专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种硅基中子光栅镀钆的制备工艺-CN202310407950.5在审
  • 胡小刚;高志文;邱龙时;陈俐蔓 - 西安稀有金属材料研究院有限公司
  • 2023-04-17 - 2023-05-23 - C23C14/16
  • 本发明公开了一种硅基中子光栅镀钆的制备工艺,该工艺包括:一、将经刻蚀后形成光栅槽的待镀硅基基片清洗后置于磁控溅射设备真空镀膜机中,调整角度并抽至高真空;二、对待镀硅基基片进行高偏压辉光溅射清洗;三、开启钆靶的预溅射;四、开启钆靶的溅射在待镀硅基基片上沉积形成钆膜,得到镀钆硅基中子光栅。本发明采用磁控溅射在具有光栅槽的待镀硅基基片表面进行镀钆,利用磁控溅射低温的特性,避免了对包含不耐高温物质的基体材料的不良影响,通过对磁控溅射过程及工艺参数的控制,有效调节沉积速度,实现了对钆膜厚度的精准控制,获得高纯度的Gd膜层,保证了Gd膜层的致密性和光洁度,有利于实现中子光栅高效吸收中子的性能要求。
  • 一种中子光栅制备工艺
  • [发明专利]一种在镁合金表面制备致密电泳涂层的方法-CN201911084743.0有效
  • 张萌;闫大帅;王艳力;陈俐蔓;王迪;刘一博 - 哈尔滨工程大学
  • 2019-11-08 - 2021-10-26 - C25D3/44
  • 本发明公开一种在镁合金表面制备致密电泳涂层的方法,属于金属材料表面处理领域。具体包括以下步骤:对镁合金进行前处理;对镁合金表面离子液体电镀铝;制备电泳涂料;涂装电泳涂料。在涂装电泳涂层前,利用离子液体电镀的方式在镁合金表面沉积一层铝镀层,在制备的铝镀层上进行电泳涂装,该铝镀层可有效解决镁合金表面电位不均匀以及镁合金在电泳液中容易腐蚀的问题,使得制备的电泳涂层更致密。本发明制作过程简单、高效,对整个实验过程要求不高,且制备出的镁合金表面电泳涂层均匀、致密、平整,可有效的保护镁合金免受腐蚀的危害。进行中性盐雾试验的结果表明,在中性盐雾环境中500h后镁合金表面并没有出现腐蚀,电泳涂层完整无破坏。
  • 一种镁合金表面制备致密电泳涂层方法

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