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[发明专利]一种碳化硅晶片的剥离方法及其剥离装置-CN202211322468.3在审
发明人： 许子业;侯煜;文志东;张喆;张昆鹏;宋琦;石海燕;李曼;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶片的剥离方法及其剥离装置，该碳化硅晶片的剥离方法通过采用第一激光光束从碳化硅晶锭的侧面入射并在设定深度层位置处形成一个加热的光路的同时，采用第二激光光束聚焦在第一激光光束形成的光路上，并在光路上爆点扫描，能够利用第一激光光束形成的光路上所具有的逐渐递减的纵向温度梯度，诱导每个爆点处的裂纹在光路内沿着与光路平行的方向生长，便于同一切割道上相邻两个爆点之间的裂纹快速延伸连接到一起，简化同一切割道上相邻爆点裂纹连接到一起的难度。能够适当加宽相同切割道上不同爆点之间的间距，使相同长度的切割道采用较少的爆点即可完成扫描，提高扫描效率，简化第一激光光束的设备复杂性，节省加工成本。
一种碳化硅晶片剥离方法及其装置

[发明专利]一种碳化硅晶片的生成方法-CN202211322470.0在审
发明人：石海燕;侯煜;李曼;文志东;张昆鹏;张喆;宋琦;许子业;薛美;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶片的生成方法，该碳化硅晶片的生成方法在从碳化硅晶锭剥离出碳化硅晶片之后，在对碳化硅晶片研磨之前，增加了将碳化硅晶片浸泡在化学溶液中，腐蚀碳化硅晶片的改质层界面的步骤，通过使用化学溶液腐蚀碳化硅晶片的改质层界面，能够去除碳化硅晶片剥离步骤产生的残余应力、位错及裂纹等缺陷。之后再研磨碳化硅晶片的改质层界面，由于此时碳化硅晶片的改质层界面上无残余应力或者存在较少的残余应力，能够减缓研磨工序的挤压使残余应力增大从而造成裂纹继续生长的现象，从而能够研磨更少材料即可完全去除损伤层，降低晶锭损失，提高晶片的质量。而且能够降低后续研磨的难度，提高研磨效率。
一种碳化硅晶片生成方法

[发明专利]一种碳化硅晶锭的激光切片方法及其装置-CN202211322497.X在审
发明人：张喆;侯煜;文志东;李曼;张昆鹏;石海燕;宋琦;许子业;薛美;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶锭的激光切片方法及其装置，该激光切片方法先将超短脉冲激光光束聚焦在碳化硅晶锭的设定深度层，在设定深度层上方分别产生空洞改质形成区域和裂纹改质形成区域，并扫描形成空洞改质层和裂纹改质层。再将短脉冲激光光束的焦点向设定深度层之上移动一定范围，使短脉冲激光光束透过裂纹改质形成区域后聚焦在空洞改质形成区域散射传播，使裂纹改质形成区域内的裂纹横向向外生长，并扫描以使空洞改质层中任意相邻的空洞改质形成区域内的裂纹通过横向生长连接在一起。减少改质层内的裂纹沿碳化硅晶锭纵向扩展的量和长度，增加横向裂纹生长的数量和裂纹生长长度，减少切割损耗厚度，减少浪费。
一种碳化硅激光切片方法及其装置

[发明专利]制备黑硅的方法及装置-CN202211154781.0在审
发明人：侯煜;文志东;张昆鹏;李曼;石海燕;张喆;宋琦;许子业;岳嵩;王然;薛美;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B23K26/082 文献下载
摘要：本发明提供一种制备黑硅的方法，包括：将待处理材料设置在空气氛围中；在待处理材料的表面依据第一间距设置多个加工行；采用方形平顶光斑对所述多个加工行依次进行诱导加工；其中，相邻两个加工行诱导加工过程中，具有方形平顶光斑边长十分之一以下的重复加工区域。本发明提供的制备黑硅的方法，能够在空气氛围中以高效率制备出黑硅。
制备方法装置

[发明专利]黑硅的制备方法-CN202211154718.7在审
发明人：文志东;侯煜;张喆;张昆鹏;宋琦;许子业;石海燕;李曼;王然;岳嵩;薛美;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B23K26/046 文献下载
摘要：本发明提供一种黑硅的制备方法，包括：在完成前一加工路径的诱导加工后，将激光束以聚焦的方式在当前加工路径的表面形成第一光斑，以对所述当前加工路径进行第一次诱导加工，使当前加工路径的表面形成微米级结构；在第一次诱导加工完成之后，将激光束以负离焦的方式在当前加工路径的表面形成第二光斑，以对所述当前加工路径进行第二次诱导加工，使当前加工路径的表面形成纳米级结构。本发明提供的黑硅的制备方法，能够降低激光加工过程中对材料的保护要求，减少危险化工物品的使用。
制备方法