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[发明专利]一种低压压敏陶瓷片及其制备方法-CN201710000618.1有效
发明人：卢振亚;颜健;钟财富;陈志武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-01-03 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压压敏陶瓷片，由电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层层叠构成，所述电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层之间设有金属隔离层；低压压敏陶瓷片的上、下底面分别设有上、下电极。本发明还公开了上述低压压敏陶瓷片的制备方法。本发明的低压压敏陶瓷片，具有低压敏电压、高非线性特性，又具有优良脉冲电流耐受能力。
一种压压陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铁掺杂二氧化钛粉体的制备方法-CN201510893772.7有效
发明人：陈志武;江鸿;卢振亚;钟财富 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： B01J23/745 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁掺杂二氧化钛粉体的制备方法，包括以下步骤：(1)称取Fe₂O₃和TiO₂放入研钵，再加入碳水化合物，研磨8～10分钟后得到混合物；(2)将按步骤(1)中所得的混合物加热至混合物开始燃烧，燃烧完全后得到粉体；(3)将步骤(2)所得粉体用稀硝酸进行洗涤，去除未反应的Fe₂O₃，再用去离子水洗涤至中性，放入烘箱烘干，得到产物铁掺杂二氧化钛粉体.本发明的制备温度为250～300℃,步骤简单,得到的铁掺杂二氧化钛粉体，结晶良好，晶相单一。
一种掺杂氧化钛粉体制备方法

[发明专利]一种铁酸铋BiFeO3纳米片的制备方法-CN201510534386.9有效
发明人：陈志武;金无量;卢振亚;钟财富 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明公开了铁酸铋BiFeO3纳米片的制备方法，包括以下步骤按摩尔比11称量分析纯的Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O，并将其溶解于乙二醇甲醚溶液中，配成均匀的溶液A；在搅拌的同时，将氨水溶液滴加到溶液A中，使之完全沉淀，并搅拌均匀，制得反应前驱物；将制备的反应前驱物洗涤至中性，干燥后得到干粉；将干粉、NaOH溶液放入反应釜中，密封反应釜；将反应釜置于120℃～150℃的反应炉内，反应后取出反应釜中的产物，经洗涤，干燥得到铁酸铋BiFeO3纳米片。本发明的制备温度低，节省能源，且铁酸铋BiFeO3结晶完好、工艺控制及合成所需仪器设备简单。
一种铁酸铋 bifeo sub 纳米制备方法

[发明专利]一种掺杂改性高温锰酸锂正极材料及其制备方法-CN201210230196.4无效
发明人： 钟财富 -专利权人：河北善鑫泰瑞电池科技有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备高温型锰酸锂正极材料的方法。所述正极材料的化学式为LiwMn2-x-yMxReyO4-zFz,其中1.03≤w≤1.1；0.05≤x≤0.15；0.01≤y≤0.04；0.02≤z≤0.1；M为Al,Co,Ni,Cr中的一种或两种，Re为Ce，Nb，Ta中的一种或两种。所述的制备方法是：首先将掺杂离子的化合物原料以及锂源锰源化合物按照配比球磨混合；然后将其分两段煅烧，先在450~650℃下保温2~10h，再加热到750~950℃于空气或者氧气气氛下保温10~30h，冷却到室温后将其破碎、筛分即得到改性锰酸锂正极材料。本发明提供的方法，不仅工艺简单成熟，适合大规模应用，而且所采用的低价金属离子和稀土离子以及阴离子复合掺杂的方法，极大的提高了锂电池的循环寿命，尤其是在高温下的循环和存储性能。
一种掺杂改性高温锰酸锂正极材料及其制备方法

[发明专利]NP0型陶瓷电容器介质材料及其制备方法-CN201110069298.8有效
发明人：王晓慧;孙常库;钟财富;李龙土;桂治轮 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种NP0型陶瓷电容器介质材料。该材料包括BRT主相、ZnB助烧剂、第二主族化合物和可加可不加的组分BiTi第二相；其中，BiTi第二相占BRT主相重量的0-9％，ZnB助烧剂占BRT主相重量的2-12％，第二主族化合物占BRT主相重量的0-18％，第二主族化合物的用量不为0。该材料室温介电常数可达45～70，室温介电损耗小于0.05％，在-55～150℃温度区间内容温变化率不超过±30ppm/℃，室温电阻率＞1012Ω·cm，适用于工业生产，重复率高，是一项高性能低成本的环保型介电陶瓷材料，在电子通讯、国防军工、航空航天以及勘探领域等应用具有广泛的应用。
np0 陶瓷电容器介质材料及其制备方法

[发明专利]X9R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法-CN201110068917.1有效
发明人：王晓慧;姚国峰;钟财富;李龙土;桂治轮 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种X9R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法。该材料的主成分为钛酸钡-钛酸铋钠复合物或钛酸钡-钛酸铋钾复合物，其摩尔含量为95％～98％；由Nb2O5以及CaZrO3和SrZrO3中的至少一种组成的二次添加剂，其摩尔含量为2～5％。利用本发明的工艺，可以获得性能优良的介电陶瓷材料，满足EIA X9R标准，且工艺简单，可以在中温下烧结。该材料的室温介电常数为1500～1700，室温损耗为2％左右，室温电阻率≥1013Ω·cm，击穿电压≥5kV/mm，具有良好的产业化前景。
x9r 陶瓷电容器介质材料及其制备方法