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[发明专利]金属感膜的制造方法和金属感膜-CN202110280881.7在审
发明人：久保山大贵;加藤彰;村井盾哉;赤松谦祐 -专利权人：丰田自动车株式会社;学校法人甲南学园
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明涉及金属感膜的制造方法和金属感膜。本发明涉及金属感膜的制造方法，其包括：在由绝缘材料制成的树脂基材的表面形成具有能与金属离子进行离子交换的官能团的层的第1步骤，将表面形成有上述层的树脂基材用金属离子溶液进行处理，借由离子交换将金属离子导入上述层中的第2步骤，和将上述树脂基材用还原剂进行处理，使金属粒子在表面析出的第3步骤。本发明涉及金属感膜，其中，在表面析出的金属粒子间具有间隙，金属粒子的平均粒径为5nm～200nm。
金属制造方法

[发明专利]银纳米粒子的制造方法-CN202010362377.7在审
发明人：冈本和昭;村井盾哉;赤松谦祐 -专利权人：丰田自动车株式会社;学校法人甲南学园
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：一种银纳米粒子的制造方法，包括：在粒子保护剂和电位比银高的元素的存在下，利用银离子的还原剂将反应液中40mM以上的银离子还原。
纳米粒子制造方法

[发明专利]合金纳米粒子的制造方法-CN201711163170.1在审
发明人：吉永文隆;赤松谦祐 -专利权人：丰田自动车株式会社;学校法人甲南学园
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种采用简便的合成法来制造微晶粒径为100nm以下的均质方钴矿化合物CoSb3的方法。所述方法通过还原剂从包含含Co化合物和含Sb化合物的溶液中将Co2+和Sb3+分别还原到Co0和Sb0，从而制造CoSb3，调整含Co化合物和含Sb化合物的下料量，使得将Co2+还原为Co0的速度和将Sb3+还原为Sb0的速度之比成为1:2.9～1:3.1。
还原制造方钴矿化合物合金纳米粒子微晶粒径还原剂下料量均质

[发明专利]成膜用镍溶液和使用该溶液的成膜方法-CN201480048322.1有效
发明人：平冈基记;柳本博;佐藤祐规;新明良崇;赤松谦祐 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-10-02 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：提供一种能够在使固体电解质膜与基材接触的状态下，抑制在它们之间产生氢气的成膜用镍溶液。一种成膜用镍溶液，用于在将固体电解质膜配置于阳极与成为阴极的基材之间，使所述固体电解质膜接触基材，并且对所述阳极与所述基材之间施加电压，由该固体电解质膜的内部所含有的镍离子在所述基材的表面析出镍，由此在所述基材的表面形成包含所述镍的镍被膜时，向所述固体电解质膜供给所述镍离子，所述镍溶液的pH值在4.2～6.1的范围内，所述镍溶液中还包含pH缓冲液，所述pH缓冲液在所述成膜时，在所述pH值的范围内具有缓冲能力，并且不与所述镍离子形成不溶性盐或络合物。
固体电解质膜镍溶液成膜基材镍离子阳极阴极析出表面形成不溶性盐缓冲能力基材接触施加电压氢气络合物被膜配置

[发明专利]成膜用金属溶液和金属膜形成方法-CN201510426952.4在审
发明人：平冈基记;柳本博;佐藤祐规;赤松谦祐 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C25D3/12 文献下载
摘要：本发明涉及成膜用金属溶液和金属膜形成方法。提供了一种用于在成膜时向固体电解质膜供给金属离子的成膜用金属溶液。在成膜时，固体电解质膜配置在阳极与作为阴极的基材之间，并且固体电解质膜与基材相接触且电压被施加在阳极与基材之间以从固体电解质膜中包含的金属离子在基材的表面上析出金属，使得在基材的表面上形成金属的金属膜。所述成膜用金属溶液包含溶剂和在离子状态下溶解在所述溶剂中的金属。所述成膜用金属溶液的氢离子浓度在25℃下处于0至10^-7.85mol/L的范围内。
成膜用金属溶液金属膜形成方法

[发明专利]电路基板及其制造方法-CN200880002172.5无效
发明人：柳本博;别所毅;绳舟秀美;赤松谦祐 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H05K3/20 文献下载
摘要：本发明能够得到以更简单的工序制造、且具有更微细化电路图案的电路基板。为此，使用表面具有与电路图案对应的凸部(11)的铸模(10)，对铸模(10)的凸部(11)的前端赋予导电材料层(金属糊)(13)，将其加热压接到例如作为树脂薄膜的基板(20)的表面。由此，与凸部(11)的形状一起，导电材料层(金属糊)(13)被转印到基板(20)上。将转印后的树脂基板(树脂成形品30)浸渍到例如硫酸铜镀浴的镀浴中，进行电解镀处理。镀浴中的铜离子析出到以被转印的导电材料层(13)为基材而转印的凹部(31)内，形成金属布线(32)。被转印到基板(20)侧的凹部(31)依赖铸模(10)的凸部(11)的形状，可形成由任意纵横比的金属布线(32)构成的高密度且微细的电路图案。
路基及其制造方法

[发明专利]金属纳米粒子复合膜的制造方法-CN200480030173.2有效
发明人：富田知志;绳舟秀美;赤松谦祐 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2004-10-13 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C08J7/00 文献下载
摘要：本发明提供能够独立控制金属纳米粒子复合膜中的金属纳米粒子粒径和体积填充率的金属纳米粒子复合膜的制造方法。在本发明中，通过如下方式控制复合膜中的金属纳米粒子的体积填充率：(a)使用碱水溶液处理聚酰亚胺树脂膜，导入羧基，接着(b)与含有金属离子的溶液相接触，在树脂膜中掺入金属离子后，(c)通过在还原性气体中进行加热还原处理，制造在聚酰亚胺树脂膜中分散有金属纳米粒子的金属纳米粒子复合膜时，(c)通过在还原性气体中的加热还原处理调整在聚酰亚胺树脂膜中形成的纳米粒子分散层的厚度。
金属纳米粒子复合制造方法

[发明专利]一种在聚酰亚胺树脂上形成无机薄膜的方法-CN200510127954.X有效
发明人：柳本博;绳舟秀美;赤松谦祐 -专利权人：三之星机带株式会社
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： C08J7/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种在聚酰亚胺树脂上形成无机薄膜的方去，其包括：步骤(1)，将碱性水溶液涂布到聚酰亚胺树脂上形成无机薄膜的位置，以打开聚酰亚胺树脂的酰亚胺环，如此生成羧基，并且将所述聚酰亚胺树脂改性为聚酰胺酸，由此形成包含具有羧基的聚酰胺酸的改性部分；步骤(2)，将所述改性部分与一种溶剂接触，以去除一部分所述改性部分，如此形成凹入部分，其中聚酰胺酸可溶于所述溶剂中；步骤(3)，将所述凹入部分附近的所述改性部分与含有金属离子的溶液接触，生成所述羧基的金属盐；和步骤(4)，在所述聚酰亚胺树脂表面上，将所述金属盐以金属、金属氧化物或半导体形式析出，如此形成无机薄膜。
一种聚酰亚胺树脂形成无机薄膜方法

[发明专利]在聚酰亚胺树脂上形成无机薄膜图案的方法-CN200510023089.4无效
发明人：柳本博;绳舟秀美;赤松谦祐 -专利权人：三之星机带株式会社;丰田自动车株式会社
申请日： 2005-12-26 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H05K3/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种在聚酰亚胺树脂上形成无机薄膜图案的方法，其包括：步骤(1)，在聚酰亚胺树脂表面之上，形成厚度为0.01～10μm的抗碱性保护膜；步骤(2)，将位于形成无机薄膜图案位置上的所述抗碱性保护膜和所述聚酰亚胺树脂表面部分去除，以形成凹入部分；步骤(3)，将所述凹入部分中的聚酰亚胺树脂与碱性水溶液接触，以打开所述聚酰亚胺树脂的酰亚胺环，如此生成羧基基团，由此形成具有羧基基团的聚酰亚胺树脂；步骤(4)，将所述具有羧基基团的聚酰亚胺树脂与含金属离子的溶液接触，如此生成所述羧基基团的金属盐；和步骤(5)，在所述聚酰亚胺树脂表面上，将所述金属盐以金属、金属氧化物或半导体形式析出，如此形成所述无机薄膜图案。
聚酰亚胺树脂形成无机薄膜图案方法

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