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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有不对称电极界面的存储器单元-CN201980011809.5有效
发明人： A·皮罗瓦诺;K·亚斯特列别涅茨基;A·M·孔蒂;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：本申请的主题涉及具有不对称电极界面的存储器单元。描述了用于具有不对称电极界面的存储器单元的方法、系统和装置。具有不对称电极界面的存储器单元可以减轻邻近字线中的短路，这可以用于准确读取所述存储器单元的所存储值。存储器装置可以包含具有与顶部电极接触的顶表面区域和与底部电极接触的底表面区域的自选择性存储器组件，其中与所述顶部电极接触的所述顶表面区域的大小不同于与所述底部电极接触的所述底表面区域的大小。
具有不对称电极界面存储器单元

[发明专利]用于制造双电极存储器阵列的技术-CN202211233706.3在审
发明人： A·M·孔蒂;A·戈蒂;P·R·K·埃尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本申请案是针对用于制造双电极存储器阵列的技术。可使用制造步骤序列来制造存储器装置，所述制造步骤序列包含沉积包含导电层、界面层和第一电极层的第一材料堆叠。可蚀刻所述第一材料堆叠以形成第一沟槽集。第二材料堆叠可沉积于所述第一材料堆叠的顶部。所述第二堆叠可包含与所述第一电极层接触的第二电极层、存储层和第三电极层。可蚀刻所述第二材料堆叠以在所述第一沟槽集上方形成第二沟槽集，并用密封层和介电材料填充所述第二沟槽集。所述密封层可能不会显著地延伸到所述第一沟槽集中。
用于制造电极存储器阵列技术

[发明专利]存储器装置及用于形成存储组件的方法-CN201910103073.6有效
发明人： A·雷达埃利;A·M·孔蒂;A·皮罗瓦诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器装置及用于形成存储组件的方法。明确地说，描述用于楔形单元轮廓及制造的方法、系统及装置。存储器存储组件可含有多种硫族化物材料，且可包含楔形轮廓。举例来说，第一硫族化物材料可与第二硫族化物材料耦合。所述硫族化物材料中的每一者可进一步与导电材料(例如，电极)耦合。经由蚀刻工艺，所述硫族化物材料可成楔形(例如，阶梯式楔形)。脉冲可施加到所述楔形硫族化物材料，从而导致包含所述硫族化物材料的混合物的存储器存储组件。
存储器装置用于形成存储组件方法

[发明专利]存储器单元阵列及形成存储器单元阵列的方法-CN201810384810.X有效
发明人： A·M·孔蒂;A·皮罗瓦诺;A·雷达埃利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明涉及存储器单元阵列及形成存储器单元阵列的方法。一种形成存储器单元阵列的方法，其中所述阵列包括：存储器单元的竖向内层，其包括间隔开的内层下第一导电线及其正上方的内层可编程材料；存储器单元的竖向外层，其包括间隔开的外层下第一导电线及其正上方的外层可编程材料；及间隔开的上第二导电线，其由所述外层存储器单元及所述内层存储器单元电共享，所述方法包括沉积用于全部共享的间隔开的上第二导电线的导体材料。用于全部所述共享的间隔开的上第二导电线的全部所述导体材料使用仅单个遮蔽步骤图案化。揭示独立于制造方法的其它方法实施例及存储器单元阵列。
存储器单元阵列形成方法

[发明专利]用于存储操作数据的存储器单元-CN202111430770.6在审
发明人： M·博尼亚蒂;A·M·孔蒂;I·托尔托雷利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请涉及用于存储操作数据的存储器单元。存储器装置可包含具有用于存储数据的不同单元集的存储器单元阵列。第一存储器单元集可存储用于操作所述存储器装置的数据，且相关联存储器单元可各自含有硫属化物存储元件。第二存储器单元集可存储主机数据。包含在所述第一集中的一些存储器单元可编程以存储第一逻辑状态，且所述第一集中的其它存储器单元可保持未编程(且可表示第二逻辑状态)。感测电路可与所述阵列耦合，且可确定由所述第一存储器单元集存储的数据的值。
用于存储操作数据存储器单元

[发明专利]在存储器装置中存储熔丝数据的实施方案-CN202080051193.7在审
发明人： M·博尼亚蒂;A·M·孔蒂;M·罗布斯泰利;I·托尔托雷利;M·阿莱格拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本发明描述在存储器装置中存储熔丝数据的方法、系统、装置及其它实施方案。一些实施方案可包含具有用于存储数据的不同单元部分的存储器单元阵列。所述阵列的第一部分可存储熔丝数据且可含有一硫属化物存储元件，而所述阵列的第二部分可存储用户数据。感测电路系统可与所述阵列耦合且可使用各种发信号技术确定所述熔丝数据的值。在一些情况中，所述感测电路系统可实施差分存储及差分发信号以确定存储于所述阵列的所述第一部分中的所述熔丝数据的所述值。
存储器装置存储数据实施方案

[发明专利]三维存储器阵列-CN201980065835.6在审
发明人： A·M·孔蒂;A·雷达埃利;A·皮罗瓦诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：实例三维3D存储器阵列包含：第一多个导电线，其通过绝缘材料彼此分离；第二多个导电线；及多对导电柱，其布置成大体上垂直于所述第一多个导电线和所述第二多个导电线延伸。每个相应对中的所述导电柱耦合到所述第二多个导电线中的同一导电线。在每个相应对中的所述导电柱周围部分地形成存储元件材料。
三维存储器阵列

[发明专利]存储器阵列的存取线形成-CN202010778307.X在审
发明人： A·雷达埃利;A·M·孔蒂 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请涉及存储器阵列的存取线形成。本文描述的技术可以用于制造存储器阵列的一或多个叠层的存取线。在一些实例中，可以使用独立的加工步骤形成叠层的一或多条存取线。例如，可以使用不同的制造工艺形成叠层中的多条存取线并且形成与所述存取线耦接的柱(例如，存储器单元)。在一些实例中，所述存取线与所述柱之间可能由于组件是以不同的加工步骤制造的而存在偏移。
存储器阵列存取线形

[发明专利]具有双层保护衬垫的存储器件-CN202010147141.1在审
发明人： A·M·孔蒂;F·佩利泽尔;A·皮罗瓦诺;K·亚斯特列贝内特斯凯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：公开了存储器单元设计。在实施例中，存储器单元结构包括堆叠在顶部和底部电极之间的至少一个存储器位层。存储器位层为相应的存储器单元提供存储元件。可以在存储器位层与顶部或底部电极之一或两者之间包括一个或多个附加的导电层，以提供更好的欧姆接触。无论如何，在存储器位层的侧壁上提供电介质衬垫结构。衬垫结构包括电介质层，并且还可以包括第一电介质层上的第二电介质层。第一电介质层或第二电介质层中的任一个或两者包括高k电介质材料。正如将要理解的，电介质衬垫结构在蚀刻存储器位层下面的后续层期间有效地保护了存储器位层不受横向侵蚀和污染。
具有双层保护衬垫存储器件

[发明专利]在交叉点存储器阵列中的自我对准存储器层板-CN201880050885.2在审
发明人： A·皮罗瓦诺;F·佩里兹;A·M·孔蒂;A·雷达埃利;I·托尔托雷利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种多层存储器装置，其具有具备自我选择存储器单元的多个存储器层板的阵列，其中可使用N+1个掩模操作制造N个存储器层板。所述多个存储器层板可为自我对准的且可针对多个存储器层板同时执行某些制造操作。举例来说，可在单个掩模操作中执行图案化第一存储器层板的位线方向及所述第一存储器层板上方的第二存储器层板中的字线方向，且可在相同后续蚀刻操作中蚀刻两个层板。相对于其中每一存储器层板使用两个或两个以上掩模及蚀刻操作处理每一存储器层板的处理技术，此类技术可提供可容许制造设施的增强处理能力、额外产能及更高良率的有效制造。
交叉点存储器阵列中的自我对准

[发明专利]具有降低的过孔电阻的存储器结构-CN201910800191.2在审
发明人： A·M·孔蒂;A·雷达埃利 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器结构，其可以包括存储器单元、过孔、将所述存储器单元与所述过孔隔开的电介质材料、处于所述存储器单元和所述电介质材料上的金属陶瓷复合材料层、以及处于所述金属陶瓷复合材料层和所述过孔上的导电层。所述导电层可以与所述过孔的顶表面直接接触。
具有降低电阻存储器结构

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