专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种减小接触寄生电阻对器件测试影响的测试方法-CN202211336879.8在审
  • 刘倩倩;高玉珠 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2022-10-28 - 2023-01-17 - G01R27/08
  • 本发明公开了一种减小接触寄生电阻对器件测试影响的测试方法,该测试方法包括:S101:提供一半导体晶圆,在半导体晶圆上选定一待测晶粒;S102:采用四端法测试待测晶粒的电阻,获取第一电阻值;S103:采用两端法测试待测晶粒的电阻,获取第二电阻值;S104:调整两端法扎入待测晶粒的扎针深度为第一扎针深度,使第二电阻值等于第一电阻值。进而,本发明通过调整两端法的扎针深度调整两端法测电阻的电阻值,使得两端法测试所得的电阻值等于四端法测试所得的电阻值,进而消除接触寄生电阻对于两端法测电阻的影响,后续以两端法测电阻等于四端法测电阻时的扎针深度对半导体晶圆或者器件进行可靠性或者良率的测试,提高测试的准确性。
  • 一种减小接触寄生电阻器件测试影响方法
  • [发明专利]一种探针卡结构及WAT测试方法-CN202211236189.5在审
  • 刘倩倩;宋永梁;高玉珠;季鸣 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2022-10-10 - 2023-01-13 - G01R1/067
  • 本发明提供一种探针卡结构及WAT测试方法,针环设置在PCB板的下表面,与PCB板的下表面紧密贴合;探针组包括N个探针及M个电容,相邻两个探针通过一个所述电容进行连接;各探针均包括接口装置、第一线缆、第二线缆及针头,接口装置与所述第一线缆电连接,且均设置在PCB板的上表面;第二线缆设置在PCB板的下表面,第一端基于过孔与第一线缆电连接;针头通过安装装置设置在针环上,并与第二线缆的第二端电连接;通过在探针组中相邻的探针之间设置电容,使探针卡结构能够实现对晶圆内部电容值通常小于皮法级别的电容的精准测量。结构简单,操作简便,具有广泛的适用性。
  • 一种探针结构wat测试方法
  • [发明专利]一种晶圆测量结构及电容测量方法-CN202211236179.1在审
  • 刘倩倩;宋永梁;高玉珠;季鸣 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2022-10-10 - 2023-01-10 - G01R27/26
  • 本发明提供一种晶圆测量结构及电容测量方法至少包括:设置在晶圆上表面的N个间隔分布的焊盘测量单元,各焊盘测量单元测量对应的1个待测电容,各焊盘测量单元均包括3个沿横向或沿纵向依次相邻的焊盘,待测电容连接于第一焊盘与第三焊盘之间;当焊盘为等间距设置时,相邻焊盘之间的寄生电容不能忽略,在相邻两个焊盘之间均设置1个电容单元;当焊盘不是等间距设置时,间距最大的两个焊盘之间的寄生电容可以忽略,在间距最小的两个焊盘之间设置1个电容单元通过测试设备与焊盘测量单元连接,对待测电容进行测量。通过在相邻两个焊盘之间设置电容单元,实现对晶圆内部通常小于皮法级别的待测电容的精确测量,结构简单,操作简便,适用范围广。
  • 一种测量结构电容测量方法
  • [发明专利]晶圆测试用的定位标记结构、曝光区域及晶圆-CN202210896580.1在审
  • 高玉珠;宋永梁 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2022-07-28 - 2022-11-08 - G01R31/26
  • 本发明提供了一种晶圆测试用的定位标记结构、曝光区域及晶圆。其中,晶圆测试用的定位标记结构位于晶圆上的曝光区域的测试结构中,包括多个定位标记单元,每个定位标记单元设置于两个衬垫之间,包括串联的熔断器件、二级管和电阻,在裁切和封装曝光区域前,向每个定位标记单元加载预设的电压以为其标记状态,定位标记单元的状态组合构成定位标记结构的标记信息,以表征测试结构在晶圆上的位置。使用该定位标记结构标记和识别过程简便,在可靠性测试时,通过获取标记信息可以迅速地、方便地知晓封装样品的位置识别信息,准确率高,可追溯性好,无需手工标记,避免人为失误,避免因磨损或擦拭丢失编号信息,提高测试的准确性和效率。
  • 测试定位标记结构曝光区域
  • [发明专利]测试器件结构单元、并行测试器件结构及晶圆-CN202210768814.4在审
  • 高玉珠;宋永梁 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2022-06-30 - 2022-10-11 - G01R31/26
  • 本发明提供了一种测试器件结构单元、并行测试器件结构及晶圆。使用传统MOS器件测试结构进行晶圆电学性能测试时,例如HCI或NBTI测试,MOS器件的各级需要与4个SMU,测试效率低。测试过程中使用本发明提供的测试器件结构单元,待测MOS器件的栅极和漏极分别连接一个SMU,源极和基极接地,通过将测试过程中连接MOS器件的SMU数量减少至两个,在不增加测试成本的前提下,不仅能够有效防止多器件同时测试时的相互干扰,保证测量的准确性,还能将多余的SMU连接其他待测MOS器件,实现多个MOS器件的并行测试,提高测试效率。
  • 测试器件结构单元并行

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