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[发明专利]线性电机和线性头模块-CN202210526879.8在审
发明人： 稻叶聪;恩田祐树;三泽康司 -专利权人：山洋电气株式会社
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H02K41/02 文献下载
摘要：本发明提供线性电机，其包括：动子，具有在推力轴线方向上延伸的输出轴部；检测部，能检测所述输出轴部的所述推力轴线方向的位置；以及被检测部，固定于所述动子。所述动子还具有：安装台座，安装有所述被检测部；以及金属制的紧固构件，将所述安装台座紧固于所述输出轴部的所述推力轴线方向的一个端面。所述安装台座具有：金属制的被紧固部，被夹持在所述输出轴部的所述推力轴线方向的一个端面与所述紧固构件之间；以及树脂制的安装部，具有安装面，所述安装面设置在偏离所述推力轴线的位置，且安装有所述被检测部。
线性电机模块

[发明专利]线性头模块-CN202210607697.3在审
发明人： 稻叶聪;恩田祐树;三泽康司 -专利权人：山洋电气株式会社
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H02K41/02 文献下载
摘要：本发明提供一种线性头模块。线性头模块具有：多个线性马达，分别具有具备输出轴部的动子；多个检测部，分别检测所述输出轴部的推力轴线方向的位置；单一的电路基板，设置有多个所述检测部；以及被检测部，设置于各个所述动子，所述被检测部经由安装台座固定于所述动子，在从所述推力轴线方向观察时，所述安装台座从所述输出轴部延伸的方向与所述输出轴部和所述电路基板彼此相对的方向不同。
线性模块

[发明专利]线性头模块-CN202210490333.1在审
发明人： 稻叶聪;恩田祐树;三泽康司 -专利权人：山洋电气株式会社
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H02K41/02 文献下载
摘要：本发明提供线性头模块，其包括具有输出构件的多个线性单元和壳体。所述线性单元具有动子和定子。所述定子具有输出侧轴承支架和输出侧相反侧轴承支架。所述壳体包括：主体部，一体地具备输出侧面部、输出侧相反侧面部、以及连接所述输出侧面部与所述输出侧相反侧面部的连接部；凸缘，面向所述输出侧面部；以及托架，面向所述输出侧相反侧面部。
线性模块

[发明专利]阻变存储器-CN201680033285.6有效
发明人：相川尚德;岸达也;中冢圭祐;稻叶聪;都甲大;细谷启司;J·Y·易;H·J·徐;S·D·金 -专利权人：铠侠股份有限公司;SK海力士公司
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：根据实施例，一种阻变存储器包括：半导体衬底，具有控制端子、第一端子和第二端子的晶体管，所述晶体管设置在半导体衬底上，覆盖所述晶体管的绝缘层，连接到所述第一端子且设置在所述绝缘层上的第一导线，设置在所述绝缘层上的第二导线，以及连接在所述第二端子和所述第二导线之间的阻变元件。在所述第一导线和所述第二导线的布置方向上，所述第一导线的宽度大于所述第二导线的宽度。
存储器

[发明专利]半导体存储器及其制造方法-CN200710087916.5无效
发明人： 稻叶聪 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-01-25 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体存储器，具有多个静态随机存取存储器单元、多条字线以及与所述字线基本上垂直的多条第一和第二位线，每个所述静态随机存取存储器单元包括：第一反相器，具有在电源电压线和接地线之间串联的第一驱动晶体管和第一负载晶体管；第二反相器，具有在电源电压线和接地线之间串联的第二驱动晶体管和第二负载晶体管；第一传输晶体管，串联在第一位线和所述第一反相器的输出之间；以及第二传输晶体管，串联在第二位线和所述第二反相器的输出之间，所述第一反相器的输出连接到所述第二反相器的输入，并且所述第一反相器的输入连接到所述第二反相器的输出，其中所述第一和第二驱动晶体管、所述第一和第二负载晶体管以及所述第一和第二传输晶体管中的至少一者由鳍片场效应晶体管构成，以及所述鳍片场效应晶体管由分离栅型双栅场效应晶体管构成，所述分离栅型双栅场效应晶体管包括第一栅电极和第二栅电极，控制所述第一栅电极的电压以形成沟道，并且控制所述第二栅电极的电压以在写入数据时降低阈值电压。
半导体存储器及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510108757.3无效
发明人： 稻叶聪 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有能够抑制短沟道效应的结构、可以控制阈值电压、电流驱动力优异、能够高速动作的多翅片FET，包括：在半导体衬底上设置的源区和漏区；与所述源区和漏区连接的多个翅片；设置在所述半导体衬底上方，设置在所述各翅片一个侧面侧的第一栅电极；设置在所述半导体衬底上方，相对于所述翅片与所述第一栅电极对置，设置在所述各翅片另一个侧面侧，与所述第一栅电极分离的第二栅电极；与所述各个第一栅电极连接的多个第一焊盘电极；与所述多个第一焊盘电极连接的第一布线；与所述各个第二栅电极连接的多个第二焊盘电极；与所述多个第二焊盘电极连接的第二布线。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200510091695.X无效
发明人： 稻叶聪 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-08-05 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供的叶片型FET，包括：支持基板，设于所述支持基板上的埋入绝缘膜，设于所述埋入绝缘膜上、并具有由硅层构成同时互相相对的侧面的叶片部，以及通过绝缘膜设置的栅极、使得至少覆盖所述侧面的一部分，形成所述栅极、使得从比所述支持基板与所述埋入绝缘膜的界面更低位置覆盖所述侧面的一部分。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN02154774.2无效
发明人： 稻叶聪 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-12-04 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明揭示了特征为备有半导体基片，在上述半导体基片的表面区域中，形成存储单元的存储区域上，用由第1绝缘膜与上述半导体基片绝缘地形成的多层层积体构成的第1栅极，和在上述半导体基片的表面区域中，至少形成控制上述存储单元的逻辑电路的逻辑区域上，用由第2绝缘膜与上述半导体基片绝缘地形成的第2栅极，上述第1栅极中与上述第1绝缘膜接触的层和上述第2栅极中与上述第2绝缘膜接触的层由相互不同的材料形成的半导体装置。又，本发明揭示了在半导体基片上在单元分离区域中划定分离的用于形成存储单元的存储区域，和用于形成控制这个存储单元的逻辑电路的逻辑区域，在半导体基片上形成第1绝缘膜。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02102043.4无效
发明人： 稻叶聪 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-01-17 - 公布日： 2002-08-28 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：半导体器件包括半导体衬底;栅极电极;源极和漏极扩散层;在上述源极和漏极扩散层之间的上述沟道区上形成的第1导电类型的第1掺杂层;在上述第1掺杂层的下边形成的第2导电类型的第2掺杂层;和在上述第2掺杂层的下边形成的第1导电类型的第3掺杂层,上述第1掺杂层的结深度被设定得与上述源极和漏极扩散层的扩张区域的结深度相同或比之还浅,上述第2掺杂层把杂质浓度和厚度设定为使得归因于上述第1和第3掺杂层之间产生的内建电位而完全耗尽化。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有窄带隙－源区结构的绝缘栅器件及其制造方法-CN95118446.6无效
发明人：吉见信;稻叶聪;村越笃;寺内卫;执行直之;松下嘉明;青木正身;滨本毅司;石桥裕;尾崎彻;Ｈ·川口谷;松泽一也;有隅修;西山彰 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1995-09-13 - 公布日： 2000-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件结构及制造方法，在改善ＭＯＳＦＥＴ、ＭＯＳＳＩＴ和ＭＩＳＦＥＴ等绝缘栅晶体管的漏击穿电压时降低漏电流，改善存储单元如用这些晶体管作开关晶体管的ＤＲＡＭ的保持特性，改善传输门中栅氧化膜的可靠性。具体地，在ＳＯＩ·ＩＧ－器件的源区或漏区内部形成窄带隙半导体如SixGe1-x、SixSn1-x、ＰｂS。选择窄带隙半导体区在ＳＯＩ膜中的位置和／或摩尔百分比，或选择杂质元素，补偿晶格失配，抑制缺陷的产生。
具有窄带结构绝缘器件及其制造方法

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