[发明专利]一种低压压敏陶瓷片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710000618.1 | 申请日： | 2017-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN106673641B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 卢振亚;颜健;钟财富;陈志武 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622;C04B41/88;B32B18/00;B32B37/10;B32B38/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低压压敏陶瓷片，由电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层层叠构成，所述电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层之间设有金属隔离层；低压压敏陶瓷片的上、下底面分别设有上、下电极。本发明还公开了上述低压压敏陶瓷片的制备方法。本发明的低压压敏陶瓷片，具有低压敏电压、高非线性特性，又具有优良脉冲电流耐受能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压压 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低压压敏陶瓷片，其特征在于，由电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层层叠构成，所述电压非线性陶瓷层的材料组成包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Ni2O3和Al(NO3)3·9H2O，其中，Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Ni2O3的加入量均为ZnO的0.3～0.6mol％；Al(NO3)3·9H2O的加入量为ZnO的0.04～0.06mol％；所述低电阻率导电陶瓷层的材料组成包括ZnO、Co2O3、MnO2、Sb2O3、Ni2O3、Al(NO3)3·9H2O和H3BO3，其中，Co2O3、MnO2、Sb2O3、Ni2O3的加入量均为ZnO的0.3～0.6mol％；Al(NO3)3·9H2O加入量为ZnO的0.1～0.2mol％；H3BO3加入量为ZnO的0.04～0.06mol％；所述电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层之间设有金属隔离层，所述金属隔离层由银钯电极浆料制成；低压压敏陶瓷片的上、下底面分别设有上、下电极。
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