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- [发明专利]焊垫结构及半导体结构的制备方法-CN201911112907.6有效
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王永庆;陈赫;董金文;伍术;华子群;胡玉芬
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长江存储科技有限责任公司
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2019-11-14
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2021-05-07
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H01L21/60
- 本发明提供一种焊垫结构及半导体结构的制备方法,包括:于金属层间介质层上依次形成粘接层、焊垫金属层、抗反射层及光刻胶层,金属层间介质层包含密封环及接触窗,密封环贯穿金属层间介质层并延伸至器件结构的半导体衬底中,接触窗与器件结构电连接;图形化光刻胶层,形成第一刻蚀窗口;藉由第一刻蚀窗口,采用干法刻蚀依次去除抗反射层及焊垫金属层,形成第二刻蚀窗口;藉由第二刻蚀窗口,采用湿法刻蚀去除粘接层,形成第三窗口,相邻两第三窗口之间形成焊垫结构。采用本方法形成的焊垫结构能够在保持整体轮廓不受影响的情况下有效排除累积电荷的产生,最终获得的焊垫结构兼具三明治结构的优异性能还不会对芯片中器件结构的性能产生影响。
- 结构半导体制备方法
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