“范忠孝”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于机器学习的半导体芯片的测试系统-CN202211148547.7有效
发明人： 范忠孝;杨帆;卜晖;吴玉梅;谢顺坤 -专利权人：重庆鹰谷光电股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片测试技术领域，具体地说，涉及一种基于机器学习的半导体芯片的测试系统。其包括芯片测试单元，芯片测试单元用于对芯片进行逐一测试，并生成芯片测试数据，芯片测试单元的输出端连接有数据分析单元，数据分析单元用于判断芯片测试数据是否合格并生成判断信息，且根据判断信息生成芯片测试的波动频率报告，数据分析单元的输出端连接有芯片数据预测单元，芯片数据预测单元用于依据波动频率报告预测后续测试芯片是否合格。本发明通过摒弃现有中随机抽取待测试芯片进行检测，依据测试芯片的数据异常波动情况锁定抽取待检测芯片的范围阈值，达到更精确的抽检测试与检验芯片数据预测单元预测的情况。
一种基于机器学习半导体芯片测试系统

[发明专利]硅基PIN光电二极管制作方法及其硅基PIN光电二极管-CN202211545432.1有效
发明人： 范忠孝;邓大卫;简茂余;卜晖;谢国丽;黄玲 -专利权人：成都鹰谷米特科技有限公司;重庆鹰谷光电股份有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了硅基PIN光电二极管制作方法及其硅基PIN光电二极管，其中，硅基PIN光电二极管制作方法，包括以下步骤：S1、氧化：氧化硅基晶圆，形成SiO2薄膜层；S2、一次光刻：光刻光敏区区域；S3、硼扩散：掺杂光敏区并进行硼扩散处理；S4、LPCVD：采用LPCVD淀积Si3N4薄膜，形成Si3N4薄膜层；S5、二次光刻：光刻保护环区域。通过本发明的技术方案，可以提高光电二极管响应度以及降低暗电流，从而提高硅基光电二极管的光电性能，满足不断提高的应用需求。
硅基 pin 光电二极管制作方法及其

[发明专利]应用于半导体芯片数据存储的计算逻辑系统-CN202211469609.4在审
发明人：邓大卫;杨帆;罗蔚;范忠孝;邱开强;简茂余 -专利权人：重庆鹰谷光电股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明涉及数据存储技术领域，具体地说，涉及应用于半导体芯片数据存储的计算逻辑系统。其包括芯片本体以及连接在芯片本体外围的寻址侧和数据侧；数据侧通过读写电路模块与存储模块进行双向连接；寻址侧通过译码驱动模块与存储模块进行单向连接，用于在数据读写操作前进行寻址；存储模块由存储矩阵组成，寻址侧通过数据存储的逻辑关系进行寻址，以寻址得到的存储矩阵作为数据侧读写操作的对象。本发明中通过将数据中的逻辑关系引入到寻址操作中，使逻辑关系得到的逻辑结构对地址码进行拆分，得到片段式地址码，然后根据片段式地址码将数据元素存储到对应的存储矩阵内，从而缩短地址码码数。
应用于半导体芯片数据存储计算逻辑系统