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[发明专利]硅晶片的1次研磨后所使用的后研磨用组合物-CN202280007577.8在审
发明人：石岛响;石水英一郎 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2022-10-06 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明的课题是提供在晶片的研磨工序中以去掉激光标记周边部的隆起作为目的而提供平坦的研磨面的研磨用组合物、以及使用了该研磨用组合物的晶片的研磨方法。解决手段是一种研磨用组合物，是用于消除在采用包含二氧化硅粒子、水和碱性化合物的硅晶片的1次研磨用组合物研磨后残存的激光标记的后研磨用组合物，该后研磨用组合物包含二氧化硅粒子、水、四烷基铵离子和水溶性高分子，以相对于二氧化硅粒子的SiO2为0.200～1.000：1的质量比包含四烷基铵离子，以相对于二氧化硅粒子的SiO2为0.100～1.500：1的质量比包含溶解于该研磨用组合物的SiO2，以相对于二氧化硅粒子的SiO2为0.005～0.05：1的质量比包含水溶性高分子。二氧化硅粒子具有1nm～100nm的平均一次粒径。
晶片研磨使用组合

[发明专利]使用了水亲和性高的研磨粒子的研磨用组合物-CN201980007214.2有效
发明人：三井滋;西村透;石水英一郎 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的课题是提供用于器件晶片的CMP研磨而能够实现高的研磨速度和抑制缺陷产生的研磨用组合物。解决手段是一种研磨用组合物，是包含二氧化硅粒子的研磨用组合物，该二氧化硅粒子的Rsp是基于胶体状二氧化硅分散液测得的，该分散液的脉冲NMR的测定值Rsp＝(Rav‑Rb)/(Rb)为0.15～0.7，并且该二氧化硅粒子的形状系数SF1＝(以粒子的最大径作为直径的圆的面积)/(投影面积)为1.20～1.80。Rsp为表示水亲和性的指标，Rav为胶体状二氧化硅分散液的弛豫时间的倒数，Rb为在胶体状二氧化硅分散液中除去二氧化硅粒子后的空白水溶液的弛豫时间的倒数。胶体状二氧化硅分散液的通过动态光散射法测得的平均粒径为40～200nm，该分散液中的二氧化硅粒子的通过氮气吸附法测得的平均一次粒径为10～80nm。
使用亲和性研磨粒子组合

[发明专利]含有碱性物质的使用了亲水性高的研磨粒子的研磨用组合物-CN202080046110.5在审
发明人：三井滋;石水英一郎;西村透;大森恒 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-06-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的课题是提供用于CMP研磨而可以抑制缺陷的产生的研磨用组合物。解决手段是一种研磨用组合物，其包含二氧化硅粒子、碱性的含氮有机化合物和作为溶剂的水，并且由脉冲NMR的测定值算出的下述式(1)所示的Rsp值超过0.7且为6以下。Rsp＝(Rav‑Rb)/(Rb) (1)(在式(1)中，Rsp为表示亲水性的指标，Rav为该研磨用组合物的弛豫时间倒数，Rb为作为该研磨用组合物的溶剂的水的弛豫时间倒数。)。
含有碱性物质使用亲水性研磨粒子组合

[发明专利]经纯化的硅酸水溶液的制造方法-CN201680060946.4有效
发明人：境田广明;石水英一郎 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C01B33/141 文献下载
摘要：本发明的课题是，以水玻璃作为原料，在与以往相比纯化工序短、并且不使用不必要的添加物的情况下，获得Cu、Ni等金属杂质的含量少的经纯化的硅酸水溶液。解决手段是一种经纯化的硅酸水溶液的制造方法，其包含下述工序(a)、工序(b)，(a)：向填充有多胺型、亚氨基二乙酸型或氨基磷酸型的螯合树脂的柱中通液二氧化硅浓度0.5质量％以上10质量％以下的碱金属硅酸盐水溶液的工序，(b)：向填充有氢型阳离子交换树脂的柱中通液在上述工序(a)中通液后得到的水溶液的工序。
纯化硅酸水溶液制造方法

[发明专利]用于消除激光标记周边的隆起的包含阳离子的研磨用组合物-CN202080014096.0在审
发明人：山口隼人;石岛响;石水英一郎 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种在晶片的研磨工序中消除激光标记周边部的隆起的研磨用组合物，其制造方法以及使用了该研磨用组合物的研磨方法。解决手段是一种研磨用组合物，其为包含二氧化硅粒子和水的研磨用组合物，其特征在于：该研磨用组合物进一步以相对于二氧化硅粒子的SiO2为0.400～1.500:1的质量比包含四烷基铵离子，且以相对于二氧化硅粒子的SiO2为0.100～1.500:1的质量比包含在该研磨用组合物中溶解了的SiO2。所述四烷基铵离子来自选自碱性硅酸盐、氢氧化物、碳酸盐、硫酸盐和卤化物中的化合物，并且在所述研磨用组合物中以0.2质量％～8.0质量％的比例被包含。所述溶解了的SiO2来自四烷基硅酸铵、硅酸钾、硅酸钠或它们的混合物。
用于消除激光标记周边隆起包含阳离子研磨组合

[发明专利]使载体的磨损减轻的硅片的研磨方法及用于其的研磨液-CN201980061054.X在审
发明人：山口隼人;棚次悠介;石水英一郎 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供研磨方法，其为采用使用了保持着硅片的载体的研磨装置进行该硅片的研磨的方法，可减小载体的磨损。研磨方法，其中，所述研磨装置中使用的研磨液以0.1质量％～5质量％的二氧化硅浓度包含二氧化硅粒子，所述二氧化硅粒子包含二氧化硅粒子(A)和二氧化硅粒子(B)，所述二氧化硅粒子(A)的采用BET法所测定的平均一次粒径为4nm～30nm的粒径，将通过采用电子束得到的透射投影像求出的长轴的平均粒径设为(X2)nm、将采用BET法所测定的平均一次粒径设为(X1)nm时的(X2/X1)比为1.2～1.8，所述二氧化硅粒子(B)的采用BET法所测定的平均一次粒径为超过30nm且50nm以下的粒径，将通过采用电子束得到的透射投影像求出的长轴的平均粒径设为(X2)nm、将采用BET法所测定的平均一次粒径设为(X1)nm时的(X2/X1)比为1.2～1.8，所述二氧化硅粒子(A)：所述二氧化硅粒子(B)的质量比为100：0～85：15。
载体磨损减轻硅片研磨方法用于

[发明专利]用于消除激光标记周边的隆起的研磨用组合物-CN201880089885.3在审
发明人： 石水英一郎;棚次悠介 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的课题是提供在晶片的研磨工序中进行激光标记周边部的隆起的消除的研磨用组合物、以及使用了该研磨用组合物的研磨方法。解决手段是一种研磨用组合物，其用于消除带有激光标记的晶片的激光标记周边部的隆起，该研磨用组合物包含水溶性化合物、螯合剂和金属氧化物粒子，并且pH值为7～12，该水溶性化合物具有疏水性部分和亲水性部分，该亲水性部分在其末端或侧链具有羟基、且具有羟基乙基、酰氧基、羧酸基、羧酸盐基、磺酸基、或磺酸盐基，该水溶性化合物在研磨用组合物中含量为5～700ppm。金属氧化物粒子为溶胶中的平均一次粒径为5～100nm的二氧化硅粒子、二氧化锆粒子、或二氧化铈粒子。对激光标记周边部的隆起进行研磨的晶片的研磨方法。
用于消除激光标记周边隆起研磨组合

[发明专利]包含两性表面活性剂的研磨用组合物-CN201880024945.3在审
发明人：境田广明;石水英一郎 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的课题是提供通过晶片的研磨工序可获得晶片的中心部与周边部(激光标记部分)的高低差小的平坦研磨面的研磨用组合物、以及使用了该研磨用组合物的晶片的制造方法。解决手段是一种研磨用组合物，其包含水、二氧化硅粒子、碱性物质、和式(1)所示的两性表面活性剂。(在式(1)中，R¹为碳原子数10～20的烷基、或包含酰胺基的碳原子数1～5的烷基，R²和R³各自独立地为碳原子数1～9的烷基，X^‑为包含羧酸根离子或磺酸根离子的碳原子数1～5的阴离子性有机基。)。二氧化硅粒子为具有5～100nm的平均一次粒径的二氧化硅粒子的基于水性分散体的二氧化硅粒子。一种晶片的制造方法，在晶片的研磨工序中，进行研磨直到晶片的中央部与周边部的高低差成为100nm以下为止。
式( 1 )晶片二氧化硅粒子碳原子数研磨烷基研磨用组合物高低差周边部两性表面活性剂平均一次粒径磺酸根离子水性分散体羧酸根离子激光标记碱性物质阴离子性有机基中心部中央部酰胺基种晶制造平坦

[发明专利]晶片用研磨液组合物-CN201380026118.5有效
发明人：境田广明;石水英一郎 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种研磨液组合物，其在电子产业中的基板用晶片的研磨中，能够赋予晶片表面亲水性，并且有效改善雾度。本发明是一种晶片用研磨液组合物，其含有水、二氧化硅粒子、碱性化合物、聚乙烯醇和阴离子改性聚乙烯醇，并且阴离子改性聚乙烯醇相对于聚乙烯醇的质量比为0.6～5.5。前述阴离子改性聚乙烯醇是被羧基或磺酸基改性了的聚乙烯醇。
晶片研磨组合

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