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[发明专利]一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法-CN201310473279.0有效
发明人：汪宁 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法，包括：对InP基RFIC晶圆进行清洗；在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；对InP基RFIC晶圆进行电极图形光刻；对InP基RFIC晶圆制作金属电极；对InP基RFIC晶圆进行清洗；对InP基RFIC晶圆进行快速合金；在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；对InP基RFIC晶圆进行引线图形光刻；对InP基RFIC晶圆制作引线金属；将InP基RFIC晶圆连入导线；对InP基RFIC晶圆进行电化学抛光；对InP基RFIC晶圆进行剥离，完成减薄抛光。
一种 inp rfic 进行电化学抛光方法

[发明专利]处理硅基晶圆的方法与系统及封装半导体元件的方法-CN200910130333.5有效
发明人：李建勋;陈承先;李明机;郭祖宽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明是有关于一种处理硅基晶圆的方法与系统及封装半导体元件的方法。该硅基晶圆具有第一表面及第二表面，一玻璃载体利用紫外线照射胶布设置在硅基晶圆的第二表面，该处理硅基晶圆的方法包括：利用真空夹持器夹持硅基晶圆，其中真空夹持器作用在硅基晶圆的第一表面；通过玻璃载体以紫外线束照射紫外线照射胶布，释放紫外线照射胶布，由硅基晶圆上移除玻璃载体；翻转硅基晶圆；置放硅基晶圆于真空基板上；利用真空作用将硅基晶圆稳固于真空基板上；及自硅基晶圆移除真空夹持器。本发明还提供了一种封装半导体元件的方法，及一种处理硅基晶圆的系统。藉此，利用真空基板提供玻璃载体移除后硅基晶圆所需的刚性，以减少穿透硅介层窗中介层的毁损。
处理硅基晶圆方法系统封装半导体元件

[发明专利]晶圆级硅基液晶投影组件、系统与方法-CN201410221984.6有效
发明人：范纯圣 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G03B21/00 文献下载
摘要：本发明的题目是一种晶圆级硅基液晶投影组件、系统与方法。晶圆级硅基液晶投影组件包括一硅基液晶显示器以及一偏振分光层。硅基液晶显示器以空间调变入射于硅基液晶显示器的光线。偏振分光层以导引至硅基液晶显示器或从硅基液晶显示器出来的光线。晶圆级硅基液晶投影系统的组装方法包括将一偏振分光晶圆设置于一有源矩阵晶圆上，有源矩阵晶圆包括多个有源矩阵以定义多个液晶显示像素。组装方法还包括设置一透镜晶圆于偏振分光晶圆上，透镜晶圆包括多个透镜。一种晶圆级偏振分光器的组装方法包括接合一偏振分光晶圆与至少另一晶圆以形成一堆叠晶圆，偏振分光晶圆包括一偏振分光层，偏振分光层包括多个偏振分光膜带。
晶圆级硅基液晶投影组件系统方法

[发明专利]用于定位晶圆的辅助装置以及纳米压印机-CN202010501379.X有效
发明人：冀然 -专利权人：青岛天仁微纳科技有限责任公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提出一种用于定位晶圆的辅助装置，包括，基盘，在所述基盘的上表面上，自所述基盘的边缘向基盘的中心依次设置有多个真空槽组，晶圆放置在所述基盘的上表面上，且晶圆可覆盖任意一个或多个所述真空槽组；定位装置，可拆卸连接于所述基盘的上表面的不同位置上，晶圆与所述定位装置相抵，以在所述基盘上定位晶圆；真空装置，与所述真空槽组连通，以在所述真空槽组内产生负压用以固定晶圆。本发明定位晶圆时不触碰光刻面，不损坏或者污染光刻面，同时，能够根据晶圆的缺口精确定位晶圆的晶向和晶圆上纳米结构的方向，不仅设计简洁，而且造价低，实用性强。
用于定位辅助装置以及纳米压印

[实用新型]一种化学气相沉积设备及其晶圆基盘-CN202220854741.6有效
发明人：刘自强 -专利权人：江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种化学气相沉积设备及其晶圆基盘，化学气相沉积设备包含反应腔、晶圆基盘、旋转支撑支架、升降销，晶圆基盘设置在反应腔内，用于支撑晶圆，旋转支撑支架用于带动晶圆基盘旋转，升降销用于在晶圆传输时顶起晶圆，晶圆基盘包含一体成型的基盘本体和支撑销，基盘本体包含正面和与正面相对的背面，正面用于支撑晶圆，支撑销设置在基盘本体的背面。本实用新型将石墨基盘的本体和支撑销一体成型，减少了摩擦，从而减少了颗粒物的产生，通过支撑销与旋转支撑支架之间的精密配合，解决了石墨基盘在高温下的线性膨胀问题，也解决了石墨基盘的支撑销与石英旋转支撑支架之间配合的偏心问题，同时能够获得石墨基盘旋转的稳定性。
一种化学沉积设备及其晶圆基盘

[发明专利]用于晶圆定位的定位装置以及纳米压印机-CN202010502073.6有效
发明人：冀然 -专利权人：青岛天仁微纳科技有限责任公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提出一种用于晶圆定位的定位装置，基盘，自基盘的边缘向基盘的中心依次设置有多个真空槽组，晶圆放置在基盘的上表面上，晶圆的底部可覆盖任意一个或多个真空槽组；定位装置，具有多个不同的定位部，以对应不同尺寸或形状的晶圆，多个不同的定位部上对应设置有不同的定位端，以使不同的定位端对应适配不同尺寸或形状的晶圆的外边缘，定位部可自基盘的底端穿过基盘移动至基盘上方，以定位晶圆；真空装置，与真空槽组连通，以使真空槽组内产生负压固定晶圆一种采用用于晶圆定位的定位装置的纳米压印机。本发明根据晶圆的缺口定位精准，不仅定位了晶圆的晶向方向，也定位了晶圆上纳米结构的方向，且整个定位过程中不接触晶圆的光刻面。
用于定位装置以及纳米压印

[发明专利]一种硅基晶圆的背面硅腐蚀加工方法-CN202310605020.0在审
发明人：任晓塍;孙岩;承超;马敏洁;徐占勤;朱显 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种硅基晶圆的背面硅腐蚀加工方法，其包括如下步骤：将硅基晶圆安装在耐腐蚀载具上、并使硅基晶圆的背面暴露于耐腐蚀载具表面；将耐腐蚀载具浸泡在混合酸液中、以混合酸液对硅基晶圆的表面进行氧化，在硅基晶圆表面形成二氧化硅；从混合酸液中取出耐腐蚀载具、并清洗硅基晶圆；将耐腐蚀载具放入氧化反应液中浸泡，氧化反应液包括氟化铵和过氧化氢；将耐腐蚀载具从氧化反应液中取出、放入腐蚀液中浸泡以溶解所述二氧化硅，腐蚀液包括氟化铵和氢氟酸；在耐腐蚀载具上清洗并甩干硅基晶圆，将硅基晶圆取下。本发明能够在硅基晶圆的背面硅腐蚀工艺中去除硅基晶圆表面的氮氧化合物层，进而减少淀积背面金属的脱落，降低芯片的报废率。
一种硅基晶圆背面腐蚀加工方法

[发明专利]气体传感器及其制备方法-CN201510085526.9有效
发明人：罗雯雯 -专利权人：苏州诺联芯电子科技有限公司
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外气体传感器包括第一硅基晶圆，所述第一硅基晶圆间隔设有位于同一侧的红外光源和红外探测器；与所述第一硅基晶圆键合的双抛的第二硅基晶圆，所述第二硅基晶圆上具有滤光镜、分别与所述红外光源和所述红外探测器相对应的第一气体通道和第二气体通道，所述滤光镜位于第二气体通道的开口处或内部；与所述第二硅基晶圆背离所述第一硅基晶圆的一侧键合的第三硅基晶圆，所述第三硅基晶圆朝向所述第二硅基晶圆的一侧设有气体腔室，所述气体腔室具有分别与两个所述气体通道相对应的两个端部
气体传感器及其制备方法

[发明专利]一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法-CN202011033632.X在审
发明人：宋世金;赵炆兼;汤惠淋;王雷;刘浩飞;马金峰 -专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体外延薄膜及器件技术领域，公开了一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法，包括以下步骤：S1、对GaAs基晶圆沿自然解理面进行分割；S2、沿平行于GaAs基晶圆的衬底表面，并与自然解理面法线一侧呈45°方向，观察并测量解理边与GaAs基晶圆上下表面的夹角，记为θ1；S3、若θ1≠90°，则GaAs基晶圆的斜切角为|90°‑θ1|；S4、若θ1＝90°，则沿平行于GaAs基晶圆衬底表面、与自然解理面法线另一测呈45°方向，观察并测量解理边与晶圆衬底上、下表面的夹角，记为θ2，则GaAs基晶圆的斜切角为|90°‑θ2|。本发明能够简便、准确、直观的对GaAs基晶圆斜切角度进行表征，并适用于经外延、金属、介电薄膜沉积后的完整器件晶圆。
一种 gaas 基晶圆斜切角度快速表征方法

[实用新型]气体传感器-CN201520113958.1有效
发明人：罗雯雯 -专利权人：苏州诺联芯电子科技有限公司
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种红外气体传感器包括第一硅基晶圆，所述第一硅基晶圆间隔设有位于同一侧的红外光源和红外探测器；与所述第一硅基晶圆键合的双抛的第二硅基晶圆，所述第二硅基晶圆上具有滤光镜、分别与所述红外光源和所述红外探测器相对应的第一气体通道和第二气体通道，所述滤光镜位于第二气体通道的开口处或内部；与所述第二硅基晶圆背离所述第一硅基晶圆的一侧键合的第三硅基晶圆，所述第三硅基晶圆朝向所述第二硅基晶圆的一侧设有气体腔室，所述气体腔室具有分别与两个所述气体通道相对应的两个端部
气体传感器

[发明专利]一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统-CN201810858352.9在审
发明人：王珺楠 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统，方法包括以下步骤：S1：使用粗磨轮对SiC基GaN晶圆的SiC进行粗磨减薄；S2：将SiC基GaN晶圆以一定转速进行旋转，并对其进行喷水，同时使用毛刷刷洗晶圆表面；S3：将SiC基GaN晶圆进行灰化处理，对SiC基GaN晶圆表面进行氧化；S4：对SiC基GaN晶圆进行背金处理。
晶圆背金粘附性晶圆表面灰化处理金属脱落毛刷刷洗粗磨轮粗磨减薄背面

[发明专利]类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管及加工方法-CN202010192706.8在审
发明人：夏乾华 -专利权人：鑫金微半导体（深圳）有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供的类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管，包括至少一个硅基场效应管晶圆，所述每个硅基场效应管晶圆的源极和漏极之间并联一肖特基二极管晶圆，其中肖特基二极管晶圆的正极接硅基场效应管晶圆的源极，肖特基二极管晶圆的负极接硅基场效应管晶圆的漏极该N型硅基新型场效应管，效率更高，损耗更小，反向恢复时间更短。
第三代半导体性能型硅基新型场效应加工方法

[发明专利]一种用于传输晶圆的转运装置-CN202310750633.3在审
发明人：刘明璋;谢新梅 -专利权人：东莞市瀚基智能科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于传输晶圆的转运装置，包括基盘、气腔、定位部和连接臂；所述气腔为顶部开口结构，多个气腔分布在基盘上，多个气腔分别通过气路与气源连接，并且各气腔的气压相同，定位部形成在基盘边缘，用于对晶圆定位，晶圆位于气腔的顶部，并且晶圆的中心位于多个气腔的中心，晶圆与气腔之间形成有气膜层，连接臂与基座连接，连接臂用于连接移动设备；该转运装置通过真空涡流和气膜层使晶圆悬浮在气腔的顶部，实现晶圆的非接触式转移，同时实现晶圆的自动转移，提高转移效率，同时晶圆与基盘不产生接触，避免与晶圆发生摩擦，提高了晶圆的良率。
一种用于传输转运装置

[实用新型]混动汽车功率单元-CN202222032386.7有效
发明人：蒋佳奇 -专利权人：上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混动汽车功率单元，包括：散热装置上表面与带有IGBT功率模块的双面覆铜绝缘板下表面固定连接；双面覆铜绝缘板上IGBT功率模块划分为并列布置的两个硅基晶圆区域，其左侧的硅基晶圆区域包括两个硅基晶圆，其右侧的硅基晶圆区域包括四个硅基晶圆；其中，左侧的硅基晶圆区域是每个相位的用于发电机进行发电充电模块，右侧的硅基晶圆区域用于扭矩电机输出功率。本实用新型将两个IGBT的功能集成在同一模块中，将该功率模块划分两个硅基晶圆区域，进而实现可压缩混动双逆变器设备的体积，降低原材料采购制造成本，最大程度发挥IGBT功率半导体性能。
汽车功率单元

[发明专利]外延设备-CN201810058600.1在审
发明人：李国强;林宗贤;吴龙江 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种外延设备，包括：工艺腔室；位于工艺腔室中的基台，所述基台用于固定晶圆并带动所述晶圆旋转；位置检测单元，所述位置检测单元用于检测基台上的放置的晶圆是否发生偏移，并获得晶圆在基台上的偏移位置；位于基台一侧的气体供应单元，所述气体供应单元用于向工艺腔室中供应工艺气体，以在晶圆的表面形成膜层，在位置检测单元检测到基台上的晶圆存在偏移，在形成膜层时，当晶圆的偏移位置旋转到面向气体供应单元的一侧时，气体供应单元增大向工艺腔室中供应工艺气体的量本发明的外延设备能在偏移晶圆的表面形成厚度均匀的膜层。
晶圆气体供应单元工艺腔室位置检测单元外延设备偏移基台供应工艺气体偏移位置膜层表面形成膜层表面形成厚度均匀检测

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