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- [发明专利]图案形成方法-CN201510711426.2有效
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C-B·李;S·J·卡波瑞奥;J·A·迪西斯托;J·K·朴;刘骢;C-B·徐;C·安第斯
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罗门哈斯电子材料有限责任公司
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2015-10-28
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2017-11-24
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G03F7/20
- 形成电子装置的方法，其包含(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下的组合物形成包含具有酸不稳定基团的单元的基质聚合物；光酸产生剂；以及有机溶剂；(c)在所述光致抗蚀剂层上涂布光致抗蚀剂外涂层组合物，其中所述外涂层组合物包含基质聚合物；添加剂聚合物；碱性淬灭剂；以及有机溶剂；其中所述添加剂聚合物的表面能低于所述基质聚合物的表面能，且其中所述添加剂聚合物以按所述外涂层组合物的总固体计1到20重量％的量存在于所述外涂层组合物中；(d)使所述光致抗蚀剂层曝光于活化辐射；(e)在曝光后烘烤加工中加热所述衬底；以及(f)使用有机溶剂显影剂使所述经曝光膜显影。所述方法在半导体制造业具有特殊适用性。
- 图案形成方法
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