“B·L·麦克莱恩”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有表面安装裸片支撑结构的半导体装置组合件-CN201880033499.2有效
发明人： B·P·沃兹;B·L·麦克莱恩 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置组合件。所述组合件包含第一封装元件及安置于所述第一封装元件上方的第二封装元件。所述组合件进一步包含所述第一及第二封装元件之间的多个裸片支撑结构，其中所述多个裸片支撑结构中的每一者具有第一高度、表面安装到所述第一封装元件的下部分及与所述第二封装元件接触的上部分。所述组合件进一步包含所述第一及第二封装元件之间的多个互连件，其中所述多个互连件中的每一者包含具有第二高度的导电柱、导电垫及在所述导电柱与所述导电垫之间具有焊料接头厚度的接合材料。所述第一高度约等于所述焊料接头厚度及所述第二高度的总和。
具有表面安装支撑结构半导体装置组合

[发明专利]半导体装置组合件和其制造方法-CN201811006229.0有效
发明人： B·P·沃兹;B·L·麦克莱恩;J·E·明尼克;马朝辉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置组合件和其制造方法。一种半导体装置组合件，其包含定位在衬底上方的半导体装置，其中多个电互连件形成在所述半导体装置与所述衬底之间。所述衬底的表面包含朝向所述半导体装置延伸的多个离散焊料掩模支座。热压结合过程用于使焊料熔融以形成所述电互连件，这降低所述半导体装置以接触所述多个离散焊料掩模支座且由所述多个离散焊料掩模支座支撑。所述焊料掩模支座准许在所述结合过程期间施加比使用传统焊料掩模更大的压力。所述焊料掩模支座可具有各种多边形或非多边形形状且可按图案定位以保护所述半导体装置和/或所述衬底的敏感区域。所述焊料掩模支座可以是保护所述半导体装置和/或衬底的区域的细长形状。
半导体装置组合制造方法

[发明专利]用于制造半导体装置的方法和系统-CN201911192839.9在审
发明人：周卫;B·K·施特雷特;B·L·麦克莱恩;M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本申请涉及用于制造半导体装置的方法和系统。一种热压接合TCB设备，其能够包含具有在第一方向上测量的高度且经配置以定位于半导体接合设备的第一按压表面与第二按压表面之间的壁。所述设备能够包含至少部分地由所述壁包围的空腔，所述空腔经设定大小以接纳半导体衬底及定位于所述半导体衬底与所述第一按压表面之间的半导体裸片的堆叠，半导体裸片的所述堆叠及半导体衬底具有如在所述第一方向上测量的组合未按压堆叠高度。在一些实施例中，所述未按压堆叠高度大于所述壁的所述高度，且所述壁经配置以由所述第一按压表面接触从而在半导体接合工艺期间限制所述第一按压表面朝向所述第二按压表面的运动。
用于制造半导体装置方法系统

[发明专利]用于制造半导体装置的方法及系统-CN201911292819.9在审
发明人：周卫;B·K·施特雷特;B·L·麦克莱恩;M·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本申请案涉及用于制造半导体装置的方法及系统。一种热压缩接合TCB设备可包含壁，所述壁具有在第一方向上测量的高度且经配置以定位于半导体接合设备的第一按压表面与第二按压表面之间。所述设备可包含至少部分地由所述壁环绕的腔，所述腔经大小设定以接纳半导体衬底及定位于所述半导体衬底与所述第一按压表面之间的半导体裸片堆叠，所述半导体裸片堆叠及半导体衬底具有在所述第一方向上测量的经组合未按压堆叠高度。在一些实施例中，所述未按压堆叠高度大于所述壁的所述高度，且所述壁经配置以由所述第一按压表面接触来限制在半导体接合工艺期间所述第一按压表面朝向所述第二按压表面的移动。
用于制造半导体装置方法系统

[发明专利]热压接合尖端及相关设备与方法-CN201880038539.2在审
发明人： B·L·麦克莱恩;B·P·沃兹;马朝辉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于热压接合底表面的接合尖端，其包含裸片接触区域及覆盖所述底表面的至少一部分的低表面能材料。所述低表面能材料可覆盖基本上整个所述底表面，或仅覆盖围绕所述裸片接触区域的外围部分。所述裸片接触区域可相对于所述外围部分凹入某一深度，所述深度至少与要在所述经凹入的裸片接触区域中接纳的半导体裸片的厚度一样大。还揭示一种热压接合方法。
接触区域裸片低表面能材料热压接合覆盖外围半导体裸片接合凹入的凹入接纳

[发明专利]半导体装置、半导体装置组合件及形成半导体装置组合件的方法-CN201910118083.7在审
发明人： B·P·沃兹;B·L·麦克莱恩;J·E·明尼克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种半导体装置、半导体装置组合件以及形成包含水分不可渗透层的半导体装置组合件的方法。所述组合件包含第一衬底及电连接到所述第一衬底的表面的第二衬底。所述组合件包含在所述两个衬底之间的层，其中所述水分不可渗透层在所述层与所述第一衬底的所述表面之间。所述层可为非导电膜、裸片附接膜、毛细管底部填充物及类似物。所述第一衬底的所述表面的一部分可包含在所述水分不可渗透层与所述第一衬底之间的焊接掩模。所述水分不可渗透层防止或至少抑制所述第一衬底内的水分以免可能在所述层中产生空隙。所述水分不可渗透层可为聚酰亚胺、聚酰亚胺类材料、环氧树脂、环氧丙烯酸酯、聚对二甲苯、乙烯基三乙氧基硅烷或其组合。所述水分不可渗透层可具有高电阻。
衬底半导体装置不可渗透层组合件乙烯基三乙氧基硅烷环氧树脂环氧丙烯酸酯底部填充物聚对二甲苯聚酰亚胺类非导电膜焊接掩模聚酰亚胺电连接高电阻类似物毛细管附接裸片

[发明专利]半导体装置、半导体装置组合件及其制作方法-CN201910001219.6在审
发明人： B·L·麦克莱恩;李晓 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、半导体装置组合件及其制作方法。可从具有第一厚度的半导体装置移除材料以获得第二厚度，且可将载体附接到具有第三厚度的所述半导体装置，其中所述第三厚度加所述第二厚度基本上等于所述第一厚度。所述载体具有不同于所述半导体装置的热膨胀系数CTE的CTE。将所述载体添加到所述半导体装置可改变半导体装置组合件的整体翘曲或CTE。所述半导体装置组合件可包含所述半导体装置与衬底之间的重新分布层。材料可囊封所述载体及所述半导体装置。所述载体可提供电磁屏蔽。可将涂层应用到所述半导体装置组合件的外表面以提供电磁屏蔽。
半导体装置组合件电磁屏蔽热膨胀系数重新分布层涂层应用移除材料整体翘曲可改变衬底囊封制作

[发明专利]拾取及放置操作期间的冷流体半导体装置释放以及相关系统及方法-CN201810953097.6在审
发明人： J·E·明尼克;B·L·麦克莱恩;T·M·延森 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请案涉及拾取及放置操作期间的冷流体半导体装置释放以及相关系统及方法。揭示用于在拾取及放置操作期间释放半导体裸片的系统及方法。在一个实施例中，一种用于处置半导体裸片的系统包括支撑构件，其经定位以承载可释放地附接到支撑衬底的至少一个半导体裸片。所述系统进一步包含拾取装置，其具有拾取头，所述拾取头可耦合到真空源并且经定位以可释放地附接到在拾取站处的所述半导体裸片。所述系统还进一步包含冷却构件，其可耦合到冷流体源并且经配置以将由所述冷流体源供应的冷流体引导朝向在所述拾取站处的所述支撑衬底。所述冷流体冷却所述衬底的裸片附接区，所述半导体裸片在所述裸片附接区附接到所述衬底以便于所述半导体裸片的移除。
半导体裸片拾取冷流体衬底操作期间半导体装置冷流体源可释放拾取头耦合到附接裸片释放冷却构件拾取装置支撑构件申请案真空源移除支撑冷却承载配置

[发明专利]用于阻止接合材料污染半导体处理工具的方法和系统-CN201810972249.7在审
发明人： B·L·麦克莱恩;J·E·明尼克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本文中公开了用于阻止接合材料进入半导体处理工具的真空系统的方法和系统。一种根据特定实施例配置的半导体处理工具包含接合头，所述接合头具有第一端口、第二端口、以流体方式耦合到所述第一端口的第一通道和以流体方式耦合到所述第二端口的第二通道。所述第一端口和所述第一通道一起包括延伸穿过所述接合头的第一开口，且所述第二端口和所述第二通道一起包括延伸穿过所述接合头的第二开口。所述第二开口至少部分地包围所述第一开口。第一流动单元耦合到所述第一端口且经配置以从所述第一开口抽出空气。第二流动单元耦合到所述第二端口且经配置以向所述第二开口提供流体或从所述第二开口抽出流体。
开口接合头半导体处理工具流体方式耦合接合材料流动单元延伸穿过耦合到流体抽出污染半导体处理工具真空系统配置的配置包围

1
共 9 条