状部分在其两端开放以允许冷却气体流过；及两个平面元件，其远离所述管状部分平行地延伸并且经配置以提供与所述存储器模块的摩擦配合。所述平面元件中的每一个可经配置以将热能从所述存储器模块传送到所述管状部分。
用于存储器模块管状散热器并入

[发明专利]包含垂直集成电路的半导体组合件及其制造方法-CN202010610562.3在审
发明人： C·H·育;O·R·费伊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请案涉及包含垂直集成电路的半导体组合件及其制造方法。在一些实施例中，所述半导体组合件包括安装于逻辑装置之上的至少一个存储器装置及安置于所述存储器装置与所述逻辑装置之间的导热层、热绝缘体中介层或其组合。所述导热层包含经配置以跨水平平面传递热能的结构。所述热绝缘体中介层包含经配置以减少所述逻辑装置与所述存储器装置之间的热传递的结构。
包含垂直集成电路半导体组合及其制造方法

[发明专利]包含热电路的半导体组合件及其制造方法-CN202010620583.3在审
发明人： C·H·育;O·R·费伊;仲野英一 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请案涉及包含热电路的半导体组合件及其制造方法。本文中揭示包含热层的半导体组合件以及相关联系统及方法。在一些实施例中，所述半导体组合件包括在衬底上方的一或多个半导体装置。所述衬底包含经配置以沿着侧向平面且跨所述衬底转移热能的热层。使用一或多个热连接器沿着非侧向方向将所述热能从所述半导体装置转移到石墨烯层。
包含电路半导体组合及其制造方法

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