专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果4个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]使载体的磨损减轻的硅片的研磨方法及用于其的研磨液-CN201980061054.X在审
  • 山口隼人;棚次悠介;石水英一郎 - 日产化学株式会社
  • 2019-09-20 - 2021-04-23 - H01L21/304
  • 提供研磨方法,其为采用使用了保持着硅片的载体的研磨装置进行该硅片的研磨的方法,可减小载体的磨损。研磨方法,其中,所述研磨装置中使用的研磨液以0.1质量%~5质量%的二氧化硅浓度包含二氧化硅粒子,所述二氧化硅粒子包含二氧化硅粒子(A)和二氧化硅粒子(B),所述二氧化硅粒子(A)的采用BET法所测定的平均一次粒径为4nm~30nm的粒径,将通过采用电子束得到的透射投影像求出的长轴的平均粒径设为(X2)nm、将采用BET法所测定的平均一次粒径设为(X1)nm时的(X2/X1)比为1.2~1.8,所述二氧化硅粒子(B)的采用BET法所测定的平均一次粒径为超过30nm且50nm以下的粒径,将通过采用电子束得到的透射投影像求出的长轴的平均粒径设为(X2)nm、将采用BET法所测定的平均一次粒径设为(X1)nm时的(X2/X1)比为1.2~1.8,所述二氧化硅粒子(A):所述二氧化硅粒子(B)的质量比为100:0~85:15。
  • 载体磨损减轻硅片研磨方法用于
  • [发明专利]用于消除激光标记周边的隆起的研磨用组合物-CN201880089885.3在审
  • 石水英一郎;棚次悠介 - 日产化学株式会社
  • 2018-12-19 - 2020-10-09 - H01L21/304
  • 本发明的课题是提供在晶片的研磨工序中进行激光标记周边部的隆起的消除的研磨用组合物、以及使用了该研磨用组合物的研磨方法。解决手段是一种研磨用组合物,其用于消除带有激光标记的晶片的激光标记周边部的隆起,该研磨用组合物包含水溶性化合物、螯合剂和金属氧化物粒子,并且pH值为7~12,该水溶性化合物具有疏水性部分和亲水性部分,该亲水性部分在其末端或侧链具有羟基、且具有羟基乙基、酰氧基、羧酸基、羧酸盐基、磺酸基、或磺酸盐基,该水溶性化合物在研磨用组合物中含量为5~700ppm。金属氧化物粒子为溶胶中的平均一次粒径为5~100nm的二氧化硅粒子、二氧化锆粒子、或二氧化铈粒子。对激光标记周边部的隆起进行研磨的晶片的研磨方法。
  • 用于消除激光标记周边隆起研磨组合
  • [实用新型]穿刺器具-CN201620923687.0有效
  • 朱瑾;棚次悠介;游家齐;黎佳霖 - 朱瑾
  • 2016-08-23 - 2017-02-08 - B26F1/16
  • 一种穿刺器具,包括本体及覆盖层,覆盖层镀于本体的表面,覆盖层包括具有非晶结构的金属玻璃材料,用于降低在每次穿刺过程中所需施加力量的增加幅度。本实用新型的穿刺器具通过镀于本体表面的覆盖层,不但能减少摩擦力,降低穿刺器具在每次穿刺过程中所需施加力量的增加幅度,覆盖层也能减少本体表面的粗糙度,并增加整体的硬度,有效减少与其他物质的沾黏及提高耐用性。
  • 穿刺器具

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top