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[发明专利]层叠薄膜以及半导体装置的制造方法-CN202111355278.7在审
发明人：木村雄大;吉田直子;高本尚英;杉村敏正;中浦宏 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及层叠薄膜以及半导体装置的制造方法。本发明的层叠薄膜层叠有间隔用粘接薄膜和切割带，所述间隔用粘接薄膜层叠有间隔层和粘接剂层，前述间隔层由树脂薄膜构成，该间隔层在温度260℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。
层叠薄膜以及半导体装置制造方法

[发明专利]带间隔物的切割粘接薄膜-CN202111339140.8在审
发明人：吉田直子;木村雄大;高本尚英;杉村敏正;中浦宏 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明提供一种带间隔物的切割粘接薄膜，其具备：层叠片，其具有用于粘接于被粘物的粘接层和重叠于该粘接层的间隔层；以及切割带，其与前述层叠片的前述粘接层重叠且用于保持前述层叠片，前述层叠片在室温下的弯曲刚度为0.05N·mm2以上。
间隔切割薄膜

[发明专利]带间隔物的切割粘接薄膜-CN202111331477.4在审
发明人：吉田直子;木村雄大;高本尚英;杉村敏正;中浦宏 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种带间隔物的切割粘接薄膜，其具备：切割带、在该切割带的一面重叠的粘接层、以及在该粘接层上重叠的间隔层，在70℃以上且150℃以下的范围的加热设定温度下的前述间隔层的弯曲刚度为0.1N·mm2以上。
间隔切割薄膜

[发明专利]粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法和半导体装置-CN201711277104.7有效
发明人：宍户雄一郎;高本尚英;大西谦司;木村雄大;福井章洋 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明涉及粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法和半导体装置。提供一种粘接薄膜及其用途，所述粘接薄膜能够成品率良好地制造消灭了空隙且抑制了粘接薄膜的过度突出的高品质的半导体装置。一种粘接薄膜，其是用于将固定于被粘物上的第1半导体元件包埋、且将与该第1半导体元件不同的第2半导体元件固定于被粘物的粘接薄膜，其含有热塑性树脂、热固性树脂和无机填充剂，无机填充剂的含量在总固态成分中为30重量％以上且50重量％以下，热塑性树脂的含量在总固态成分中为10重量％以上且25重量％以下，热固化前的在120℃下的粘度为1300Pa·s以上且4500Pa·s以下。
薄膜切割芯片接合半导体装置制造方法

[发明专利]粘接片-CN202110649433.X在审
发明人：大西谦司;木村雄大;宍户雄一郎;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明为粘接片，其具备具有有机成分的树脂组合物，前述有机成分具有热固化性树脂，前述热固化性树脂包含具有环氧基的丙烯酸类树脂，该有机成分包含前述丙烯酸类树脂90～100质量％。
粘接片

[发明专利]粘接片-CN202110641177.X在审
发明人：大西谦司;木村雄大;宍户雄一郎;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明为粘接片，其具备树脂组合物，前述树脂组合物具有热固化性树脂，热固化后的前述树脂组合物的厚度20μm的片的平行光线透过率在波长350nm的光下为80％以上。
粘接片

[发明专利]芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法-CN201710392803.X有效
发明人：福井章洋;大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法，所述芯片接合薄膜能对不进行热固化的芯片接合薄膜良好地进行引线键合。一种芯片接合薄膜，其含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。
芯片接合薄膜切割半导体装置制造方法

[发明专利]切割带一体型粘接片-CN201710916050.8有效
发明人：福井章洋;大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：提供在隐形切割时能够牢固地固定半导体晶圆、且在拾取时能容易地剥离半导体芯片的切割片一体型粘接薄膜。一种切割片一体型粘接薄膜，其特征在于，具备：具有基材和粘合剂层的切割片、以及设置于粘合剂层上的粘接剂层，粘合剂层包含下述丙烯酸类聚合物A和发泡剂，粘接剂层包含热塑性树脂，热塑性树脂的含量相对于粘接剂层的树脂成分整体在40重量％～95重量％的范围内。丙烯酸类聚合物A：由以50重量％以下的范围内含有CH2＝CHCOOR1(式中，R1是碳数为6～10的烷基)所示的丙烯酸酯的单体组合物得到的丙烯酸类聚合物。
切割体型粘接片

[发明专利]半导体背面用薄膜及其用途-CN201610382308.6有效
发明人： 高本尚英;木村龙一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供具有再加工性的半导体背面用薄膜及其用途。一种半导体背面用薄膜，其在热固化前在70℃下对于晶圆的粘接力为7N/10mm以下，25℃下的断裂伸长率为700％以下。半导体背面用薄膜的基于乙醇的溶胀度优选为1重量％以上。半导体背面用薄膜优选包含丙烯酸类树脂。
半导体背面薄膜及其用途

[发明专利]芯片接合片及切割芯片接合薄膜-CN202011494006.0在审
发明人：宍户雄一郎;高本尚英;中浦宏;杉村敏正 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：提供芯片接合片及切割芯片接合薄膜。提供相对于聚酰亚胺树脂面的剥离力为0.1N/50mm以上的芯片接合片。另外，提供一种切割芯片接合薄膜，其具备：所述芯片接合片、和贴合于该芯片接合片的切割带。
芯片接合切割薄膜

[发明专利]粘接片、切割带一体型粘接片、薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201610363443.6有效
发明人：木村雄大;三隅贞仁;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及粘接片、切割带一体型粘接片、薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的目的在于提供能够有效地使芯片处产生的热释放至引线框的粘接片。本发明的目的还在于提供包含该粘接片的切割带一体型粘接片、薄膜等。本发明涉及粘接片。使用本发明的粘接片形成具有引线框、配置在引线框上的粘接层和配置在粘接层上的硅芯片的装置时，粘接层和引线框的界面热阻为0.15K/W以下，总热阻为0.55K/W以下。总热阻为界面热阻和粘接层的内部热阻的合计。
粘接片切割体型薄膜半导体装置制造方法

[发明专利]粘接片、切割带一体型粘接片及半导体装置的制造方法-CN201611063420.X有效
发明人：木村雄大;菅生悠树;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：本发明涉及粘接片、切割带一体型粘接片及半导体装置的制造方法。本发明提供具有高的导热性、并且粘接后的剥离得到抑制的粘接片。一种粘接片，其含有银被覆铜系填料和银填料，银被覆铜系填料为薄片状，并且平均长径为0.7μm以上，银填料的一次粒径为500nm以下。
粘接片切割体型半导体装置制造方法

[发明专利]层叠体和联合体以及半导体装置的制造方法-CN201610959486.0有效
发明人：木村龙一;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本发明涉及层叠体和联合体以及半导体装置的制造方法，本发明提供能够减少切割时在芯片侧面产生的龟裂的层叠体等。本发明涉及包括切割片和半导体背面保护薄膜的层叠体。切割片包括基材层和配置在基材层上的粘合剂层。半导体背面保护薄膜配置在粘合剂层上。固化后的半导体背面保护薄膜的拉伸储能模量在23℃～80℃全部范围下为1GPa以上。
层叠联合体以及半导体装置制造方法

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN202010299872.8在审
发明人：杉村敏正;福井章洋;大西谦司;木村雄大;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：提供在冷扩展时及常温扩展时、以及之后在粘接剂层与粘合剂层之间不易发生浮起的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及粘接剂层，以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层，前述粘合剂层中，前述粘接剂层密合侧的表面的水接触角为110°以下、算术平均表面粗糙度Ra为1.0μm以下。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]带粘接薄膜的切割带-CN202010174273.3在审
发明人：木村雄大;杉村敏正;大西谦司;宍户雄一郎;福井章洋;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C09J133/08 文献下载
摘要：提供带粘接薄膜的切割带，其适合于使紫外线固化性的切割带粘合剂层即使经过紫外线照射也确保环框保持力。本发明的带粘接薄膜的切割带(X)具有包含切割带(10)及粘接薄膜(20)的层叠结构。切割带(10)具有包含基材(11)和紫外线固化性的粘合剂层(12)的层叠结构。粘接薄膜(20)可剥离地密合于切割带(10)的粘合剂层(12)。切割带(10)在经过其粘合剂层(12)侧对SUS平面的贴合和之后对粘合剂层(12)的200mJ/cm2的紫外线照射之后在23℃、剥离角度180°及剥离速度300mm/分钟的条件的剥离试验中，对SUS平面显示出0.03～0.2N/20mm的剥离粘合力。
带粘接薄膜切割

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