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[发明专利]具有深沟槽隔离岛的ESD保护器件-CN201911146637.0在审
发明人：陈在晨;A·A·萨尔曼;B·胡 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及具有深沟槽隔离岛的ESD保护器件，并公开一种电子器件(100)，其包括具有第二导电类型的衬底(105)，该衬底包括具有掩埋层(BL)的半导体表面层(115)，该掩埋层(BL)具有第一导电类型。均具有第一导电类型的第一掺杂区域(例如集电极)(117)和第二掺杂区域(例如发射极)(119)在半导体表面层中，其中具有第二导电类型的第三掺杂区域(例如基极)(118)在第二掺杂区域内，其中第一掺杂区域在第三掺杂区域下方并横向于第三掺杂区域延伸。至少一排深沟槽(DT)隔离岛(1251‑12515)位于第一掺杂区域内，每个隔离岛都包括沿沟槽侧壁从半导体表面层延伸到BL的电介质衬垫，以及从半导体表面层延伸到BL的相关联的深掺杂区域(125a)。深掺杂区域可以合并，从而形成跨越DT岛的合并的深掺杂区域。
具有深沟隔离 esd 保护器件

[发明专利]具有多个雪崩二极管的ESD保护电路-CN201910254862.X在审
发明人： H·L·爱德华兹;A·A·萨尔曼;L·于 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有多个雪崩二极管的ESD保护电路。公开了一种静电放电(ESD)保护电路(图3C)。该电路包括具有基极、集电极和发射极的双极晶体管(304)。多个二极管(308‑316)中的每个二极管具有耦合到基极的第一端子和耦合到集电极的第二端子。集电极连接到第一端子(V+)。发射极连接到电源端子(V‑)。
雪崩二极管二极管集电极耦合到电路发射极连接集电极连接双极晶体管电源端子静电放电发射极

[发明专利]后镇流式纵向NPN晶体管-CN201811469111.1在审
发明人： A·A·萨尔曼;G·马图尔;R·冢原 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本申请公开了一种后镇流式纵向NPN晶体管。所公开的示例提供具有后镇流式NPN双极晶体管(140)的集成电路(100)和制造方法，该双极晶体管(140)包括在P掺杂区(118)中的n型发射极(129)，具有面向发射极(129)的第一侧的p型基极(130)，以及与基极(130)的第二侧横向间隔开的n型集电极(128)，其中集电极(128)包括面向基极(130)的第二侧的第一侧，相对的第二侧，硅化的第一集电极部分(136)和硅化物被阻挡的第二集电极部分(138)，用不导电的电介质(134)覆盖该硅化物被阻挡的第二集电极部分(138)，该硅化物被阻挡的第二集电极部分(138)在第一集电极部分(136)与集电极(128)的第二侧之间横向延伸，以当纵向NPN在高电压下导通时，经由深N掺杂区(120)提供用于横向击穿和低电流传导的后侧镇流。
集电极镇流硅化物阻挡电介质双极晶体管横向间隔横向延伸不导电低电流发射极高电压导通硅化击穿传导集成电路覆盖申请制造

[发明专利]串联ESD保护电路-CN201510125512.5有效
发明人： H·L·爱德华兹;A·A·萨尔曼;M·I·马哈茂德 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开串联ESD保护电路，具体地，本发明公开集成电路的静电放电(ESD)保护电路(图2A)。电路被形成在具有第一导电型的衬底(P‑EPI)上。具有第二导电型的埋层(NBL 240)被形成在衬底的表面以下。第一端子(206)和第二端子(204)被形成在衬底的表面处。第一ESD保护器件(232)具第一端子和埋层之间的第一电流通路。第二ESD保护器件(216)具有与第一电流通路串联并且在第二端子和埋层之间的第二电流通路。
电流通路衬底埋层串联导电型电路静电放电表面处集成电路

[发明专利]用于集成电路中的双向ESD保护的设备和方法-CN201380028342.8有效
发明人： A·A·萨尔曼;F·法比兹;A·M·康坎农;G·博塞利 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路包括双向ESD保护装置(400)，其具有多个并联开关支线(402)。每个开关支线包括背对背配置的第一电流开关(404)和第二电流开关(406)。每个第一电流开关的第一电流供给节点(408)耦合至第一端子。每个第二电流开关的第二电流供给节点(414)耦合至第二端子。每个第一电流开关的第一电流集取节点(410)耦合至对应的第二电流开关的第二电流集取节点(416)。每个第一电流开关的第一电流集取节点与任何其他第一电流集取节点不耦合，并且类似地，每个实例第二电流开关的第二电流集取节点与任何其他第二电流集取节点不耦合。
用于集成电路中的双向 esd 保护设备方法

[发明专利]具有多个雪崩二极管的ESD保护电路-CN201510128280.9有效
发明人： H·L·爱德华兹;A·A·萨尔曼;L·于 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有多个雪崩二极管的ESD保护电路。公开了一种静电放电(ESD)保护电路(图3C)。该电路包括具有基极、集电极和发射极的双极晶体管(304)。多个二极管(308‑316)中的每个二极管具有耦合到基极的第一端子和耦合到集电极的第二端子。集电极连接到第一端子(V+)。发射极连接到电源端子(V‑)。
雪崩二极管二极管集电极耦合到电路发射极连接集电极连接双极晶体管电源端子静电放电发射极

[发明专利]传输线脉冲发送-CN201310113381.X有效
发明人： F·法比兹;A·A·萨尔曼 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H03H11/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用传输线脉冲发送进行静电放电测试的电路和方法。多个传输线网络被连接到被测试设备，并且每个传输线网络可以具有不同的连接终端。开关可以被用来选择哪个传输线网络被连接到被测试设备，以及哪个终端(如果存在)被连接到传输线网络。
传输线网络被测试设备传输线脉冲静电放电测试发送连接终端电路终端

[发明专利]双向静电放电(ESD)保护器件-CN201310151775.4有效
发明人： H·L·爱德华兹;A·A·萨尔曼 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种双向静电放电(ESD)保护器件，其包括具有顶部半导体表面的衬底，所述顶部半导体表面包括形成于其中的第一可控硅整流器(SCR)和第二SCR，所述SCR包括图案化的p掩埋层(PBL)，所述PBL包括多个PBL区域。所述第一SCR包括第一和第二n沟道远端漏极MOS器件，每个MOS器件具有栅极和在p‑本体内的源极并且共享第一合并漏极。所述第二SCR包括第三和第四n沟道远端漏极MOS器件，每个MOS器件具有栅极和在p‑本体内的源极并且共享第二合并漏极。所述多个PBL区域只在所述源极的至少一部分下面，而排除在任一合并漏极下面。
双向静电放电 esd 保护器件

[发明专利]在沟槽下方具有沉块扩散区的双极晶体管-CN201480037806.6在审
发明人： H·L·爱德华兹;A·A·萨尔曼 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：在所述示例中，一种双极晶体管(100)包括：具有半导体表面(106)的衬底(105)；以及第一沟槽封装件和第二沟槽封装件(121，122)，这两个沟槽封装件均至少内衬有电介质，所述电介质从所述半导体表面(106)的顶侧(106a)向下延伸至沟槽深度。所述第一沟槽封装件(121)限定内封闭区。基极(140)和在所述基极(140)中形成的发射极(150)在所述内封闭区之内。埋层(126)在所述沟槽深度之下，包括在所述基极(140)下方。沉块扩散区(115)包括在所述第一沟槽封装件和第二沟槽封装件(121，122)之间的从所述半导体表面(106)的所述顶侧(106a)延伸到所述埋层的第一部分(115a)，和在所述内封闭区之内的第二部分(115b)。所述第二部分(115b)不延伸至所述半导体表面(106)的所述顶侧(106a)。
沟槽下方具有扩散双极晶体管

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