专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]带有折线形气隙通道的罗氏线圈型电流传感器-CN202111118529.X有效
  • 程养春;魏思芸;彭磊;沙雨飞 - 华北电力大学
  • 2021-09-24 - 2023-04-25 - G01R19/00
  • 本发明提供了一种带有折线形气隙通道的罗氏线圈型电流传感器。该传感器由屏蔽壳、线圈、垫块三部分组成。屏蔽壳为金属材料,整体形状为环形,环形的轴向截面内部靠外侧的部分是由屏蔽壳包裹的内腔,靠内侧的部分则存在多层内壁,内壁之间留有气隙,且每层内壁留出缺口使层与层之间的气隙相通,从而形成折线形气隙通道,折线形气隙通道使屏蔽壳的内腔与外界相通。外部干扰的磁场经过折线形气隙通道的多层屏蔽后可以大幅衰减。线圈通过垫块固定在屏蔽壳环形截面内部靠外侧的内腔。本发明可以提高线圈型电流传感器的抗干扰能力,并且对被测电流磁场没有影响。
  • 带有折线形气隙通道线圈电流传感器
  • [发明专利]一种高压直流断路器用压接式IGBT器件使用寿命等效计算方法-CN202211023682.9在审
  • 程养春;彭磊;扈梦玥 - 华北电力大学
  • 2022-08-23 - 2022-12-02 - G06F30/20
  • 本发明公开了功率半导体器件可靠性试验领域的一种高压直流断路器用压接式IGBT器件可靠性试验等效方法。具体包括利用多物理场仿真软件进行热、电、机械三物理场耦合仿真结果,得到持续时间一定时,不同电流水平下芯片结温温升与电流水平的关系,根据该关系可知试验电流与实际电流水平下器件的芯片温升;为建立不同电流水平下寿命之间的等效关系,选择温升作为等效量,并定义不同电流水平下温升差异量ΔT1‑ΔT2(℃)为较低电流水平下温升数值与较高电流水平下温升数值之间的差值;按照电子元器件寿命老化模型(10℃法则),可得不同电流水平下温升差异ΔT1‑ΔT2(℃)与寿命关系表达式,根据该表达式,可通过试验电流I1下的寿命N1与温升差异ΔT1‑ΔT2(℃)求得实际电流I2(A)下寿命N2(次)。
  • 一种高压直流断路器用压接式igbt器件使用寿命等效计算方法

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