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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]多层自选择存储器装置-CN201880079654.4有效
发明人： A·雷达埃利;I·托尔托雷利;A·皮罗瓦诺;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本申请案涉及一种多层自选择存储器装置。描述与多层自选择存储器装置有关的方法、系统及装置。自选择存储器单元可存储由所述自选择存储器单元的不同阈值电压表示的一或多个数据位。可改变编程脉冲以通过修改于其期间跨所述自选择存储器单元维持固定电压电平或固定电流电平的一或多个持续时间而建立所述不同阈值电压。所述自选择存储器单元可包含硫属化物合金。所述硫属化物合金中的元素的非均匀分布可确定所述自选择存储器单元的特定阈值电压。所述编程脉冲的形状可经配置以基于所述自选择存储器单元的所要逻辑状态修改所述硫属化物合金中的所述元素的分布。
多层选择存储器装置

[发明专利]存取自选择存储器装置的技术-CN201880079650.6有效
发明人： I·托尔托雷利;A·雷达埃利;A·皮罗瓦诺;F·佩里兹;M·阿莱格拉;P·凡蒂尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请涉及存取自选择存储器装置的技术。描述与存取自选择存储器装置的技术有关的方法、系统及装置。自选择存储器单元可存储通过所述自选择存储器单元的不同阈值电压表示的一或多个数据位。可改变编程脉冲以通过修改于其期间跨所述自选择存储器单元维持固定电压或电流电平的一或多个持续时间而建立所述不同阈值电压。所述自选择存储器单元可包含硫属化物合金。所述硫属化物合金中的元素的非均匀分布可确定所述自选择存储器单元的特定阈值电压。所述编程脉冲的形状可经配置以基于所述自选择存储器单元的所要逻辑状态修改所述硫属化物合金中的所述元素的分布。
存取选择存储器装置技术

[发明专利]自我选择存储器中的编程加强-CN201880027808.5有效
发明人： A·雷达埃利;A·皮罗瓦诺;I·托尔托雷利;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请案涉及自我选择存储器中的编程加强。本发明描述用于存储器单元中的编程加强的方法、系统及装置。经不对称塑形的存储器单元可加强特定电极处或附近的离子拥挤，此可经利用以用于精确地读取所述存储器单元的经存储值。编程所述存储器单元可使所述存储器单元内的元件分离，从而引起离子迁移朝向特定电极。所述迁移可取决于所述存储器单元的极性，且可在所述存储器单元内产生高电阻率区及低电阻率区。可通过跨所述存储器单元施加电压来感测所述存储器单元。所得电流可接着遇到所述高电阻率区及低电阻率区，且所述区的定向可表示所述存储器单元的第一逻辑状态或第二逻辑状态。
自我选择存储器中的编程加强

[发明专利]用于操作基于隔离的存储器的方法和设备-CN201910743439.6有效
发明人： M·博尼亚蒂;A·皮罗瓦诺;I·托尔托雷利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于操作基于隔离的存储器的方法和设备。描述用于操作一或多个存储器单元的方法、系统和装置。可通过向存储器单元施加电压以造成包含在所述存储器单元中的存储元件内的离子移动来编程所述存储元件的电阻，其中所述存储元件保持处于单相位且基于所述存储元件内的离子的位置而具有不同电阻率。在一些状况下，多个此种存储元件可包含在存储器单元中，其中所述存储元件内的离子不同地响应于电脉冲，且可通过向所述存储器单元施加一系列电压或电流来将非二进制逻辑值存储在所述存储器单元中。
用于操作基于隔离存储器方法设备

[发明专利]具有不对称电极界面的存储器单元-CN201980011809.5有效
发明人： A·皮罗瓦诺;K·亚斯特列别涅茨基;A·M·孔蒂;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：本申请的主题涉及具有不对称电极界面的存储器单元。描述了用于具有不对称电极界面的存储器单元的方法、系统和装置。具有不对称电极界面的存储器单元可以减轻邻近字线中的短路，这可以用于准确读取所述存储器单元的所存储值。存储器装置可以包含具有与顶部电极接触的顶表面区域和与底部电极接触的底表面区域的自选择性存储器组件，其中与所述顶部电极接触的所述顶表面区域的大小不同于与所述底部电极接触的所述底表面区域的大小。
具有不对称电极界面存储器单元

[发明专利]三维存储器阵列-CN201880055601.9有效
发明人： A·皮罗瓦诺;A·雷达埃利;F·佩里兹;I·托尔托雷利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：在实例中，一种存储器阵列可包含多个第一电介质材料及多个堆叠，其中每一相应第一电介质材料及每一相应堆叠交替，且其中每一相应堆叠包括第一导电材料及存储材料。第二导电材料可穿过所述多个第一电介质材料及所述多个堆叠。每一相应堆叠可进一步包含所述第一导电材料与所述第二导电材料之间的第二电介质材料。
三维存储器阵列

[发明专利]包含存储器单元的设备及其操作方法-CN201780066749.8有效
发明人： A·皮罗瓦诺;I·托尔托雷利;A·雷达埃利;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种包含存储器元件及选择器装置的存储器单元。可使用具有第一极性的编程脉冲编程所述存储器单元及使用具有第二极性的读取脉冲读取所述存储器单元。可使用具有第一部分及第二部分的编程脉冲编程所述存储器单元。所述第一部分及所述第二部分可具有不同量值及极性。所述存储器单元可展现减小电压漂移及/或阈值电压分布。本发明描述一种充当存储器元件及选择器装置两者的存储器单元。可使用具有第一部分及第二部分的编程脉冲编程所述存储器单元。所述第一部分及所述第二部分可具有不同量值及极性。
包含存储器单元设备及其操作方法

[发明专利]读取多层级存储器单元-CN202180049074.2在审
发明人： M·罗布斯泰利;F·佩里兹;I·托尔托雷利;A·皮罗瓦诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：描述用于读取多层级存储器单元的方法、系统及装置。所述存储器单元可经配置以存储三个或更多个逻辑状态。所述存储器装置可将第一读取电压施加到存储器单元以确定通过所述存储器单元存储的逻辑状态。所述存储器装置可基于施加所述第一读取电压而确定是否发生第一突返事件且基于确定未能发生所述第一突返事件而施加第二读取电压。所述存储器装置可确定是否发生第二突返事件且基于是否发生所述第一突返事件或所述第二突返事件而确定所述逻辑状态。
读取多层存储器单元

[发明专利]三维存储器阵列-CN201880018878.4有效
发明人： F·佩里兹;I·托尔托雷利;A·皮罗瓦诺;A·雷达埃利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明包含三维存储器阵列及其处理方法。若干实施例包含：多个导线，其通过绝缘材料彼此分离；多个导电延伸部，其经布置以基本上垂直于所述多个导线延伸；及存储元件材料，其围绕所述多个导电延伸部中的每一相应者形成，且具有与所述多个导线中的每一相应者的两个不同接点，其中与所述多个导线中的每一相应者的所述两个不同接点位于所述相应导线的两个不同端处。
三维存储器阵列

[发明专利]存储器装置及用于形成存储组件的方法-CN201910103073.6有效
发明人： A·雷达埃利;A·M·孔蒂;A·皮罗瓦诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器装置及用于形成存储组件的方法。明确地说，描述用于楔形单元轮廓及制造的方法、系统及装置。存储器存储组件可含有多种硫族化物材料，且可包含楔形轮廓。举例来说，第一硫族化物材料可与第二硫族化物材料耦合。所述硫族化物材料中的每一者可进一步与导电材料(例如，电极)耦合。经由蚀刻工艺，所述硫族化物材料可成楔形(例如，阶梯式楔形)。脉冲可施加到所述楔形硫族化物材料，从而导致包含所述硫族化物材料的混合物的存储器存储组件。
存储器装置用于形成存储组件方法

[发明专利]存储器单元阵列及形成存储器单元阵列的方法-CN201810384810.X有效
发明人： A·M·孔蒂;A·皮罗瓦诺;A·雷达埃利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明涉及存储器单元阵列及形成存储器单元阵列的方法。一种形成存储器单元阵列的方法，其中所述阵列包括：存储器单元的竖向内层，其包括间隔开的内层下第一导电线及其正上方的内层可编程材料；存储器单元的竖向外层，其包括间隔开的外层下第一导电线及其正上方的外层可编程材料；及间隔开的上第二导电线，其由所述外层存储器单元及所述内层存储器单元电共享，所述方法包括沉积用于全部共享的间隔开的上第二导电线的导体材料。用于全部所述共享的间隔开的上第二导电线的全部所述导体材料使用仅单个遮蔽步骤图案化。揭示独立于制造方法的其它方法实施例及存储器单元阵列。
存储器单元阵列形成方法

[发明专利]锥形存储器单元轮廓-CN202210926405.2在审
发明人： A·皮罗瓦诺;K·亚斯特列别涅茨基;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请涉及锥形存储器单元轮廓。描述了用于锥形存储器单元轮廓的方法、系统和装置。锥形轮廓存储器单元可以缓解相邻字线中的短路，这可以用于准确地读取存储器单元的存储值。存储器装置可以包含自选存储器部件，所述自选存储器部件具有底部表面和与底部表面相对的顶部表面。在一些情况下，自选存储器部件可以从底部表面到顶部表面渐缩。在其它示例中，自选存储器部件可以从顶部表面到底部表面渐缩。自选存储器部件的顶部表面可以耦合到顶部电极，并且自选存储器部件的底部表面可以耦合到底部电极。
锥形存储器单元轮廓

[发明专利]具水平存取线的自选择存储器阵列-CN202210904958.8在审
发明人： L·弗拉汀;F·佩里兹;A·皮罗瓦诺;R·L·迈尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请案涉及具水平存取线的自选择存储器阵列。本发明描述用于具水平存取线的自选择存储器的方法、系统及装置。存储器阵列可包含在不同方向上延伸的第一存取线及第二存取线。举例来说，第一存取线可在第一方向上延伸，且第二存取线可在第二方向上延伸。在每一相交处，可存在多个存储器单元，且每一多个存储器单元可与自选择材料接触。此外，电介质材料可在至少一个方向上定位于第一多个存储器单元与第二多个存储器单元之间。每一单元群组(例如第一多个存储器单元及第二多个存储器单元)可分别与所述第一存取线及所述第二存取线中的一者接触。
水平存取选择存储器阵列

[发明专利]包含基本上用介电材料封装的存储材料的半导体装置，以及相关的系统和方法-CN201810994834.7有效
发明人： P·凡蒂尼;A·皮罗瓦诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请案涉及包含基本上用介电材料封装的存储材料的半导体结构，以及相关的系统和方法。一种半导体结构包含堆叠结构。所述堆叠结构中的每一者包括：第一导电材料；硫属化物材料，其在所述第一导电材料上方；第二导电材料，其在所述硫属化物材料上方；以及第一介电材料，其介于所述硫属化物材料与所述第一导电材料之间且介于所述硫属化物材料与所述第二导电材料之间。所述半导体结构进一步包括在所述硫属化物材料的至少侧壁上的第二介电材料。所述硫属化物材料可基本上由一或多个介电材料封装。本发明揭示相关的半导体结构及相关方法。
包含基本上用介电材料封装存储半导体装置以及相关系统方法

[发明专利]混合式交叉点存储器装置及其操作方法-CN201810411660.7有效
发明人： A·雷达埃利;I·托尔托雷利;A·皮罗瓦诺;F·佩里兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请案涉及一种混合式交叉点存储器装置及一种操作混合式交叉点存储器装置的方法。描述用于多层面存储器阵列的方法、系统及装置。一种多层面存储器装置可包含具有具自选存储器元件的单元的存储器阵列及具有具存储器存储元件及选择器装置的单元的另一阵列。所述装置可经编程以使用一或多个层面的单元来存储逻辑状态的多个组合。第一层面及第二层面两者均可耦合到至少两个存取线且可具有耦合所述两个层面的为共同存取线的一个存取线。另外，两个层面可上覆于控制电路上，此促进读取及写入操作。所述控制电路可经配置以经由所述存取线将第一状态或第二状态写入到所述存储器层面中的一者或两者。
混合式交叉点存储器装置及其操作方法

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