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- [发明专利]非易失性存储装置-CN201910705395.8有效
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中山昌彦;永濑俊彦;船山知己;古桥弘亘;须之内一正
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铠侠股份有限公司
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2019-08-01
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2023-08-29
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G11C11/16
- 一种非易失性存储装置。实施方式提供一种能够进行适当的存储单元控制的非易失性存储装置。实施方式涉及的非易失性存储装置具备：第1布线(10)、第2布线(20)以及存储单元(30)，所述存储单元(30)连接在第1布线与第2布线之间，并具有电阻变化存储元件(31)、第1选择元件(32)以及第2选择元件(33)的串联连接构造，第1选择元件以及第2选择元件分别具有在两端子间施加了第1阈值电压Vth1以及第2阈值电压Vth2时从截止状态转变为导通状态而两端子间的电压下降到第1维持电压Vhold1以及第2维持电压Vhold2的特性，将第1选择元件以及第2选择元件的截止电流分为设为Ioff1以及Ioff2，则满足以下关系：Vth1＞Vth2＞Vhold1≥Vhold2且Ioff1＜Ioff2。
- 非易失性存储装置
- [发明专利]存储器件-CN202210042789.1在审
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中山昌彦;须之内一正
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铠侠股份有限公司
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2022-01-14
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2022-09-20
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G11C16/08
- 实施例提供了一种能够执行高效读取操作的存储器件。根据一个实施例，一种存储器件包括存储器基元阵列，其中分别包括可变电阻存储器元件的多个存储器基元被划分为多个存储器块，所述多个存储器基元包括位于同一存储器块中的第一存储器基元和第二存储器基元；以及检测电路。在第一存储器基元为读取目标的读取操作期间，检测电路将第一电阻值与第二电阻值进行比较，并且基于第一电阻值是否高于或低于第二电阻值来确定存储在第一存储器基元中的数据的值，第一电阻值是第一存储器基元中的可变电阻存储器元件的电阻值，第二电阻值是第二存储器基元中的可变电阻存储器元件的电阻值。
- 存储器件
- [发明专利]存储器件-CN202210044443.5在审
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中山昌彦;须之内一正;小濑木淳一
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铠侠股份有限公司
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2022-01-14
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2022-09-20
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G11C5/06
- 实施例提供了一种能够减少漏电流的存储器件。根据一个实施例，一种存储器件包括沿第一方向延伸的第一布线和沿第二方向延伸的第二布线。存储器基元连接在第一布线和第二布线之间并且包括可变电阻存储器元件。第一驱动电路被设置用于向第一布线提供电压，第二驱动电路被设置用于向第二布线提供电压。第一驱动电路将第一电压施加到选定第一布线，第二驱动电路将第二电压施加到选定第二布线。第一电压与第二电压之和的一半和第二电压之间的电压被施加到未选定第一布线，第一电压与第二电压之和的一半和第一电压之间电压被施加到未选定第二布线。
- 存储器件
- [发明专利]非易失性存储装置-CN201910705217.5在审
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中山昌彦;须之内一正;须藤岳;甲斐正
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东芝存储器株式会社
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2019-08-01
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2020-09-29
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G11C5/06
- 一种非易失性存储装置。实施方式提供一种能够将相邻的存储单元间的距离保持得较宽的非易失性存储装置。实施方式涉及的非易失性存储装置具备：多条第1布线(10)，其分别在第1方向上延伸；多条第2布线(20)，其分别在第2方向上延伸，与多条第1布线交叉；以及多个存储单元(30)，其连接在多条第1布线与多条第2布线之间，分别包括电阻变化存储元件以及选择器，从与第1方向以及第2方向垂直的第3方向观察，与任意的第1布线连接的存储单元与任意的第1布线对应地呈直线状排列，与任意的第2布线连接的存储单元相对于任意的第2布线而交替地向相反方向偏移来排列。
- 非易失性存储装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN02119813.6有效
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浅尾吉昭;须之内一正;中岛健太郎
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株式会社东芝
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2002-03-29
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2002-11-13
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H01L27/00
- 一种半导体存储装置,包括存储单元部和外围电路部。上述存储单元部具有在第1方向延伸的第1布线;配置在上述第1布线上方并在第2方向延伸的第2布线;在上述第1和第2布线间配置的第3布线;以及配置上述第1和第2布线的交点上并连接上述第2和第3布线的第1磁电阻效应元件。上述外围电路部具有第4布线;配置在上述第4布线上方的第5布线;以及配置在上述第4和第5布线间,连接上述第4和第5布线,并作为电阻元件、熔丝元件或接点使用的第2磁电阻效应元件。
- 半导体存储装置
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